【課題】窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタで、高いドレイン電流が実現できるようにする。
【解決手段】ドレイン電極１０７とゲート領域１２１との間のドレイン領域１２３の距離は、ソース電極１０６とゲート領域１２１との間のソース領域１２２の距離より長く形成され、加えて、ゲート電極１０４は、ゲート領域１２１からソース電極１０６の側に延在する延在部１４１を備えて形成されている。ゲート電極１０４のソース電極１０６の側への延在部１４１により、ゲート電極１０４に対する電圧印加でソース領域１２２のチャネル層１０１における電子濃度が増加可能とされている。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールの一部が素子分離領域上に配置された構造の半導体装置において、短絡及び接合漏れ電流の増大を抑制する。
【解決手段】半導体装置５０は、半導体基板１０における活性領域１０ａを取り囲むように形成された溝１５ｂに素子分離絶縁膜１５ａが埋め込まれた素子分離領域１５と、活性領域１０ａに形成された不純物領域２６と、半導体基板１０上を覆う層間絶縁膜２８と、層間絶縁膜２８を貫通し、活性領域１０ａ上及び素子分離領域１５上に跨って形成されたコンタクトプラグ３４と、少なくともコンタクトプラグ３４下方において、不純物領域２６上に形成された金属シリサイド膜３３とを備える。素子分離領域１５は、コンタクトプラグ３４の下方において、素子分離絶縁膜１５と活性領域１０ａとの間に設けられた保護絶縁膜３５を更に有する。 （もっと読む）

【課題】間接遷移型の半導体を用いた場合でも、単一の電子の転送により単一の光子が生成できるようにする。
【解決手段】ｐ型領域１０２とｎ型領域１０３とに挾まれた領域の半導体層１０１に導入された第１不純物原子１０６および第２不純物原子１０７からなる不純物原子対を備える。ここで、不純物原子対は、ｐ型領域１０２とｎ型領域１０３とが対向して配置されている方向（第１方向）で、ｐ型領域１０２とｎ型領域１０３とに挾まれた領域（チャネル領域）に配置される。また、第１不純物原子１０６および第２不純物原子１０７は、上記チャネル領域のゲート電極１０５の側の界面より３０ｎｍの範囲に導入されている。 （もっと読む）

【課題】素子の特性や信頼性を向上させることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｈｆを含む高誘電率ゲート絶縁膜３上にゲート電極１３、１４を有する相補型電界効果型トランジスタにおいて、ゲート電極１３、１４の少なくともゲート絶縁膜３に接する部分は、Ｎｉ組成が４０％を超えない結晶化したＮｉシリサイドを主成分とし、ｐチャネル上のゲート電極１４に含まれるＮｉシリサイドとゲート絶縁膜３との界面にＢ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌの中の少なくともひとつの元素を含み、且つ、ｎチャネル上のゲート電極１３に含まれるＮｉシリサイドとゲート絶縁膜３との界面にＮ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉの中の少なくともひとつの元素を含む半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】チャネル拡散層における不純物濃度プロファイルを急峻で且つ浅接合化することによって短チャネル効果を抑制すると共に、十分な活性化濃度を有する低抵抗なチャネル拡散層によって高駆動力を維持する微細デバイスを実現できるようにする。
【解決手段】ＭＩＳ型トランジスタは、ＭＩＳ型の半導体基板１００の主面に形成されたゲート絶縁膜１０１と、該ゲート絶縁膜１０１の上に形成されたゲート電極１０２と、半導体基板１００におけるゲート電極１０２の下方に形成されたＰ型のチャネル拡散層１０３とを有している。チャネル拡散層１０３は不純物として炭素を含んでいる。 （もっと読む）

半導体素子は、少なくとも1つの金属-酸化物電界効果型トランジスタ(MOSFET)を有して良い。前記少なくとも1つのMOSFETは、主部、該主部に隣接するチャネル層、及び前記主部と前記チャネル層との間に設けられたドーパントを阻止する超格子を有して良い。前記ドーパントを阻止する超格子は、複数の層からなる複数の積層群を含んで良い。前記ドーパントを阻止する超格子の層が構成する各群は、基本半導体部分を画定する複数の積層された基本半導体分子層、及び隣接する基本半導体部分の結晶格子内部に束縛された少なくとも1層の非半導体分子層を有して良い。
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【課題】 従来のコンベンショナル型のドレイン構造を持つＮＭＯＳトランジスタを用いた静電保護回路では不可能であった動作電圧（トリガ−電圧）および保持電圧をが低く、かつ、自由に設定できる静電保護素子を容易に提供する。
【解決手段】 コンベンショナル型のドレイン構造を持つＮＭＯＳトランジスタのＮ型ソース・ドレイン拡散層の間に局所的にＰ型拡散層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン窒化膜のカーボンストッパーとしての機能を向上させることによって、良好なトランジスタ特性を確保し、製品歩留まりを向上させる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 カーボンストッパー２０となるシリコン窒化膜を７ｎｍ以下の膜厚に堆積し、ＮＨ₃雰囲気下で１０００℃の熱処理を行うことで、シリコン窒化膜２０の密度を３．３ｇ／ｃｍ³以上にする。７ｎｍ以下のシリコン窒化膜２０でも良好なカーボンストッパーとしての機能を果たすので、ＳＴＩ１２中のカーボン濃度を１０Ｅ１７atoms/cm³以下にし、安定したトランジスタ特性を得る。また、ゲート間隔を広げることにより、製品歩留りが向上する。 （もっと読む）

【課題】
基板上に作製されるゲルマニウムまたはＳｉＧｅチャネルを有する、ｐ−チャネルＭＩＳＦＥＴおよびｎ−チャネルＭＩＳＦＥＴの両方を提供する。
【解決手段】
傾斜ＳｉＧｅチャネルまたはＧｅチャネルを有する、シリコン基板（５０２）上の自己整列ＭＩＳＦＥＴトランジスタ（５００Ｈ）。チャネル（５２６）は、ガスクラスタイオンビーム（５２４）照射を用いて形成され、従来のシリコンチャネルＭＩＳＦＥＴより高いチャネル移動度を提供する。上記トランジスタの製造方法は、ガスクラスタイオンビーム処理ステップで強化され、ＳｉＧｅまたはＧｅチャネルを形成する置換ゲート工程に基づく。該チャネルは、補足ステップであるガスクラスタイオンビーム処理によって、あるいは、増移動度チャネルと同時にドープすることもできる。 （もっと読む）

【課題】 高い耐圧を有し且つ低いオン抵抗を有するノーマリオン型の半導体素子を提供する。
【解決手段】 ゲート電極９のドレイン層６側の端部と、チャネル領域７とドレイン層６との間の接合面との間は、距離ｘ（ｘ＞０）がとられている。チャネル領域７は、ゲート電極９の直下の部分がチャネルとして機能し、右側の領域がドレイン層６の拡張領域として機能する。 （もっと読む）

【課題】チャネル拡散層における不純物濃度プロファイルを急峻で且つ浅接合化することによって短チャネル効果を抑制すると共に、十分な活性化濃度を有する低抵抗なチャネル拡散層によって高駆動力を維持する微細デバイスを実現できるようにする。
【解決手段】 ＭＩＳ型トランジスタは、ＭＩＳ型の半導体基板１００の主面に形成されたゲート絶縁膜１０１と、該ゲート絶縁膜１０１の上に形成されたゲート電極１０２と、半導体基板１００におけるゲート電極１０２の下方に形成されたＰ型のチャネル拡散層１０３とを有している。チャネル拡散層１０３は不純物として炭素を含んでいる。 （もっと読む）