Fターム[5F140BE05]の内容
絶縁ゲート型電界効果トランジスタ (137,078) | ゲート絶縁膜の製造 (6,009) | ゲート絶縁膜を形成するための処理 (4,399)
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絶縁膜形成方法
半導体基板上に形成する絶縁膜を高性能化して、リーク電流の少ない電子デバイスを製造する方法を提供する。高誘電材料金属のみを半導体基板上に金属膜として形成し、その金属膜を250〜450℃に加熱し、その加熱した金属膜に、クリプトンガス(またはキセノンガス)を酸素ガスと混合させ、その混合ガスをプラズマ化したガスを加えることにより、金属膜を酸化して、半導体基板上に絶縁膜を形成するようにしたことを特徴とする。 (もっと読む)
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