【課題】 センサ素子において、今後のさらなる高出力化及び小型化を進められるように、複数の素子を限られた面積に形成し、素子が占める面積を縮小して集積することを課題とする。また、センサ素子の歩留まりを向上させるプロセスを提供することも課題としている。
【解決手段】 本発明は、絶縁表面を有する基板上にアモルファスシリコン膜を用いたセンサ素子と、薄膜トランジスタからなる出力増幅回路とを集積する。また、センサ素子の光電変換層のパターニングの際に、露出されている配線を保護するための金属層を光電変換層と薄膜トランジスタと接続する配線との間に設ける。 （もっと読む）

【課題】電流の状態に関する情報を提供する能力を有するように配置されたＩＩＩ族窒化物ベースの電力半導体装置を提供することである。
【解決手段】本発明の電力半導体装置は、ＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合領域と、該ＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合領域及び第１給電パッドに電気的に接続される第１電力電極と、前記ＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合領域及び第２給電パッドに電気的に接続される前記第１電力電極に対向して離隔される第２電力電極と、前記ＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合領域及び第３給電パッドに電気的に接続される前記第１電力電極に対向して離隔される第３電力電極と、を有する電力半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜を有する薄膜トランジスタの製造に際し、加工精度を良くする。
【解決手段】 まず、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜８の上面全体に保護膜９を形成し、その上に上層絶縁膜１２を成膜する。次に、上層絶縁膜１２および保護膜９にコンタクトホール１０、１１を形成する。この場合、チャネル長Ｌは２つのコンタクトホール１０、１１間の間隔により決定され、チャネル幅Ｗはコンタクトホール１０、１１の所定方向の寸法により決定される。これにより、半導体薄膜８にサイドエッチングがやや生じても、チャネル長Ｌおよびチャネル幅Ｗに寸法変化が生じることはない。 （もっと読む）

【課題】短チャネル効果を抑制できる構造であり、しきい値電圧を制御でき、電流駆動力に優れ、高速動作が可能なマルチフィンＦＥＴを有する半導体装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】上記の課題を解決した半導体装置の１態様は、半導体基板上に設けられたソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域及びドレイン領域を接続する複数のフィンと、前記半導体基板の上方に設けられ、前記各フィンの一方の側面側に設けられた第１のゲート電極と、前記半導体基板の上方に設けられ、前記フィンに対して前記第１のゲート電極と対向して前記各フィンの他方の側面側に設けられ、前記第１のゲート電極と分離された第２のゲート電極と、前記各々の第１のゲート電極に接続する複数の第１のパッド電極と、前記複数の第１のパッド電極を接続する第１の配線と、前記各々の第２のゲート電極に接続する複数の第２のパッド電極と、前記複数の第２のパッド電極を接続する第２の配線とを具備する。 （もっと読む）

【課題】配線の電気抵抗を低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に形成された薄膜トランジスタと、基板上に形成された第１の配線と、薄膜トランジスタの多結晶珪素膜からなる活性層と、ゲイト絶縁膜と、ゲイト電極、及び第１の配線上に形成された第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上に形成され、第１の絶縁膜に設けられた複数のコンタクトホールを介して第１の配線と電気的に接続している第２の配線と、薄膜トランジスタ及び第２の配線上に形成された第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上に形成され、第２の絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、基板と対向して配置された対向基板とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、所望の形状を有する半導体領域の形成方法を提供する。また、バラツキの少ない半導体装置の作製方法を提供する。また、少ない原料でコスト削減が可能であり、且つ歩留まりが高い半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、半導体膜の一部を酸化して酸化物層を形成した後、該酸化物層をマスクとして半導体膜をエッチングして、所望の形状を有する半導体領域を形成した後、該半導体領域を用いる半導体装置を作製する。本発明では、公知のレジストを用いたフォトリソグラフィー工程を用いずとも、所定の場所に所望の形状を有する半導体領域を形成することが可能である。 （もっと読む）

【課題】
線状レーザの走査回数を減少させ、レーザアニールにかかる時間を短縮させ、半導体装置の作製工程、作製時間、作製にかかるコストを短縮させることを課題とする。
【解決手段】
本発明では、線状レーザビームの照射面に重なり合うように高温の気体を局所的に噴き付ける。線状レーザビームは、レーザ発振器から射出したレーザビームをレンズに入射することにより得られる。高温の気体は、気体圧縮ポンプで圧縮された気体をノズル型ヒータにより加熱することによって得られる。加熱された気体は、線状レーザビームの照射面に重ね合わせるように噴出する。 （もっと読む）

【課題】 表面が平坦かつ均一な膜厚のゲート絶縁膜等を形成することが可能な技術を提供する。
【解決手段】 各半導体膜２０２Ａ、２０２Ｂを囲繞するように隔壁２１０を形成する。その後、隔壁２１０によって囲繞された囲繞領域ＳＡ、ＳＢ内に液体材料を配置し、これを乾燥、焼成することによりゲート絶縁膜２２０を形成する。ここで、ゲート絶縁膜２２０の膜厚は、隔壁２１０の側壁から離れるにつれ漸次変化しているが、このゲート絶縁膜２２０の膜厚が漸次変化する部分の幅をＤとし、隔壁２１０から囲繞領域内にある半導体膜２０２の最も近い部分までの距離をＬとした場合、Ｌ≧Ｄの関係が成立するように、隔壁２１０の配置位置や上記液体材料の乾燥に関わるパラメータを制御する。 （もっと読む）

【課題】 配線抵抗及び配線容量を低減するとともに、チップ面積を削減する。
【解決手段】 ＳＯＩ基板３０は、シリコン基板３１の上にシリコン酸化膜３２が形成され、このシリコン酸化膜３２の上にＮ⁻型シリコン層３３が形成されて構成される。ドレイン領域３５は、シリコン層３３の表面からシリコン酸化膜３２まで到達して形成される。ドレイン電極４２は、ＳＯＩ基板３０の裏面に電気的接触して形成される。導電体プラグ４１は、ドレイン領域３５の表面からドレイン領域３５およびシリコン酸化膜３２を貫通してシリコン基板３１中に延在して、ドレイン領域３５およびシリコン基板３１に電気的接触して形成される。 （もっと読む）

【課題】 パワー半導体デバイスを、通常OFF（エンハンスメントモード）デバイスとしたり、かなり低い閾値電圧を有する通常ON（空乏モード）デバイスとする。
【解決手段】 III属窒化物のパワー半導体デバイスに、段形状のヘテロ接合部を設ける。 （もっと読む）

【課題】 開口率を高めると共に、全画素への書き込み時間を短縮することができる液晶パネル及び液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】 液晶パネルを構成するＴＦＴ基板１００において、ゲートバスライン１０１とデータバスライン１０２が互いに直交する方向に配線され、両バスラインの交差箇所の近傍にスイッチング素子（ＴＦＴ）１０７が設けられ、さらに、各画素毎に設けられた画素電極１０４との間で補助容量Ｃｓを形成するＣｓバスライン１０３が、データバスライン１０２と平行な方向に配線されている。ゲートバスライン１０１、データバスライン１０２及びＣｓバスライン１０３は、それぞれ同じ配線間隔で配線され、各Ｃｓバスライン１０３を境界として正方形状の画素領域が画定されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して結晶性半導体膜を形成し、該結晶性半導体膜から触媒元素を除いた後、トップゲート型プラナー構造の薄膜トランジスタを作製する。また本発明は、表示装置の構成物を選択的に形成する液滴吐出法を用いることで、工程の簡略化と、材料のロスの軽減を達成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、無線チップのコストを下げることを課題とする。また、無線チップの大量生産を可能として、無線チップのコストを下げることを課題とする。さらに、小型・軽量な無線チップを提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、ガラス基板や石英基板から剥離された薄膜集積回路が第１の基体と第２の基体に設けられた無線チップを提供する。本発明の無線チップは、シリコン基板からなる無線チップと比較して、小型、薄型、軽量を実現する。本発明の無線チップが含む薄膜集積回路は、少なくとも、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ ｄｒａｉｎ）構造のＮ型の薄膜トランジスタと、シングルドレイン構造のＰ型の薄膜トランジスタと、アンテナとして機能する導電層とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程で絶縁膜、半導体膜、導電膜等の膜パターンを有する基板を作製する方法、さらには、低コストで、スループットや歩留まりの高い半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】基板１０１上に第１の膜１０２を形成する工程と、前記第１の膜１０２上にマスク材料を含有する溶液を吐出して前記第１の膜１０２上にマスク１０３を形成する工程と、前記マスク１０３を用いて前記第１の膜１０２をパターニングして前記基板１０１上に塗れ性の低い領域１０４と塗れ性の高い領域１０５を形成する工程と、前記マスク１０３を除去する工程と、前記塗れ性の低い領域１０４に挟まれた前記塗れ性の高い領域１０５に、絶縁膜、半導体膜又は導電膜材料を含有する溶液１０６を吐出して絶縁膜、半導体膜又は導電膜のパターンを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】レーザビームが照射された領域全体に占める微結晶が形成される領域の割合を減らし、半導体膜に対して良好にレーザ照射を行うことができるレーザ照射装置を提供すること、およびレーザ照射方法を提供すること。
【解決手段】レーザ発振器１０１から出射したレーザ光１０４をスリット１０２を通過させることによって強度の弱い部分を遮断した後にミラー１０３で偏向させ、このレーザ光を凸型シリンドリカルレンズ１０５，１０６または凸型球面レンズを用いて任意の大きさにビームの整形をした後に照射面に照射する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、アクティブマトリクス型の表示装置において、配線の断面積を増大
させることなく、相性の悪い２つの膜（ＩＴＯ膜とアルミニウム膜）からなる配線や電極
等を接続し、且つ、大画面化しても低消費電力を実現することを課題とする。
【解決手段】 本発明は、配線または電極をアルミニウム合金膜の単層とし、そのアルミ
ニウム合金膜の組成を調節してＩＴＯとの良好なオーミック接合を目指すのではなく、３
層構造とすることで課題を解決する。本発明は、アルミニウム原子のチャネル形成領域へ
の拡散を防止するために、ＴｉまたはＭｏからなる第１導電層を設け、その上に電気抵抗
値の低いアルミニウム単体（純アルミニウム）からなる第２導電層を設ける。さらに、そ
の第２導電層の上に、ＩＴＯと反応しないアルミニウム合金からなる第３導電層を設け、
配線又は電極を３層構造としてＩＴＯと接合させる。 （もっと読む）

【課題】 表面が平坦かつ均一な膜厚のゲート絶縁膜等を形成することができる技術を提供する。
【解決手段】 液体材料を複数回塗布することによってゲート絶縁膜を形成する。具体的には、パターンサイズの異なる半導体膜２０２Ａ、２０２Ｂが形成された基板１１上にゲート絶縁膜を形成するための液体材料を塗布し、これを焼成することによって第１ゲート絶縁膜２２０を形成する。第１ゲート絶縁膜２２０を形成することによって半導体膜表面と基板表面との間に生じた段差を小さくした後、この第１ゲート絶縁膜２２０の上に更に液体材料を塗布し、焼成することによって第２ゲート絶縁膜２３０を形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、ゲート長が高精度に制御され、かつ、ショートチャネル効果を抑制する半導体装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】 第１のゲート電極膜１７ａと、第１のゲート電極膜１７ａのゲート長よりも長いゲート長を具備する第２のゲート電極膜２０とを有する２段型ゲート電極２０ａを形成することにより、ゲート長が高精度に制御される。また、エクステンション領域２１は第２のゲート電極膜２０をマスクにして不純物導入がされるため、ショートチャネル効果を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜形成用の液体材料の使用量を最小限に抑えることが可能な技術を提供する。
【解決手段】
基板１１０の上に複数の半導体膜３１０Ａ、３１０Ｂを形成した後、液滴吐出法を用いて各半導体膜３１０Ａ、３１０Ｂと重なる領域に、局所的にゲート絶縁膜形成用の液体材料を配置する。このように配置した液体材料を例えば１００℃〜２００℃程度の温度で乾燥し、さらに３５０℃〜４００℃の温度で６０分程度焼成することで、各半導体膜３１０Ａ、３１０Ｂと重なる領域に局所的に形成されたゲート絶縁膜３２０Ａ、３２０Ｂを得る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能な逆スタガ型のＴＦＴを有する半導体装置の作製方法を提供する。また、少ない原料でコスト削減が可能であり、且つ歩留まりが高い半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、耐熱性の高い材料でゲート電極を形成した後、非晶質半導体膜を成膜し、該非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して結晶性半導体膜を形成し、該結晶性半導体膜上にドナー型元素又は希ガス元素を有する層を形成し加熱して触媒元素を結晶性半導体膜から除いた後、該結晶性半導体膜の一部を用いて半導体領域を形成し、該半導体領域に電気的に接するソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート電極に接続するゲート配線を形成して、逆スタガ型のＴＦＴを形成して半導体装置を作製する。 （もっと読む）