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Fターム[5F110PP04]の内容

薄膜トランジスタ (412,022) | 再結晶化 (11,370) | 加熱手段 (6,349) | レーザ (4,317) | 波長が規定 (686)

Fターム[5F110PP04]に分類される特許

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【課題】本発明は、低コストで大量生産が可能である半導体装置及びその作製方法を提供する。また、非常に膜厚の薄い集積回路を用いた半導体装置、及びその作製方法を提供する。更には、低消費電力である半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】本発明は、絶縁表面上に半導体不揮発性記憶素子トランジスタを有し、メモリトランジスタのフローティングゲート電極が、複数の導電性粒子又は半導体粒子で形成されていることを特徴とする半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】 しかし、薄膜トランジスタを有する表示装置では、同一対象物、例えば同一絶縁膜のエッチング条件を最適化することが難しかった。これは、同一絶縁膜において、エッチングする絶縁膜の膜厚や面積が異なるためである。特に面積の小さなコンタクトホールは、エッチングする量がその他の開口部と異なる。
【解決手段】 上記課題を鑑み本発明は、第1のマスクを用いて、第1の領域の対象物をエッチングして広面積な開口部を形成し、第2のマスクを用いて、第2の領域の前記対象物をエッチングして微細な開口部、つまりコンタクトホールを形成することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 スーパーラテラル成長法において、より長くかつばらつきの少ない針状結晶を形成する半導体薄膜の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも二種類のレーザ光を前駆体半導体薄膜基板に照射し、前駆体半導体薄膜を溶融再結晶化させて多結晶半導体領域を有する半導体薄膜の製造方法であって、予め定める基準レーザ光を前駆体半導体薄膜基板に照射した部位の反射率の変化に応じて、前記少なくとも二種類のレーザ光の照射のタイミングまたはパワー密度を制御することを特徴とする半導体薄膜の製造方法。 (もっと読む)


被加工物の薄膜における配向又は結晶成長の変換を実行するためのガス放電レーザ結晶化装置であって、パルスドーズ制御に対してパルスを用いて光パワー及び高繰り返しレートでレーザ出力光パルスビームを生成するXeFレーザシステムを構成する主発信パワー増幅器MOPA又はパワー発信器パワー増幅器と、レーザ出力光パルスビームから伸長され
た細いパルス化作用ビームを発生させる光学系とを、有するガス放電レーザ結晶化装置について開示している。その装置において、レーザシステムはPOPAレーザシステムとして構成され、第1レーザPOユニットから第2レーザPAユニットに第1出力レーザ光パルスビームを方向付けるように動作されるリレー光学系と、第1レーザ出力光パルスビームの拡大として第2レーザ出力光パルスビームを発生するように、パルス又は−3nsec内で第1及び第2レーザユニットにおいてガス放電の発生のタイミングを合わせるタイミング及び制御モジュールとを更に有することが可能である。そのシステムは、発信器レーザユニットにおいて発散制御部を有することが可能である。発散性御部は不安定発振制御部を有することが可能である。そのシステムは、レーザと被加工物との中間にビームポインティング制御機構及びビーム位置制御機構を更に有することが可能である。ビームパラメータ計測法は、ビームポインティング制御機構に対するアクティブフィードバック制御部とビーム位置制御機構に対するアクティブフィードバック制御部とを与えることが可能である。
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【課題】 本発明では剥離技術を用いることにより様々な基板上に薄膜素子を形成し、従来の技術では不可能であると考えられていた部分に薄膜素子を形成することにより、省スペース化を図ると共に耐衝撃性やフレキシビリティに優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明では、剥離技術を用いて一旦基板から剥離させた膜厚50μm以下の素子形成層を基板上に固着することにより、様々な基板上に薄膜素子を形成することを特徴とする。例えば、可撓性基板上に固着された薄膜素子をパネルの裏面に貼り付けたり、直接パネルの裏面に固着したり、さらには、パネルに貼り付けられたFPC上に薄膜素子を固着することにより、省スペース化を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的は、基板上に高品質な半導体膜を形成するための半導体膜形成方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、バイアス触媒CVD,高密度バイアス触媒CVD,バイアス減圧CVD,バイアス常圧CVDを利用して、基板に半導体膜を形成する半導体膜形成方法である。真空容器1に原料ガスを供給し、真空容器1中に配置された基板10と電極3aとの間にグロー放電開始電圧以下の電界を印加して、基板10上に、少なくとも錫、ゲルマニウム、鉛のいずれか一つ以上を含有する半導体膜と、絶縁膜と、を形成することを含む工程と、この半導体膜および絶縁膜にレーザーを照射してアニールする工程と、このアニールする工程の後工程であって、水蒸気でアニールを行う工程と、を備える。 (もっと読む)


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