【課題】ゲッタリングの効率を上げ、熱処理時間を短縮させた半導体装置の提供。
【解決手段】多結晶質半導体層におけるリッジに重金属等の不純物元素が偏析することが分かった。このリッジを積極的に利用し、ゲッタリングサイト１２２０,１２２１を形成することにより近接ゲッタリングを行う。さらにイオンドーピングを用いたゲッタリングサイトと併用することで、TFTのチャネル形成領域および、PN接合における空乏層領域から重金属等の不純物元素を取り除くことができ、ゲッタリング能力、ゲッタリング効率を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】 レーザ照射時の振動の発生を抑制し、一様なエネルギープロファイルを持つレーザビームを一方向に移動させることにより、信頼性のよい半導体装置を短時間で量産する。
【解決手段】 円柱状の回転体の表面に、回転体の曲率に沿って基板を回転体表面に吸着させ、回転体を回転させ、基板上に成膜された半導体膜を一度にレーザ照射する。また、回転体の回転軸方向に移動機構を設け、回転体が１回転したときに照射位置をずらすようにする。または回転体を回転させながら回転軸方向に移動させることも可能である。 （もっと読む）

【課題】 本発明では、工程、装置を複雑化することなく、要求される特性を有する薄膜トランジスタを作製することを目的とする。また、薄膜トランジスタの特性を精密に自由に制御することで、高い信頼性や優れた電気特性を有する半導体装置を低いコストで歩留まり良く製造することができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層で覆われている半導体層のソース領域側かドレイン領域側の一方に、低濃度不純物領域を作製する。低濃度不純物領域は、ゲート電極層をマスクとして、半導体層表面に対し、斜めにドーピングすることによって形成される。よって、薄膜トランジスタの微細な特性の制御を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】画素駆動回路を構成する薄膜トランジスタのキャリアの移動速度の増大と、１画素用駆動回路内の薄膜トランジスタの閾値電圧Ｖ_ｔｈのばらつきの抑制とを図る画素駆動回路を含む電子回路装置、画素表示装置及び前記電子回路の製造方法を提供すること。
【解決手段】絶縁基板上に設けられた非単結晶半導体膜と、この非単結晶半導体膜に設けられた複数個の結晶化半導体領域（５４）と、この各結晶化半導体領域内に少なくともチャネル領域（Ｃｈ１，ＣＨ２，Ｃｈ３，Ｃｈ４）が設けられた複数個の薄膜トランジスタとを具備し、少なくとも１個の薄膜トランジスタのソース領域および／又はドレイン領域（Ｓ１，Ｓ２，Ｄ３，Ｄ４）の一部は結晶化半導体領域（５４）からはみ出して配置されている。 （もっと読む）

【課題】 光学調整に困難を伴うことなく、３以上のレーザビームを照射面にて合成し、高出力で生産性を向上させることができるレーザを照射する技術の提供。
【解決手段】 その技術は、波長の互いに異なるレーザ発振器とダイクロイックミラー、又はそれに加えて偏光子を用いてレーザビームを合成し、高出力で生産性を向上させレーザを照射するものであり、例えばレーザ発振器から射出されたレーザ光１をダイクロイックミラー１を通過させ、レーザ光１とは波長の異なるレーザ発振器から射出されたレーザ光２をダイクロイックミラー１で反射させてレーザ光を合成し、合成されたレーザ光を照射レーザ光とし、照射レーザ光を照射面上に投影するものである。 （もっと読む）

【課題】 照射方向の往路と復路とで照射ビームのエネルギー強度を可変することにより、均一な結晶膜を作製することのできるレーザ照射装置を提供すること。
【解決手段】 レーザ発振器と、ビーム強度可変手段と、レーザ光を照射面に対して斜めに入射するように設定されたレーザ照射装置において、前記レーザ光を前記照射面に対し相対的に走査するとともに、走査する方向によりビーム強度を可変することであり、更に、レーザは、連続発振の固体レーザ、気体レーザ、金属レーザ、または発振周波数が１０ＭＨｚ以上のパルスレーザであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 装置を煩雑にせず、半導体膜の結晶ラテラル成長位置を制御することを課題とする。
【解決手段】 絶縁基板上に半導体膜を形成し、前記半導体膜の一部の上に絶縁膜でなる反射膜を形成し、前記反射膜をマスクとしてレーザー光を照射することにより、露出された前記半導体膜を結晶化することを特徴とする。また、上記発明の構成において、前記反射膜は、屈折率の高い絶縁膜と屈折率の低い絶縁膜とが交互に積層された構造であることを特徴とする。具体的には、酸化珪素膜と、前記酸化珪素膜上に接して形成された窒化珪素膜と、からなることを特徴とする。より好ましくは、酸化珪素膜と、窒化珪素膜と、を何層か積層して反射膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明では、工程、装置を複雑化することなく、要求される特性を有する薄膜トランジスタを作製することを目的とする。また、薄膜トランジスタの特性を精密に自由に制御することで、高い信頼性や優れた電気特性を有する半導体装置を低いコストで歩留まり良く製造することができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層で覆われている半導体層のソース領域側かドレイン領域側の一方に、低濃度不純物領域を作製する。低濃度不純物領域は、ゲート電極層をマスクとして、半導体層表面に対し、斜めにドーピングすることによって形成される。よって、薄膜トランジスタの微細な特性の制御を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 ランプアニールにより効果的に被処理膜を加熱処理するための方法を提供する。
【解決手段】 基板１０１の上面側からは紫外光ランプ１０４を用いて紫外光１０７が照射される。また、基板１０１の下面側からは赤外光ランプ１０８を用いて赤外光１１１が照射される。本発明では赤外光照射による振動励起効果に加えて紫外光照射による電子励起効果が付加されるため、被処理膜１０３の励起効率が大幅に高まり、効果的な加熱処理が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、大量生産上、多面取りが可能な大面積基板を用いて不純物元素を均一にドーピングする装置を備えた半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、イオン流の断面を線状もしくは長方形とし、かつ、イオン流に対し大面積基板を所定の傾斜角度θだけ傾斜させた状態に保ったまま、大面積基板をイオン流の長尺方向と垂直な方向に移動させることを特徴の一つとしている。本発明において、イオンビームの入射角は、傾斜角度θを変更することによって調節する。水平面に対し大面積基板を傾斜状態とすることで、イオン流の長尺方向の幅を基板の一辺の長さよりも短くすることができる。 （もっと読む）

【課題】 レンズアレイを用いて結晶化等を行う際に照射体において反射した戻り光による悪影響を回避した、レーザ発振器の安定性を高く保ち、かつ均一なレーザ処理をすることができるレーザ照射技術、並びにそれを用いる結晶化方法及び半導体装置の作製方法の提供。
【解決手段】 レーザ発振器から射出されたレーザ光をシリンドリカルレンズアレイ等のレンズアレイを通過させて複数に分割し、分割後のレーザ光を焦点を結ぶ位置でスリットの開口を通過させ、その後更に集光レンズを通過させて照射面上に照射する。
このようにして、スリットを用いることにより照射体で反射した戻り光をカットし、レーザの出力又は周波数の変動や、ロッドの破壊を防ぐものであり、その結果レーザ光の出力を安定化させ、これによって、安定して強度分布の均一なレーザ光を照射面において照射することができ、均一なアニールを行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低コストで大量生産が可能である半導体装置及びその作製方法を提供する。また、非常に膜厚の薄い集積回路を用いた半導体装置、及びその作製方法を提供する。更には、低消費電力である半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】本発明は、絶縁表面上に半導体不揮発性記憶素子トランジスタを有し、メモリトランジスタのフローティングゲート電極が、複数の導電性粒子又は半導体粒子で形成されていることを特徴とする半導体装置である。 （もっと読む）

半導体回路基板としての一次元半導体基板とその製造方法、および該一次元半導体基板を用いた素子、素子アレー、モジュール、ディスプレイ、太陽電池及び太陽電池モジュールとその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の一次元半導体基板１あるいは２は、幅又は厚さ、あるいは径に対して１０倍以上の長さを持つ線状の基材３に所望の薄膜４を１層以上形成している。薄膜４に半導体を適用ことで一次元半導体薄膜が形成される。本発明の一次元半導体基板１あるいは２は、光ファイバの製造技術である線引技術を応用して製造される。 （もっと読む）

後に絶縁層およびシリコン薄膜が形成される基板中のシリコン薄膜の焼鈍方法が開示される。本方法は、基板が処理中に変態しない温度範囲内でシリコン薄膜を加熱または予備加熱して、そこに内因性キャリヤを生成させることにより、抵抗をジュール加熱が可能な値に低下する工程；および予備加熱されたシリコン薄膜に電界を印加して、ジュール加熱をキャリヤの移動によって引き起こすことにより、結晶化を行い、結晶欠陥を排除し、結晶成長を確実にする工程を含む。本方法を用いると、予備加熱条件に従って、ａ−Ｓｉ薄膜、ａ−Ｓｉ／ポリ−Ｓｉ薄膜またはポリ−Ｓｉ薄膜にジュール加熱が選択的に引き起こされ、それによって良好な品質のポリ−Ｓｉ薄膜が、非常に短時間に、基板を損傷することなく作製される。 （もっと読む）