集積回路（１０００）が、中央配置のドレイン拡散領域（１００８）及び分散型ＳＣＲ端子（１０１０）を備える１つのドレイン構造（１００６）と、分散型ドレイン拡散領域（１０１６）及びＳＣＲ端子（１０１８）を備える別のドレイン構造（１０１２）とを含むＳＣＲＭＯＳトランジスタを有する。中央配置のドレイン拡散領域とソース拡散領域との間のＭＯＳゲート（１０２２）がソース拡散領域へ短絡される。ＳＣＲＭＯＳトランジスタを有する集積回路を形成するためのプロセスも開示される。
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集積回路が、ドレイン領域（１０１０）及びＳＣＲ端子（１０１２）の周りに、低減された表面フィールド（ＲＥＳＵＲＦ）領域（１０２４）と共に形成されるＳＣＲＭＯＳトランジスタを含む。ＲＥＳＵＲＦ領域は、ドリフト領域（１０１４）と同じ導電型であり、ドリフト領域（１０１４）より一層重くドープされる。
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【課題】オフ動作時における耐圧を低下させることなくオン動作時における素子抵抗を低減する。
【解決手段】ｐ型半導体基板１の主表面上にはｎ^-層２が形成される。このｎ^-層２の表面にはｐ^-拡散領域５が形成される。このｐ^-拡散領域５の一方の端部に連なるようにｐ拡散領域６が形成される。ｐ^-拡散領域５内には、このｐ^-拡散領域５よりも高濃度のｐ型の不純物を含むｐ拡散領域２０が複数個形成される。ｐ^-拡散領域５と間隔をあけてｐ拡散領域３が形成される。このｐ拡散領域３とｐ^-拡散領域５の間に位置するｎ^-層２の表面上に酸化膜１０を介在してゲート電極９が形成される。ｐ拡散領域６の表面と接触してドレイン電極１２が形成される。また、ｐ拡散領域３と隣接してｎ拡散領域４が形成され、このｎ拡散領域４とｐ拡散領域３との双方の表面に接触してソース電極１１が形成される。 （もっと読む）

【課題】ある程度の膜厚をもつ絶縁膜を成膜する場合であっても、ＳｉＯ₂／ＳｉＣ界面
に残留するカーボンクラスターを効率的に除去または不活性化できる炭化珪素半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜を形成する工程において、Ｏ₂および／またはＨ₂Ｏを含有する酸化性ガスの雰囲気下で炭化珪素エピタキシャル膜が成膜された基板を熱処理することにより該基板の表面において熱酸化膜の膜厚を増加させた後、ＮＯ、Ｎ₂ＯまたはＮＯ₂を含有するガスの雰囲気下で該基板を熱処理してＳｉＯ₂／ＳｉＣ界面にあるカーボンクラスターを
除去等する工程を、複数回繰り返すようにした。 （もっと読む）

半導体本体（２２）を有した半導体装置であって、活性領域（７）及び活性領域を取り囲む終端構造（１６）を備える。終端構造は直列に接続され且つ活性領域から半導体本体の周辺端部（４２）に向かって延在する複数の横型トランジスタ装置（２ａ乃至２ｄ）と複数装置の内の一つのゲート電極に接続されたゼナーダイオード（８）を備え、活性領域と周辺端部との間の電圧差が複数装置とゼナーダイオードに渡って分配されるようにゼナーダイオードがゲート電極のゲート電圧を制御する。この終端構造はコンパクトな態様で高電圧に耐え、その要素は活性領域の要素と同一処理工程で形成しやすい。
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【課題】炭化珪素単結晶基板の表面から成長させた炭化珪素エピタキシャル膜の内部で通電時に電子と正孔が再結合するバイポーラ型半導体装置において、電流通電により拡大した積層欠陥面積を縮小し、増加した炭化珪素バイポーラ型半導体装置の順方向電圧を回復させる方法を提供する。
【解決手段】電流通電により積層欠陥面積が拡大し、順方向電圧が増加した炭化珪素バイポーラ型半導体装置を３５０℃以上の温度で加熱し、積層欠陥回復させる。 （もっと読む）

【課題】
Ｇｅ元素を用いることなく、プロセス信頼性や結晶品質が高く、応力管理が容易な、歪みＳｉを利用した高移動度チャネルを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】
Ｓｉ基板の表面に、３００ｎｍ以下の段差ｄがついた絶縁膜１２，１４を形成し、絶縁膜１４の窓あけ部から横方向に延びて該絶縁膜１４を覆うように、８００℃以上の高温でＳｉ単結晶のエピタキシャル成長を行う。次に、ＣＭＰ研磨により絶縁膜１２をストッパとしてエピタキシャル層２２を研磨し、段差ｄと同じ厚みに制御されたＳｉ層を有するＳＯＩ領域を得る。該ＳＯＩ領域では、Ｓｉと絶縁膜の熱膨張率差と、成膜温度及び室温との温度差により残留応力２６が発生し、Ｓｉに引っ張り応力がかかって格子歪みが発生する。前記ＳＯＩ領域にＭＯＳ構造を形成することで、高移動度チャネルを有する歪みＳｉ−ＭＯＳＦＥＴが得られる。 （もっと読む）