【課題】薄膜トランジスタ、それを備えた平板表示装置、前記薄膜トランジスタの製造方法、及び前記平板表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極と絶縁されたソース及びドレイン電極と、ゲート電極と絶縁され、ソース及びドレイン電極にそれぞれ接する有機半導体層を含み、有機半導体層は、少なくともチャンネル領域の周囲に、他部と少なくともその結晶構造が異なって変質した変性領域を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】 工程を単純化することのできる半透過型薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明による液晶表示装置は、ゲートライン１０２と、ゲートライン１０２とゲート絶縁膜を介して交差して画素領域を定義するデータライン１０４と、ゲートライン１０２及びデータライン１０４と接続された薄膜トランジスタ１０６と、ゲートライン１０２、データライン１０４、及び薄膜トランジスタ１０６を覆うように形成され、画素領域内にゲート絶縁膜を貫通する透過ホールを有する有機膜と、透過ホールを通じて有機膜上に形成され、薄膜トランジスタ１０６と接続される画素電極１１８及び画素電極１１８上に画素電極１１８のエッジ部と異なるエッジ部を有し、透過ホールの画素電極１１８を露出させる反射電極１５６とを含む。 （もっと読む）

【課題】高価な専用の装置に依存せず有機半導体が大気に晒されないような低コストの有機ＴＦＴの作製方法を提供することを課題とする。かつデバイスサイズの小型化が可能であり、材料の熱分解が問題とならないように低温での作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】保護膜を有機半導体膜上に設け、その保護膜上を樹脂からなる封止材で封止することを特徴とする。その結果、有機半導体膜を水又は酸素及び樹脂を硬化させる際に発生する応力から保護することができる。 （もっと読む）

【課題】 様々なパターンを有するゲート電極をフルシリサイド化することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、半導体基板１０上にゲート絶縁膜３０を形成し、ゲート絶縁膜上に、第１のゲート電極４０および第１のゲート電極よりもゲート長またはゲート幅が大きい第２のゲート電極４０を形成し、第２のゲート電極の厚みが第１のゲート電極の厚みよりも薄くなるように第２のゲート電極の上部を選択的にエッチングまたは研磨し、第１のゲート電極および第２のゲート電極上に金属膜１００を堆積し、第１のゲート電極の全部および第２のゲート電極の全部をシリサイド化することを具備している。 （もっと読む）

【課題】 良好な絶縁性、平坦性を有する絶縁膜を形成する。
【解決手段】 シロキサンポリマーを含有する樹脂を塗布した後、不活性ガスを主成分とし、酸素の濃度が５ｖｏｌ％以下且つ水の濃度が１ｖｏｌ％以下の雰囲気で前記樹脂を加熱処理して絶縁膜を形成することを特徴とする。また、好ましくは酸素の濃度が１ｖｏｌ％以下且つ水の濃度が０．１ｖｏｌ％以下にする。また、前記シロキサンポリマーを含有する樹脂はメチル基及びフェニル基を含むことを特徴とする。また、前記不活性ガスは窒素であることを特徴とする。 （もっと読む）

インレイド技術により形成されたトランジスタ構成のゲート電極構造を横方向に取り囲む絶縁層の固有の応力を部分的に修正することによって、異なるトランジスタ素子の荷電キャリア移動度を個別に調整する。特に、インレイド・ゲート構造トランジスタ構造において、ＮＭＯＳトランジスタおよびＰＭＯＳトランジスタは、それぞれ、引っ張り応力と圧縮応力を受け取り得る。
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【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して、結晶性半導体膜を形成するとともに該結晶性半導体膜から触媒元素を除き、その後逆スタガ型薄膜トランジスタを作製する。また本発明は、薄膜トランジスタのゲート電極層と画素電極層を同工程同材料を用いて液滴吐出法により選択的に形成し、工程の簡略化と、材料のロスの軽減を達成する。 （もっと読む）

【課題】 トランジスタ等の能動素子が安定に動作し、大画面化と長期にわたって安定した表示動作とを可能にする。
【解決手段】 陰極（２２２）と陽極（２３）とに狭持され、基板（２）の上方に配置された電気光学素子と、電気光学素子を駆動する能動素子（２４）と、陰極（２２２）及び陽極（２３）のうち少なくとも一方と基板（２）との間に配置された誘電率が所定の値以下の絶縁材料からなる絶縁膜（２８３、２８４）とから電気光学装置（１）を構成する。 （もっと読む）

【課題】フェルミ・レベル・ピンニング効果を抑制するとともに、トランジスタの微細化を図ること。
【解決手段】シリコン基板または支持基板１１上に形成された島状のチャネル層１３と、チャネル層１３上に形成されたゲート絶縁膜１５と、ゲート絶縁膜１５上に形成されたゲート電極１６と、チャネル層１３の一方向に対向する両側面上に形成されたシリコン窒化膜１４と、シリコン窒化膜１４の側面上に形成された金属材料からなるソース電極及びドレイン電極１９とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 電気光学装置において、基板上の積層構造に形成されたコンタクトホール内の断線不良を防止する。
【解決手段】 基板上に下部層間絶縁層の前駆膜を成膜する第１工程と、前駆膜を加熱して流動化させることにより前駆膜の表面に対して平坦化処理を施す第２工程と、第２工程の後に、前駆膜の表面の少なくとも一部を第１のエッチング処理を施して後退させることで下部絶縁層を形成する第３工程と、下部層間絶縁層上に上部層間絶縁層を形成する第４工程と、上部導電層及び下部導電層を互いに電気的に接続するためのコンタクトホールを、下部層間絶縁層の表面において第１のエッチング処理により後退させた部分を通過するように、上部層間絶縁層及び下部層間絶縁層に第２のエッチング処理によって開孔する第５工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】特性の優れた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）およびＴＦＴを有する半導体集積回路を提供する。
【解決手段】周辺回路およびアクティブマトリクス回路を含む半導体装置において、前記周辺回路および前記アクティブマトリクス回路は、第１の絶縁膜を介して半導体層の下に設けられた第１のゲイト電極および第２の絶縁膜を介して前記半導体層の上に設けられた第２のゲイト電極を含む複数の薄膜トランジスタを含み、前記周辺回路の薄膜トランジスタの半導体層に結晶性半導体が用いられ、前記アクティブマトリクス回路の半導体層に非晶質半導体が用いられたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大型基板と層間絶縁膜との間に発生する応力を緩和し、大型基板の反りを防止する。
【解決手段】大型基板１００上に導電層１５，１５ｂと層間絶縁膜１３，１４，１９，２５とが交互に積層して複数の素子基板を形成する工程において、大型基板１００に成膜した各層間絶縁膜１３，１４，１９，２５の互いに隣接する素子基板領域１０の境界位置に、大型基板１００の一端から他端へ貫通する分断溝１８０を複数本平行に形成する。各層間絶縁膜１３，１４，１９，２５に分断溝１８０を形成したので、大型基板１００と層間絶縁膜１３，１４，１９，２５との間の応力が緩和され、大型基板１００の反りが解消される。 （もっと読む）

【課題】剥離用物質を注入して半導体層を薄膜化すると共に、半導体デバイス部に対する剥離用物質による悪影響を排除する。
【解決手段】半導体装置Ｓの製造方法は、半導体層２０の表面に絶縁層であるゲート酸化膜４を形成する絶縁層形成工程と、半導体層２０に対し、半導体層における上記剥離用物質の移動を抑止するためのホウ素イオンを注入し、該半導体層２０に拡散抑止層３５を形成する拡散抑止層形成工程と、拡散抑止層３５のホウ素を加熱して活性化させる活性化工程と、半導体層２０に水素イオンを注入し、半導体層２０の領域のうち拡散抑止層３５を介してゲート酸化膜４と反対側の領域に剥離層３６を形成する剥離層形成工程と、半導体層２０のゲート酸化膜４側にガラス基板１８を貼り合わせる貼り合わせ工程と、半導体層２０を熱処理することにより、半導体層２０を剥離層３６に沿って分割する分割工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置において、プリチャージ回路、サンプリング回路等が有するＴＦＴの下側からの戻り光等に対する遮光性能を高め、優れたスイッチング特性により高品質の画像表示を行う。
【解決手段】 液晶装置（２００）は、一対の基板間に挟持された液晶層（５０）と、基板にマトリクス状に設けられた画素電極（１１）と、これをスイッチング制御するＴＦＴ（３０）とを備える。このＴＦＴや、プリチャージ回路（２０１）及びサンプリング回路（３０１）のＴＦＴの下側には、遮光層が設けられている。 （もっと読む）

コンタクトエッチストップ層（１１６）を設けることによって、異なるトランジスタ型（１００Ｎ），（１００Ｐ）のチャネル領域内の応力を効果的に制御することができる。その際、コンタクトエッチストップ層（１１６）の引張応力部分と圧縮応力部分は、ウェット化学エッチング、プラズマエッチング、イオン注入、プラズマ処理などの十分に確立されたプロセスによって得ることができる。このため、プロセスを著しく複雑にすることなく、トランジスタ（１００Ｎ），（１００Ｐ）の性能を大きく改善することができる。
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