【課題】斜め方向からの迷光が、薄膜トランジスタのチャネル部に入ることで光励起キャリアを発生させる場合がある。この現象は特に高輝度の光学系を用いる場合に顕著となり、画質の低下を招いているという課題がある。
【解決手段】ポリシリコンを用いた第１遮光層４を、酸化シリコン基板１と酸化シリコンを用いた第１絶縁層５との間に挟み、伝播減衰が大きい等価スラブ型導波路を形成し、迷光を当該等価スラブ型導波路に通す。等価スラブ型導波路のコア層となる第１遮光層４の層厚ｔ（ｎｍ）を可視光最短波長として４００（ｎｍ）の波長の光をカットオフできるようｔ≧３１６（ｎｍ）を用いることで第１遮光層４の側面から入射された迷光を減衰させることができる。 （もっと読む）

【課題】線状レーザビームの照射により結晶化される半導体膜の結晶粒の面方位を揃える。また、結晶粒の面方位が揃った結晶性半導体を高い歩留まりで作製する。
【解決手段】基板上に、下地の絶縁膜、半導体膜及びキャップ膜を形成する。連続発振レーザなどのレーザから発振されるレーザビームを非球面シリンドリカルレンズまたは屈折率分布レンズにより幅が５μｍ以下の線状のレーザビームに集光する。この線状レーザビームを照射して半導体膜を完全溶融させ、かつ線状レーザビームを走査することで、完全溶融した半導体膜をラテラル成長させる。線状ビームの幅が５μｍ以下と非常に細いため、液体状態となっている半導体の幅も狭くなり、液体状態の半導体に乱流が発生することが抑制される。このため、隣り合う結晶粒の成長方向が乱流で乱れることなく、均一化されるため、ラテラル成長した結晶粒の面方位を揃えることができる。 （もっと読む）

【課題】グローバル段差の生じる領域や回路配置等に依存しないフォトマスクによって、グローバル段差を平坦化するためのレジストパターンを露光、形成することが可能な電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】次の工程を含む製造方法によって電気光学装置を製造する。まず、基板１０上に形成された画素回路素子層７ａ、周辺回路素子層７ｂの表面に第３層間絶縁膜４３を形成する（ａ）。次に、第３層間絶縁膜４３の表面を研磨し（ｂ）、レジスト６５を形成する（ｃ）。次に、レジスト６５の表面の段差ｄの２倍より小さな焦点深度を有する露光系を用いて、レジスト６５の段差のうち上段に相当する高さに焦点を合わせてレジスト６５にパターンを露光する（ｄ）。続いて、パターンを現像して除去し、当該パターンの形成されたレジスト６５をマスクに用いて第３層間絶縁膜４３をエッチングする。その後、レジスト６５を剥離する。 （もっと読む）

【課題】半導体層の上の領域を有効利用することができる、半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体基板１２０と、半導体基板１２０の上に設けられた絶縁層１３０と、絶縁層１３０の上に設けられたＳＯＩ層１４０とからなるＳＯＩ基板１１０を含む。半導体基板１２０において、不純物拡散層１２２が設けられている。不純物拡散層１２２は、ＳＯＩ層１４０の上に設けられた配線層１６２と電気的に接続されている。不純物拡散層１２２は、配線層または抵抗層として機能させることができる。 （もっと読む）

【課題】ベースコート層が除去されて露出したガラス基板２２の表面に対し、ドライバ部５０を確実に貼り合わせる。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ガラス基板２２からＴＥＯＳ層３２をエッチングして、ＳｉＮ層３１を部分的に露出させる第１エッチング工程と、第１エッチング工程とは別個独立に行われ、露出したＳｉＮ層３１をウェットエッチングして、ガラス基板２２を部分的に露出させる第２エッチング工程と、露出したガラス基板２２に対し、ドライバ部５０を貼り合わせる貼り合わせ工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】コンタクト部におけるＩＴＯの断切れの発生を抑制すること。
【解決手段】かさ上げ層７は、アレイ基板１とソース信号配線２との間に形成され、かさ上げ層７の周縁部の一部または全部の領域が、ソース信号配線２の端部からはみ出して形成される。かさ上げ層７がソース信号配線２の端部からはみ出したはみ出し部７ａは、表面が緩やかに傾斜している。かさ上げ層７をソース信号配線２とアレイ基板１との間に形成することによって、ソース信号配線２の側面の逆テーパ状の窪みを原因とした、保護膜３のステップカバレッジの悪化を抑制する。ステップカバレッジが良好な保護膜３の上にＩＴＯ４が形成されるため、ソース信号配線２の周縁部付近における、ＩＴＯ４の断切れの発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】また、従来のＣＡＤツールによる半導体装置の設計図を用いる場合、インクジェット装置で形成できるパターンが限られるため、半導体装置の回路の中には、そのまま転用することができない回路も生じる恐れがある。
【解決手段】インクジェット装置で吐出して描くことの可能な基本パターンを複数用意し、それらを組み合わせて所望の集積回路のレイアウトを行う。得られたレイアウトを基にして露光マスクを形成する。露光マスクを用いて露光を行った後、現像して液滴の径よりも幅の細い露光領域にレジスト膜を残存させる。そして、被処理表面の露呈部分に対して撥液処理を行った後、レジスト膜上に材料液滴を滴下する。液滴吐出法により選択的に吐出を行い、ドット径よりも幅の細い配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにリーク電流が発生するのを回避させた表示装置の提供。
【解決手段】基板上に、順次積層された、ゲート信号線、絶縁膜、半導体層、および導電体層を有し、
前記導電体層は、少なくとも、ドレイン信号線と接続される薄膜トランジスタのドレイン電極および画素電極と接続される前記薄膜トランジスタのソース電極を構成し、
前記半導体層は、平面的に観た場合、その側壁面が少なくとも前記ドレイン電極の端部において該端部の側壁面よりも内側に位置づけられたパターンを有して形成されている。 （もっと読む）

【課題】画素の積層構造の単純化を図りつつ、トランジスタのオン電流を増加させる。
【解決手段】電気光学装置は、半導体層１ａよりも上層側に配置され、チャネル領域１ａ’に重なると共に走査線１１ａに電気的に接続された第１ゲート電極３ａと、半導体層１ａよりも下層側に配置され、チャネル領域１ａ’に重なると共に走査線１１ａに電気的に接続された第２ゲート電極３ｂとを有するＴＦＴ３０と、第２ゲート電極３ｂと同層に配置されるデータ線６ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】平坦性の高い画素電極を形成することで高コントラストを得る、電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板６０上に剥離層６１を形成し、剥離層６１上に光反射性を有する電極形成層６２を形成する。そして、電極形成層６２上に絶縁層１５を設け、絶縁層１５上に電極形成層６２に導通する薄膜トランジスタ３０を設ける。その後、電極形成層６２及び薄膜トランジスタ３０を含む積層体４０から支持基板６０を剥離し、電極形成層６２を所定のパターン状に分割し、画素電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】構成要素による制限が少なく、自由度の高いトランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】第１の基板１１上に、少なくともゲート電極６８を含むトランジスタ４０の構成要素の一部を形成する工程と、第２の基板１２上に、少なくとも半導体層５２を含むトランジスタ４０の構成要素の一部を形成する工程と、半導体層５２の表面を酸化してゲート絶縁膜５４を形成する工程と、第１の基板１１と第２の基板１２とを、ゲート電極６８とゲート絶縁膜５４とが対面するように貼り合わせる工程と、第１の基板１１および第２の基板１２の少なくとも一方を、当該基板上に形成されるトランジスタ４０の構成要素から分離する工程と、を含むことを特徴とするトランジスタ４０の製造方法。 （もっと読む）

【課題】チャネル長の長いトランジスタの高速駆動を実現するとともに、チャネル長の短いトランジスタにおける特性の変動を抑制した半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明による半導体装置（１００）は、第１多結晶領域（Ｐ１）を有する第１半導体層（１１２）と、第１ゲート電極（１１４）とを含む第１トランジスタ（１１０）と、第２多結晶領域（Ｐ２）を有する第２半導体層（１２２）と、第２ゲート電極（１２４）とを含む第２トランジスタ（１２０）とを備える。第２チャネル領域（Ｃ２）のチャネル長は第１チャネル領域（Ｃ１）のチャネル長よりも短く、第２多結晶領域（Ｐ２）の平均結晶粒径は第１多結晶領域（Ｐ１）の平均結晶粒径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】 半導体膜を用いた薄膜トランジスタを備えた表示装置において、初期故障が少なく薄膜トランジスタの小型化による高精細な表示が可能な表示装置を得ることを目的とする。
【解決手段】 多結晶半導体膜４の上層にゲート絶縁膜５を介してゲート電極６が形成されている薄膜トランジスタにおいて、多結晶半導体膜４とゲート電極６とが交差する領域における多結晶半導体膜４のパターン端部断面のテーパー角θ２が、それ以外の領域のテーパー角度θ１よりも低く形成されている。 （もっと読む）

【課題】不純物導入工程として、Ｎ型およびＰ型のうちのいずれか一方の不純物を導入する工程のみを行なうだけで光センサを形成することのできる光検出装置、およびこの光検出装置を備えた電気光学装置を提供すること。
【解決手段】光検出装置３００のセンサ回路３１０において、主センサ３１０Ａおよび副センサ３１０Ｂは、真性領域１ｘの両側に高濃度Ｎ型の第１の不純物導入領域１ｙおよび第２の不純物導入領域１ｚが形成された半導体膜１ｗと、真性領域１ｘに対して絶縁層４ａを介して対向する透光性のバイアス印加用電極５ａとを備え、薄膜トランジスタと同一構造を有している。バイアス印加用電極５ａに薄膜トランジスタをオフとする方向の電圧を印加するとともに、第１の不純物導入領域１ｙと第２の不純物導入領域１ｚとの間に所定の電圧を印加すると、真性領域１ｘに光が入射した際、光電流が流れる。 （もっと読む）

【課題】活性層となる半導体薄膜の下層のゲート絶縁膜を厚膜化することなく、かつ工程手順を増加させることなく、当該ゲート絶縁膜中の膜中固定電荷および界面準位を低下させることが可能で、これにより信頼性の高いボトムゲート型ＴＦＴを得ることができる薄膜半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆う状態で前記基板上に酸窒化シリコン膜を用いたゲート絶縁膜を形成する。ゲート絶縁膜上に半導体薄膜を成膜した後、酸素を含む酸化性雰囲気中での熱処理により、ゲート絶縁膜を構成する前記酸窒化シリコン膜における酸素欠損部に酸素を結合させることで改質する。この熱処理は、加圧された水蒸気雰囲気で行われる。また、この熱処理においては、半導体薄膜の表面層に熱酸化膜を成長させる。 （もっと読む）

【課題】製造工程を複雑にせずに、半導体装置の電子部品と配線との電気的接続の安定性を向上させる。
【解決手段】薄膜チップ製造基板３０上に形成され、外部接続用電極部２２を備えた薄膜チップ２０を、薄膜チップ製造基板３０上から半導体装置１０の基板１１上に移す転写工程と、外部接続用電極部２２と基板１１上の電極とを電気的に接続する配線６０を形成する配線形成工程とを備え、基板１１上に移された薄膜チップ２０の外部接続用電極部２２と基板１１の間には空隙部７０が設けられ、配線６０は空隙部７０に形成される。 （もっと読む）

【課題】製造工程を複雑にせずに、半導体装置の電子部品と配線との電気的接続の安定性を向上させる。
【解決手段】薄膜チップ製造基板３０上に形成され、傾斜した側面を有する外部接続用電極部２２を備えた薄膜チップ２０を、傾斜した側面を露出させた状態で薄膜チップ製造基板３０上から半導体装置１０の基板１１上に移し、傾斜した側面を含む経路上に液体金属を塗布することにより、薄膜チップ２０の外部接続用電極部２２と基板１１上の電極とを電気的に接続する金属配線６０を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の動作特性を向上させ、かつ、低消費電力化を図る。特に、オフ電流値が低く、バラツキの抑えられたＴＦＴを得ることを課題とする。
【解決手段】シリコンの結晶化を助長する金属元素を用いて結晶化された第１のシリコン膜の金属元素をゲッタリングするために、希ガスを含み且つ非晶質構造を有する第２のシリコン膜を使用する。また、雰囲気を変えて２回レーザー照射を行う。２回目のレーザー照射は照射領域が不活性気体雰囲気となるようにして行うと第１のシリコン膜の平坦性が向上される。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて電極を信頼性よく形成できるようにした表示装置の製造方法の提供。
【解決手段】ゲート信号線、絶縁膜、半導体層、および導電体層の順次積層体を有する基板を用意し、
少なくとも薄膜トランジスタの形成領域において、そのドレイン電極およびソース電極であって、一方の電極が、平面的に観た場合、他方の電極の先端部を囲むようにして、一端側が開放され他端側に結合部を有するほぼＵ字状をなし、該結合部に前記他方の電極に対して反対側の辺に突出部が形成されたパターンからなるそれぞれの前記電極をフォトレジスト膜をマスクとして前記導電体層の選択エッチングによって形成する工程と、
前記フォトレジスト膜をそのままリフローさせて形成される変形フォトレジスト膜をマスクとして前記半導体層をエッチングする工程からなる。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示装置の画質むらを容易に低減する。
【解決手段】 複数本の走査信号線と、複数本の映像信号線と、マトリクス状に配置された複数個のＴＦＴおよび複数個の画素電極とを有する表示パネルを備える表示装置であって、ある１つのＴＦＴが配置された領域における前記走査信号線の幅と、前記ある１つのＴＦＴとは異なる別の１つのＴＦＴが配置された領域における前記走査信号線の幅とが異なるときに、前記ある１つのＴＦＴにおけるチャネル幅およびチャネル長と、前記別のＴＦＴにおけるチャネル幅およびチャネル長とが概ね等しく、前記ある１つのＴＦＴの前記ソース電極と前記走査信号線とが平面でみて重なる領域の面積と、前記別の１つのＴＦＴの前記ソース電極と前記走査信号線とが平面でみて重なる領域の面積とが概ね等しい表示装置。 （もっと読む）