【課題】厚いゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタと、薄いゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタとを備えた回路基板を提供する。
【解決手段】ポリシリコン半導体層の上下に、ボトムゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁層とトップゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁膜とを各々設け、トップゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁膜の厚さをボトムゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁層の厚さと異ならせる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性（移動度、オフ電流、閾値電圧）及び信頼性（閾値電圧シフト、耐湿性）が良好で、ディスプレイパネルに適した電界効果型トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板上に、少なくともゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体層と、半導体層の保護層と、ソース電極と、ドレイン電極とを有し、ソース電極とドレイン電極が、半導体層を介して接続してあり、ゲート電極と半導体層の間にゲート絶縁膜があり、半導体層の少なくとも一面側に保護層を有し、半導体層が、Ｉｎ原子、Ｓｎ原子及びＺｎ原子を含む酸化物であり、かつ、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子組成比率が２５原子％以上７５原子％以下であり、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子組成比率が５０原子％未満であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低温かつ簡便で安価な製造工程により作製可能であり、トランジスタ特性に優れる、ダブルゲート構造を有する薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された第１ゲート電極と、上記第１ゲート電極を覆うように形成された第１ゲート絶縁層と、上記第１ゲート絶縁層上に形成され、低抵抗領域であるソースコンタクト領域およびドレインコンタクト領域ならびに高抵抗領域であるチャネル領域を有する酸化物半導体層と、上記ソースコンタクト領域に接して形成されたソース電極と、上記ドレインコンタクト領域に接して形成されたドレイン電極と、上記酸化物半導体層上に形成され、絶縁性有機材料を含む第２ゲート絶縁層と、上記第２ゲート絶縁層上に形成された第２ゲート電極とを有することを特徴とする薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】ブラックマトリックス層を設計値以上に拡張しなくても、位置合わせずれによる光漏れが生じることを抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】ボトムゲート電極１２ａとトップゲート電極１７ａで半導体層１４を挟むデュアルゲート型の薄膜トランジスタを有する半導体装置において、前記トップゲート電極は、第１のブラックマトリックス層によって形成され、前記半導体層は、前記トップゲート電極によって覆われている半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】ブラックマトリックス層の幅を設計値以上に拡張しなくても、位置合わせずれによる光漏れが生じることを抑制する。
【解決手段】ボトムゲート電極１２ａと第１のブラックマトリックス層１７ａで第１の半導体層１４を挟むシングルゲート型の薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、前記第１の半導体層と前記第１のブラックマトリックス層は重畳している半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高いＬＤＤ構造のＴＦＴを形成することが可能な半導体装置の製造方法、及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１領域１５５のＰＭＯＳＴＦＴと、第２領域１５６のＬＤＤを備えるＮＭＯＳＴＦＴと、第３領域１５７のＬＤＤを備えるＮＭＯＳＴＦＴとを製造する製造方法は、厚みの異なる２種類の多階調レジスト２１１，２１２を形成し、多階調レジスト２１１，２１２をマスクとして不純物の注入とアッシングとを繰り返し、セルフアラインでＬＤＤを形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】画素電極の電圧が保持され、画質が悪化することがないアクティブマトリックス基板を提供する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板は、基材１１０上で半導体層１５０と接触するように設けられ、互いに対向しチャネル領域を形成するソース電極１２０及びドレイン電極１３０と、前記チャネル領域を制御するゲート電極１４０と、前記ドレイン電極１３０と接続され液晶材料を駆動する画素電極１９０と、を複数有するアクティブマトリクス基板において、複数の前記画素電極１９０の間の空間に配された無機絶縁膜１９５と、前記画素電極１９０とは接触せずに、前記無機絶縁膜１９５と接触するようにして配された遮光膜２００と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高開口率な半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面上に第１配線と、第１配線上に第１絶縁膜と、第１絶縁膜上に半導体膜と、半導体膜上に第２絶縁膜と、第２絶縁膜上に第２配線と、第１配線と接続するゲート電極と、第２配線及びゲート電極上に第３絶縁膜と、第３絶縁膜上に半導体膜と接続する第３の配線とを有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１のチャネル形成領域７１３と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第１のゲート電極とを備えた第１のＴＦＴと、第２のチャネル形成領域７１４と、第２のソース領域及び第２のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第２のゲート電極とを備えた第２のＴＦＴと、第１のＴＦＴ及び第２のＴＦＴ上に設けられた第１の絶縁膜６６４と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の一方と接続されたソース配線６６８と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の他方と接続し、且つ第２のゲート電極に接続された第１のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の一方に接続された第２のドレイン配線６７２と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の他方に接続された電流供給線と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高い表示品質を実現することができるＴＦＴ、アクティブマトリクス基板及びそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタは、ゲート電極２ａと、ゲート電極２ａを覆うように設けられたゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３の上に設けられ、ゲート電極の上方に配置された半導体膜５と、半導体膜５の上に設けられ、半導体膜５と電気的に接続されたソース電極７と、半導体膜５の上に設けられ、半導体膜５と電気的に接続されたドレイン電極９と、ソース電極７又はドレイン電極９の少なくとも一方とゲート絶縁膜３との間に設けられ、半導体膜５と分離して配置された低反射膜６と、を備え、低反射膜６が、平面視におけるゲート電極２ａの外側において、ソース電極７、ドレイン電極９のパターンと略同一形状、又は、はみ出しているものである。 （もっと読む）

【課題】所期の特性が得られ高品位な表示を得ることができる薄膜トランジスターの製造方法、及び電気光学装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスターとしてのＴＦＴ素子の製造方法は、第１基板１２上に半導体膜３８を形成する工程と、半導体膜３８上にゲート絶縁膜５３を形成する工程と、ゲート絶縁膜５３上にゲート電極３５ａを形成する工程と、ゲート絶縁膜５３及びゲート電極３５ａを覆って、半導体膜３８に注入する不純物７２の量を調整するための、ゲート絶縁膜５３とエッチングの選択比が異なる調整膜７３を形成する工程と、調整膜７３を介して半導体膜３８に不純物７２を注入する工程と、半導体膜３８にアニール処理を施す工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】入射光が確実に遮光され安定した動作が得られるトランジスターを備えた電気光学装置、電気光学装置の製造方法、この電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置は、ソース領域３０ｓと、ドレイン領域３０ｄと、チャネル領域３０ｃと、チャネル領域３０ｃとドレイン領域３０ｄの間に形成された接合領域３０ｆとを有する半導体層３０ａと、半導体層３０ａを覆う第１絶縁膜を介してチャネル領域３０ｃに対向するゲート電極部３０ｇと、平面的に接合領域３０ｆに沿って第１絶縁膜および第２絶縁膜に設けられた溝としてのコンタクトホールＣＮＴ５，ＣＮＴ６と、コンタクトホールＣＮＴ５，ＣＮＴ６内に、ゲート電極部３０ｇから延在して設けられる第１導電膜と、データ線６ａを構成する第２導電膜とを含む少なくとも２層の導電膜を有する遮光性の側壁部と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ外部からの光による悪影響を軽減又は防止したトランジスタ、発光装置、及び、電子機器を提供する。
【解決手段】トランジスタＴｒは、ゲート電極１２と、透光性を有する絶縁層を介してゲート電極１２と対向配置される、ゲート電極１２側の面に光の反射面を有する導電体層２２と、ゲート電極１２と導電体層２２との間に位置し、チャネルが形成される半導体層１４と、を備える。光を吸収する光吸収層２１は、導電体層２２と半導体層１４との間、並びにゲート電極１２と半導体層１４との間の少なくともいずれか一方に位置する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性が変動しにくい薄膜トランジスタを容易に作り分けること。
【解決手段】ボトムゲート構造の第１薄膜トランジスタである駆動トランジスタ６と、トップゲート構造の第２薄膜トランジスタであるスイッチトランジスタ５とを形成する際、駆動トランジスタ６の第１ゲート電極６ａとスイッチトランジスタ５の第２遮光膜５ｅを形成する工程と、スイッチトランジスタ５の第２ゲート電極５ａと駆動トランジスタ６の第１遮光膜６ｅを形成する工程を別工程にし、それ以外の薄膜トランジスタの構成を共通の工程によって形成する。こうして、ゲート電極（６ａ、５ａ）と遮光膜（６ｅ、５ｅ）を形成する以外の工程を共通の製造工程とする製造方法によって、駆動トランジスタ６とスイッチトランジスタ５を作り分けることを可能にした。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性が変化しにくい薄膜トランジスタを容易に作り分けること。
【解決手段】ボトムゲート構造の第１薄膜トランジスタである駆動トランジスタ６と、トップゲート構造の第２薄膜トランジスタであるスイッチトランジスタ５とを形成する際、駆動トランジスタ６の第１ゲート電極６ａとスイッチトランジスタ５の第２遮光膜５ｅを形成する工程と、スイッチトランジスタ５の第２ゲート電極５ａと駆動トランジスタ６の第１遮光膜６ｅを形成する工程を別工程にし、それ以外の薄膜トランジスタの構成を共通の工程によって形成する。こうして、ゲート電極（６ａ、５ａ）と遮光膜（６ｅ、５ｅ）を形成する以外の工程を共通の製造工程とする製造方法によって、駆動トランジスタ６とスイッチトランジスタ５を作り分けることを可能にした。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性が変動しにくい薄膜トランジスタを容易に作り分けること。
【解決手段】ボトムゲート構造の第１薄膜トランジスタである駆動トランジスタ６と、トップゲート構造の第２薄膜トランジスタであるスイッチトランジスタ５とを形成する際、基板１０と第１絶縁膜１１の間に駆動トランジスタ６の第１ゲート電極６ａとスイッチトランジスタ５の第２遮光膜５ｅを形成する工程と、第２絶縁膜１２とパッシベーション膜１４の間にスイッチトランジスタ５の第２ゲート電極５ａと駆動トランジスタ６の第１遮光膜６ｅを形成する工程を別工程にし、それ以外の薄膜トランジスタの構成を共通の工程によって形成する。こうして、ゲート電極（６ａ、５ａ）と遮光膜６ｅ（５ｅ）を形成する以外の工程を共通の製造工程とする製造方法によって、駆動トランジスタ６とスイッチトランジスタ５を作り分けることを可能にした。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性が変動しにくい薄膜トランジスタを容易に作り分けること。
【解決手段】ボトムゲート構造の第１薄膜トランジスタである駆動トランジスタ６と、トップゲート構造の第２薄膜トランジスタであるスイッチトランジスタ５とを形成する際、駆動トランジスタ６の第１ゲート電極６ａとスイッチトランジスタ５の第２遮光膜５ｅを形成する工程と、スイッチトランジスタ５の第２ゲート電極５ａと駆動トランジスタ６の第１遮光膜６ｅを形成する工程を別工程にし、それ以外の薄膜トランジスタの構成を共通の工程によって形成する。こうして、ゲート電極（６ａ、５ａ）と遮光膜（６ｅ、５ｅ）を形成する以外の工程を共通の製造工程とする製造方法によって、駆動トランジスタ６とスイッチトランジスタ５を作り分けることを可能にした。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性が変化しにくい薄膜トランジスタを容易に作り分けること。
【解決手段】ボトムゲート構造の第１薄膜トランジスタである駆動トランジスタ６と、トップゲート構造の第２薄膜トランジスタであるスイッチトランジスタ５とを形成する際、駆動トランジスタ６の第１ゲート電極６ａとスイッチトランジスタ５の第２遮光膜５ｅを形成する工程と、スイッチトランジスタ５の第２ゲート電極５ａと駆動トランジスタ６の第１遮光膜６ｅを形成する工程を別工程にし、それ以外の薄膜トランジスタの構成を共通の工程によって形成する。こうして、ゲート電極（６ａ、５ａ）と遮光膜（６ｅ５ｅ）を形成する以外の工程を共通の製造工程とする製造方法によって、駆動トランジスタ６とスイッチトランジスタ５を作り分けることを可能にした。 （もっと読む）

【課題】導電膜を有する半導体装置は、導電膜の内部応力の影響を受ける。内部応力について検討する。
【解決手段】絶縁表面上に設けられたｎチャネル型ＴＦＴを有する半導体装置は、半導体膜が引っ張り応力を受けるように、導電膜、例えばゲート電極に不純物元素が導入され、絶縁表面上に設けられたｐチャネル型ＴＦＴを有する半導体装置は、半導体膜が圧縮応力を受けるように、導電膜、例えばゲート電極に不純物が導入されている。 （もっと読む）

【課題】液晶の配向不良を抑制するために画素電極を平坦化し、開口率を下げずに十分な容量を得られる容量素子を有する半導体装置を実現することを課題とする。
【解決手段】薄膜トランジスタ上の遮光膜、前記遮光膜上の容量絶縁膜、前記容量絶縁膜上に導電層、前記導電層と電気的に接続するように画素電極を有する半導体装置であり、前記遮光膜、前記容量絶縁膜および前記導電層から保持容量素子を形成することにより、容量素子として機能する領域の面積を増やすことができる。 （もっと読む）