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Fターム[5F152CD12]の内容

再結晶化技術 (53,633) | 被結晶化層の下方の層 (4,095) | 材料(結晶化直前の状態) (3,330) | 絶縁体 (2,749)

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【課題】本発明はレーザービームの発生装置の負荷を減少させ、寿命を増加させることができるシリコン結晶化方法、それを用いたシリコン結晶化装置、それを用いた薄膜トランジスタ、それを用いた薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置を提供する。
【解決手段】300Hzより大きいパルス周波数を有する光が発生される。光は所定時間の間少なくとも一つのアモルファスシリコン薄膜に照射され初期ポリシリコン結晶を形成させる。光は所定方向に移送され初期ポリシリコン結晶を成長させる。減少された出力エネルギーを有するレーザービームがアモルファスシリコン薄膜上に照射されアモルファスシリコン薄膜をポリシリコン薄膜で結晶化させ、レーザービーム発生装置の負荷は減少され寿命は増加される。 (もっと読む)


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