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Fターム[5F136BB16]の内容

半導体又は固体装置の冷却等 (35,223) | パッケージの放熱部材 (2,466) | 気密容器内の充填部材 (31)

Fターム[5F136BB16]に分類される特許

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【課題】優れた放熱性能を有し、製造コストの低いヒートシンク一体型の電力変換用パワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】組立ての完了した半導体装置の金属ベース板と、ヒートシンクとの間に、はんだ板と熱源となる反応性金属箔を挿入して加圧し、反応性金属箔に電流を通電して発火させてはんだ板を溶融させ、室温下で瞬時に金属ベース板とヒートシンクを接合する。 (もっと読む)


【課題】半導体チップからの発熱による光電変換部の機能障害を防止できる半導体モジュールを提供する。
【解決手段】光電変換領域118が形成された第1の半導体チップ101と、第1の半導体チップ101上における光電変換領域118が形成されていない領域に設けられ、第1の半導体チップ101と電気的に接続された第2の半導体チップ102と、第1の半導体チップ101,第2の半導体チップ102を収容するとともに、少なくとも光電変換領域118と対向する領域が透光性材料で形成されたパッケージ103と、第2の半導体チップ102とパッケージ103を熱的に連結する熱伝導部材109と、を備える。 (もっと読む)


【課題】半導体素子の発熱量が短時間で急激に増大した場合に、半導体素子が発した熱を潜熱蓄熱材が蓄熱する蓄熱応答性を向上することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体素子20の定常的な冷却を行うヒートシンク40を半導体素子20の下面20a側に配設するとともに、半導体素子20から受けた熱を固相から液相への変化に伴う潜熱として蓄熱可能な潜熱蓄熱材からなる蓄熱体50を、半導体素子20の上面20bに直接触れさせている。 (もっと読む)


【課題】封止層の熱膨張による熱応力に起因した封止層の亀裂発生を抑制し、信頼性の向上を可能とする半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ2と、上方に開口部4Aを有し半導体チップ2を内部に収容する収容ケース4と、開口部4Aを閉じる蓋材8と、収容ケース4の内部に充填されて半導体チップ2を埋設する封止層9と、を有し、蓋材8は、半導体チップ2と対向する面に、少なくとも半導体チップ2と平面的に重なり半導体チップ2側に突出した凸状部8Aが設けられていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】放熱効率の向上と接続端子の結合部の破損抑制とを図り、電気的な信頼性の向上を可能とする半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ2と、半導体チップ2を内部に収容する収容ケース4と、半導体チップ2の上面に一端が接続された接続端子6と、収容ケース4の内部に充填されて半導体チップ2及び接続端子6を埋設する封止層9と、封止層9の上部に、封止層9の材料よりも高い伝熱性を有する材料を用いて設けられ、接続端子6と熱的に接続された蓋材8と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高温動作が可能で信頼性の高い半導体装置を得ることを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体装置は、基板1と、基板1上に搭載され、200℃以上の熱を発生する半導体素子2と、半導体素子2を包囲する包囲部4と、包囲部4により流動を制御され、半導体素子2を封止し、耐熱性油により構成された液状の封止部6とを備える。 (もっと読む)


【課題】半導体素子から冷却液への放熱効率に優れ,かつ,冷却液の選択における制約の少ない半導体装置およびその製造方法,その半導体装置を利用する機器を提供すること。
【解決手段】使用時に発熱する半導体素子4と,半導体素子4の放熱のための冷却液を収容する冷却器2とを有する半導体装置1において,半導体素子4を,冷却器2の蓋部材23における内面側に取り付け,冷却器2の内部には,半導体素子4と冷却液20との接触を防ぐ防水コーティング層43を設けた。これにより,半導体素子4と冷却水20との間に防水コーティング層43のみが存在し,半導体素子4の放熱性が非常によい半導体装置1とした。それでいて,半導体素子4と冷却水20とが直に接触しないようにした。また,蓋部材23の外面上に回路基板3を貼り付けて,回路基板3の放熱性もよくした。 (もっと読む)


【課題】ワイドギャップ半導体素子を動作させる半導体装置の動作方法であって、積層欠陥の発生による素子破壊を招くことなく簡単に実現できるものを提供すること。
【解決手段】この発明の半導体装置の動作方法では、ワイドギャップ半導体素子の通電開始時に通電電流Iを或る電流上昇率でゼロから定格電流Inまで上昇させる。ワイドギャップ半導体素子内の積層欠陥の発生によるワイドギャップ半導体素子の破壊を防止するように、通電電流Iをゼロから定格電流Inまで上昇させるソフトスタート時間tsを0.5秒から10秒までの範囲内に設定する。 (もっと読む)


【目的】半導体チップの配線にリードフレームを用いた場合に、半導体チップの上下の半田層の熱疲労による熱抵抗の増大を防止し信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ケース9内部の銅ベース基板3上に半導体チップ5、この半導体チップ5上にリードフレーム7をそれぞれ半田層4,6で固着しこれらを二層の封止材層12,13で被覆する。そして半導体チップ5全体と配線であるリードフレーム7の一部と半導体チップ5周囲の銅ベース基板3を第1封止材層12で覆い、更にその外側を第2封止材層13で覆い、第1封止材層12の熱膨張係数を銅ベース基板3の熱膨張係数付近の1.5×10-5/℃〜1.8×10-5/℃とし、第1封止材層12の銅ベース基板3に対する接着強さを15MPa〜30MPaとすることで、半導体チップ5の上下の半田層4,6の熱疲労による熱抵抗の増大を防止し信頼性の高い半導体装置を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】冷却効率が高く低コストで実現可能な電子機器を得る。
【解決手段】プリント配線板3に実装された複数の発熱体4に沿うようにプリント配線板3上に形付けられた、熱硬化性でシリカ又はアルミナのフィラーを含む樹脂層2と、樹脂層2と複数の発熱体4を含みプリント配線板3全体を被うケース6を設け、ケース6と樹脂層2との間に冷媒5を流すことが可能な流路を備えている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、チップと金属製ディスクの接合、及び金属製ディスクと放熱用金属製ベースとの接合を同時にでき、組み立て工程の簡素化、コスト低減を図ることを目的とする。
【解決手段】放熱用の金属製ベース1と、該金属製ベース1上に第1の低融点半田材料層2を介して形成された金属製ディスク3と、該金属製ディスク3上に第2の低融点半田材料層4を介して形成されたチップ5と、第2の低融点半田材料層4上に搭載された,該低融点材料層に対応する部分が開口されたインサートケース6と、前記チップ5とボンディングワイヤ8を介して接続された外部リード7と、前記チップ5,ボンディングワイヤ8及び外部リード7の一部を樹脂封止する樹脂製外囲器9と、インサートケース6に冠着されたキャップ10を具備することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 (もっと読む)


【課題】出力電力量が時間に対して変動する半導体装置の場合、最大出力で運転して最大発熱の発生時を想定して冷却装置の仕様を決定する必要がある。冷却能力を低下させることを可能とする技術を提供する。
【解決手段】半導体装置20には溶融物質8が封止されている。その溶融物質は、下記の現象が得られるものが選択されている。溶融物質は、定格変動幅内の小出力範囲内に設定されている第1出力電力量を維持しているときには固体であり、定格変動幅内の大出力範囲内に設定されている第2出力電力量を維持していると溶融し、溶融物質の融点は半導体装置が正常に動作する最高温度以下に設定されている。溶融物質8は、発熱部(半導体チップ14)に対して基板18と反対側に配置されている。溶融物質8によって、半導体装置20のはんだ層16が溶融物質の融点以上に過熱されることを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】放熱性に優れ、簡略な組立工程で製造できる、半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】半導体集積回路装置は、半導体チップ11と、積層配線基板からなるパッケージ基板12と、積層配線基板からなる封止基板15とを備えている。そして、封止基板15に作りこまれた配線パターン16によって半導体チップ11とパッケージ基板12上の図示しない配線パターンとを接続するとともに、封止基板15の最も外側に、半導体チップ11とパッケージ基板上12の配線パターンとの接続を取り囲むように配線層を設けた構造を有している。 (もっと読む)


【課題】基板に実装された電子部品の信頼性をより向上させる
【解決手段】基板20上に実装された電子部品26a〜26cの樹脂封止は、カバー30内部に放熱グリスを注入し、電子部品26a〜26cのうちの一部の部品26b,26cをカバー30で覆うと共にカバー30の上面に樹脂が付着しないようシリコンシートを貼り付け、これをモールド型に配置し、樹脂を充填して硬化させてモールド型から取り出すと共にシリコンシートを剥がすことにより行なう。これにより、基板に実装された電子部品をカバーにより保護でき、電子部品の信頼性をより向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】電動パワーステアリング装置用のコントロールユニットにおける駆動基板からの発熱を効率的に放熱させる。
【解決手段】電動モータを駆動するための駆動基板(3)と、前記駆動基板を制御するための制御基板(2)と、内部に前記駆動基板および前記制御基板が収容されるケース体(1)と、を有し、前記ケース体は、前記駆動基板が配置される基底部と、前記基底部の外縁から立ち上がりその上端部または上端部近傍に前記制御基板が配置される周壁部と、カバー外周部が前記周壁部の上端部に被着されて前記制御基板をその上面から所定の間隔をおいて覆うカバーとを有し、前記駆動基板は、当該駆動基板下面に一つ若しくは複数の発熱部品(9)を備えており、前記ケース体の基底部には、前記駆動基板下面に備えられた発熱部品に対応する位置に一つ若しくは複数の凹み(10)が設けられており、前記凹みに前記発熱部品が熱伝導可能に収容されているコントロールユニット、を提供する。 (もっと読む)


【課題】絶縁性流動物質を介して効率的に素子の放熱を行うことが可能な素子冷却構造の提供。
【解決手段】本発明による素子冷却構造1は、熱を発する素子が第1面側に設けられ、水平面に対して傾斜をもって配置された基板10と、該基板の第1面に接触する空間に充填された絶縁性流動物質30と、前記素子の位置よりも上方に配置され、前記絶縁性流動物質を冷却する冷却手段22と、前記素子における前記絶縁性流動物質と接触する面に設けられ、下方から上方に向けて傾斜して延在する複数のフィン14とを備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】厚さ方向の寸法精度を向上させることができる半導体素子のモジュール構造を提供する。
【解決手段】モジュール構造は、互いに対向する上部電極1040および下部電極1030と、上部電極1040および下部電極1030間に配置されたインバータ820と、上部電極1040および下部電極1030間に介在して上部電極1040および下部電極1030間に隙間を形成する櫛歯状の第一セラミックススペーサ1010および第二セラミックススペーサ1020と、上部電極1040および下部電極1030間の隙間を充填して櫛歯に入り込む封止樹脂1050とを備える。 (もっと読む)


【課題】電子機器の設計および取り付け作業が極めて簡単で、発熱体の熱が外部に伝達し過ぎない放熱構造体を提供する。
【解決手段】本放熱構造体は、出力が2W以下の発熱体11と、発熱体11を固定する基板12と、熱拡散フィルム13と、熱拡散フィルム13を発熱体11に対向させて支持する支持体14とを備え、熱拡散フィルム13は、面方向の熱伝導率が500W・m-1・K-1以上で厚さ方向の熱伝導率が30W・m-1・K-1以下である厚さが100μm以下のグラファイトフィルム15を含み、発熱体11と熱拡散フィルム13とは、非接触であり、その距離が0.3mm以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高放熱性を実現しながら、モールド樹脂の流動による隣接ワイヤの相互接触を防止し、さらに、ワイヤの高さバラツキによるワイヤと放熱板の接触によるショートを防止することを目的とする。
【解決手段】放熱板10の半導体素子3と対向する面に絶縁樹脂9を設け、グラウンドだけでなく、電源や信号端子に接続するワイヤ8を絶縁樹脂9を介して放熱板10と熱的に接触させることにより、高い放熱性を実現することができる。この際、樹脂封止の前にワイヤ8を包含した状態で絶縁樹脂9を硬化させることにより、ワイヤ8を固定することができ、半導体素子3のパッド4のピッチが狭い場合であっても、モールド樹脂12の流動時に、隣接するワイヤ8が相互に接触してショートに到ることを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】放熱効率の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子と内部整合回路部品がパッケージのベースとパッケージキャップとによって封止される半導体装置において、半導体素子とパッケージキャップとに接する放熱部材を設ける。放熱部材は空気より熱伝導率の高い材質によって形成される。放熱部材の形状は問わず、略柱体又は略錐台であっても良い。また、放熱部材はパッケージ内の空間に充填されていても良い。パッケージキャップに放熱用フィンを設けることもできる。 (もっと読む)


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