【課題】動作特性および信頼性の向上した、新規なマルチゲート構造のトランジスタを提
供することを課題とする。
【解決手段】２つ以上のゲート電極と、直列に接続した２つ以上のチャネル形成領域、ソ
ース領域、ドレイン領域、及び高濃度不純物領域を有する半導体層と、を有するマルチゲ
ート構造のトランジスタにおいて、ソース領域側に近接するチャネル形成領域のチャネル
長が、ドレイン領域側に近接するチャネル形成領域のチャネル長よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】側壁スペーサを形成することなく、且つ、工程数を増やすことなく、自己整合的にＬＤＤ領域を少なくとも一つ備えたＴＦＴを提供する。また、同一基板上に、工程数を増やすことなく、様々なＴＦＴ、例えば、チャネル形成領域の片側にＬＤＤ領域を有するＴＦＴと、チャネル形成領域の両側にＬＤＤ領域を有するＴＦＴとを形成する作製方法を提供する。
【解決手段】回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルをゲート電極形成用のフォトリソグラフィ工程に適用して膜厚の厚い領域と、該領域より膜厚の薄い領域を片側側部に有する非対称のレジストパターンを形成し、段差を有するゲート電極を形成し、ゲート電極の膜厚の薄い領域を通過させて前記半導体層に不純物元素を注入して、自己整合的にＬＤＤ領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】４５０〜６００℃程度の高温下に曝されてもヒロックが発生せず高温耐熱性に優れており、膜自体の電気抵抗（配線抵抗）も低く、アルカリ環境下の耐食性にも優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】Ｇｅを０．０１〜２．０原子％と、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｗ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｅ、およびＯｓよりなる群（Ｘ群）から選択される少なくとも一種の元素とを含み、４５０〜６００℃の加熱処理を行なったとき、下記（１）の要件を満足する表示装置もしくは半導体装置用Ａｌ合金膜である。
（１）Ａｌと、前記Ｘ群から選択される少なくとも一種の元素と、Ｇｅとを含む第１の析出物について、円相当直径５０ｎｍ以上の析出物が２００，０００個／ｍｍ²以上の密度で存在する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アクティブマトリクス型の表示装置において、配線の断面積を増大させることなく、相性の悪い２つの膜（ＩＴＯ膜とアルミニウム膜）からなる配線や電極等を接続し、且つ、大画面化しても低消費電力を実現することを課題とする。
【解決手段】本発明は、配線または電極をアルミニウム合金膜の単層とし、そのアルミニウム合金膜の組成を調節してＩＴＯとの良好なオーミック接合を目指すのではなく、３層構造とすることで課題を解決する。本発明は、アルミニウム原子のチャネル形成領域への拡散を防止するために、ＴｉまたはＭｏからなる第１導電層を設け、その上に電気抵抗値の低いアルミニウム単体（純アルミニウム）からなる第２導電層を設ける。さらに、その第２導電層の上に、ＩＴＯと反応しないアルミニウム合金からなる第３導電層を設け、配線又は電極を３層構造としてＩＴＯと接合させる。 （もっと読む）

【課題】画素にメモリを有する画素を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】画素に、少なくとも、表示素子、容量素子、インバータおよびスイッチを設ける。容量素子に保持された信号と、インバータから出力される信号とを用いて、スイッチを制御することにより、表示素子に電圧が供給されるようにする。インバータおよびスイッチを同じ極性を持つトランジスタで構成することができる。また、画素を構成する半導体層を透光性を有する材料で形成してもよい。また、ゲート電極、ドレイン電極および容量電極を透光性を有する導電層を用いて形成してもよい。このように透光性材料で画素を形成することで、メモリが配置された画素を有していながら、その表示装置を透過型にすることができる。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型液晶表示装置において、作製プロセスの簡略化のため使用するマスク枚数が減らされてきた。この様な従来のプロセスでは、ゲート信号線が液晶部（配向膜を含む）に直接接触するような構造をとることになり、ゲート信号電圧の影響による液晶部の劣化が問題となっていた。そこで、ゲート信号電圧の液晶部への影響を抑えることを課題とする。
【解決手段】ゲート信号線を絶縁膜で覆い、液晶部に直接触れないようにした。
その画素部の構成を図１に示す。上記絶縁膜を有する表示装置は、ゲート信号線とその上の絶縁膜を同時にパターニング形成することで、用いるマスクの枚数を増やすことなく作製することができる。
また、対向基板上にＢＭ層を作製する代わりにゲート信号線周辺をＢＭで覆い、このＢＭを上記絶縁層として用いることもできる。この際も使用マスクの枚数の増加はない。 （もっと読む）

【課題】表示デバイスに用いられる薄膜トランジスタ基板の配線構造において、Ａｌ合金膜と透明画素電極を直接コンタクトさせることができるとともに、薄膜トランジスタの製造プロセス中に用いられるアミン系剥離液に対する腐食性を改善できるＡｌ合金膜を開発し、それを備えた表示デバイスを提供する。
【解決手段】Ｇｅを０．２〜２．０原子％、および元素群Ｘ（Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ）より選択される少なくとも１種の元素を含むと共に、希土類元素と高融点金属群（Ｔｉ、Ｔａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｈｆ）からなる元素群Ｑより選択される少なくとも１種の元素を０．０２〜１原子％含み、かつ、粒径が１００ｎｍを超える析出物が１０^−６ｃｍ^２あたり１個以下であるところに特徴を有するＡｌ合金膜と、該Ａｌ合金膜を備えた表示装置。 （もっと読む）

【課題】比抵抗が小さく、透明導電膜との接触抵抗の上昇を回避可能であって、アルカリ系の薬液耐性に優れ、かつ良好な反射率特性を兼ね備えるＡｌ合金膜を備える電子デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明に係る電子デバイスは、基板上に、Ａｌ合金膜を少なくとも備える金属膜パターン１０と、Ａｌ合金膜と少なくとも一部の領域で直接接続する透明導電膜パターン３０とを備え、Ａｌ合金膜の最上層は、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｐｄ，Ｐｔ、Ｍｏ，及びＷから選ばれる少なくとも１つの金属元素が添加され、かつ、Ｏ元素の組成比が、０．１ａｔ％以上、６．０ａｔ％以下であるＯ元素含有−Ａｌ合金膜が形成されている。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性を有し、Ｓ値において高性能な半導体素子を提供する。
【解決手段】脆化層を有する単結晶半導体基板と、ベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、熱処理によって、脆化層を境として単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層を固定し、単結晶半導体層にレーザ光を照射し、単結晶半導体層を部分溶融状態として再単結晶化し、結晶欠陥を修復する。次いで、ｎ型トランジスタとなる島状単結晶半導体層にフォトマスクを用いてチャネルドープし、次いで該フォトマスクを用いて島状単結晶半導体層をエッチバックし、ｐ型トランジスタとなる島状単結晶半導体層の膜厚より薄くなるようにする。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板上に形成される不揮発性メモリ素子において、外部の光が電荷保持部に当ることにより、保持した電荷が、活性化し逃げることを防止することを課題とする。
【解決手段】絶縁基板上に不揮発性メモリ素子を備え、前記不揮発性メモリ素子が、電荷保持膜と、チャネル領域と、前記チャネル領域の両側にソースとドレインとを備える半導体層を備え、前記電荷保持膜が、少なくともその一部の上側と下側とに設けられた、上側遮光体及び下側遮光体の間に位置していることを特徴とする半導体記憶装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】発光装置の信号線の電位の振幅を小さく抑えつつ、走査線駆動回路に過大な負荷がかかるのを防ぐ。
【解決手段】発光素子と、第１の電位を有する第１の電源線と、第２の電位を有する第２の電源線と、第１の電源線と発光素子の接続を制御する第１のトランジスタと、ビデオ信号に従って第２の電源線から与えられる第２の電位を出力するか否かが制御される第２のトランジスタと、第１の電源線から与えられる第１の電位、または第２のトランジスタの出力のいずれか一方を選択するスイッチング素子と、スイッチング素子によって選択された第１の電位または第２のトランジスタの出力のいずれか一方を、第１のトランジスタのゲート電極に与えるか否かを選択する第３のトランジスタと、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ等の酸化物透明導電膜の上に直接、光反射率が高いＡｌ系合金膜を成膜した欠陥のない積層導電膜を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様に係る積層導電膜は、光透過性を有する透明導電膜と、前記透明導電膜上に直接積層して形成され、前記透明導電膜との界面近傍に窒素原子、酸素原子の少なくとも１種類以上を含むことにより、前記透明導電膜に電気的に接続されるＡｌ又はＡｌを主成分とするメタル導電膜とを有する。また、メタル導電膜は、透明導電膜との界面近傍にさらに周期律の８族元素のＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、４ｂ族元素のＣ、Ｓｉ、Ｇｅから選ばれる少なくとも１種類以上の原子を含む。 （もっと読む）

【課題】大面積化を可能とし、生産性を向上させることができるＳＯＩ基板の作製方法を提供する。
【解決手段】複数の単結晶半導体基板を配列させた後、配列されたままの状態の複数の単結晶半導体基板に一のベース基板を重ね合わせることで、一のベース基板と該複数の単結晶半導体基板とを貼り合わせる。そして、複数の各単結晶半導体基板を分割することで、ベース基板上に複数の単結晶半導体層を形成する。なお、複数の単結晶半導体基板を配列させて一時的に収容するための容器（トレイ）を用意し、複数の単結晶半導体基板をトレイ内に配列させたまま、上記貼り合わせを行う。次に、複数の単結晶半導体層内に存在する結晶欠陥を低減させるために、複数の単結晶半導体層にレーザビームを照射するが、レーザビームの照射前或いは照射後に、複数の単結晶半導体層をエッチングにより薄膜化する。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する表示装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する表示装置において、逆スタガ型薄膜トランジスタは、ゲート電極上にゲート絶縁膜が形成され、ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域として機能する微結晶半導体膜（セミアモルファス半導体膜ともいう。）が形成され、微結晶半導体膜上にバッファー層が形成され、バッファー層上に一対のソース領域及びドレイン領域が形成され、ソース領域及びドレイン領域に接する一対のソース電極及びドレイン電極が形成される。上記において、微結晶半導体膜を表面に水素プラズマを作用させたゲート絶縁膜上に形成する。 （もっと読む）

【課題】画素電極と直接接続でき、しかも、約２５０℃といった比較的低い熱処理温度を適用した場合でも充分に低い電気抵抗率と優れた耐熱性とを兼ね備えた配線材料を有する薄膜トランジスタ基板を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタと透明画素電極を有し、Ａｌ合金膜と酸化物導電膜が、高融点金属を介さずに直接接続しており、その接触界面にＡｌ合金成分の一部または全部が析出もしくは濃化して存在する薄膜トランジスタ基板であって、Ａｌ合金膜は、合金成分として、グループαに属する元素を０．１〜６原子％、およびグループＸに属する元素を０．１〜２．０原子％の範囲で含有するＡｌ−α−Ｘ合金からなり、グループαは、Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｇｅの少なくとも一種、グループＸは、Ｍｇ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｔｂ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｄｙの少なくとも一種である。 （もっと読む）

【課題】低電気抵抗配線を実現すると共に微細加工性に優れ、且つ製造工程で加わる熱履歴にも十分耐える耐熱性を有するアルミニウム合金配線を備えた表示装置を提供すること。
【解決手段】ガラス基板上に、透明導電膜と薄膜トランジスタを電気的に接続するアルミニウム合金配線膜が配置された表示装置において、該アルミニウム合金配線膜は、Ｎｉ，Ａｇなど特定の元素群Ｑから選ばれる１種以上の元素と、希土類元素やＭｇなど特定の元素群Ｒから選ばれる１種以上の元素を特定量含むアルミニウム合金からなる第一層（Ｘ）と、該第一層（Ｘ）よりも電気抵抗率の低いアルミニウム合金からなる第二層（Ｙ）とを含む積層構造を有し、第一層（Ｘ）が透明電極膜と直接接している表示装置である。 （もっと読む）

【課題】レーザビームの利用効率を向上させると共に、ＤＭＤにおける迷光の影響を排除し、均一なビームスポットで照射パターンを形成することのできるレーザ照射装置及びレーザ照射方法を提供する。
【解決手段】レーザ照射装置は少なくともレーザ発振器と回折光学素子と微少なミラーが二次元的に多数並べられた光学素子とを有し、該レーザ発振器から射出したレーザビームは回折光学素子によって複数のレーザビームに分割され、該レーザビームは複数のマイクロミラーにおいて偏向される。また、該前記複数に分割されたレーザビームのそれぞれは互いに等しいエネルギーを有する。 （もっと読む）

【課題】Ｈ_２洗浄を行っても画素の透過率を確保できる薄膜トランジスタ表示板及び製造方法、及び透明電極上に窒化膜を蒸着しても画素の透過率を確保できる薄膜トランジスタ表示板及び製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ表示板は、基板、基板上のゲート線、窒素を含む透明な導電体からなる基板上の共通電極、ゲート線及び共通電極上のゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上の半導体層、ソース電極を有するデータ線及びソース電極と対向する半導体層上のドレイン電極、ドレイン電極と接続され共通電極と重畳する画素電極を備える。共通電極をＩＺＯＮ、ＩＴＯＮ又はａ−ＩＴＯＮで、又はＩＴＯ／ＩＴＯＮ、ＩＺＯ／ＩＺＯＮ又はａ−ＩＴＯ／ａ−ＩＴＯＮの二重層で形成することにより、共通電極上に窒化膜を蒸着する場合に投入されるＨ_２やＳｉＨ_４ガスによってＩＺＯ、ＩＴＯ又はａ−ＩＴＯ物質内の金属成分が還元されＳｎ又はＺｎが析出されるのを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム合金膜と透明電極が直接コンタクトすることを可能とし、バリアメタルの省略を可能にするアルミニウム合金膜を用いた表示デバイスとその製造技術を提供すること。
【解決手段】ガラス基板上に配置された薄膜トランジスタと、透明電極によって形成された画素電極と、これら薄膜トランジスタと画素電極を電気的に接続するアルミニウム合金膜によって形成された接続配線部を主たる構成要素として備えた表示デバイスとその製法を開示する。 （もっと読む）