Fターム[5F140BA16]の内容
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Fターム[5F140BA16]の下位に属するFターム
Si基板上に化合物半導体成長 (318)
Fターム[5F140BA16]に分類される特許
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トレンチMOS構造
半導体装置はセル(18)に隣接するトレンチ(42)を有する。このセルは、ソース・コンタクト領域及びドレイン・コンタクト領域(26、28)と、それとは逆の導電型の中央本体(40)とを含む。この装置は双方向性であり、比較的低いオン抵抗で電流をいずれの方向にも制御する。好ましい実施形態は、ソース・ドリフト領域及びドレイン・ドリフト領域(30、32)と共に働いてRESURF効果を生み出す電位プレート(60)を含む。
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SiC半導体のイオン注入層及びその製造方法
【課題】 結晶の乱れ及び結晶表面の荒れを低減させたイオン注入層を提供する。
【解決手段】 本発明に係るSiC半導体1のイオン注入層2は、4H型SiCの{03−38}面から10°以内の角度αのオフ角を有する面方位の面に広がっている。
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