【課題】ＣＷレーザを半導体膜上に相対的に走査させながら照射すると、走査方向に延びた長い結晶粒が形成される。このようにして形成された半導体膜は、走査方向において単結晶に近い特性のものとなる。しかしながら、ＣＷレーザの干渉性が高いため、均一なレーザ照射を行うのが難しい。
【解決手段】レーザと、前記レーザから射出されるレーザビームを照射面またはその近傍にて楕円または長方形状のビームに加工する手段と、前記レーザビームに対して前記照射面を相対的に移動させる手段と、前記照射面の移動方向の単位ベクトルと前記照射面に対する前記レーザビームの入射方向の単位ベクトルとの内積を一定とする手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】所望のレーザ光出力を容易に得られ、簡単な構成でレーザ光を容易に基板に照射できるレーザアニール方法を提供する。
【解決手段】レーザ発振器２から発振したレーザ光を光ファイバ３で伝送し、伝送したレーザ光を、光ファイバ３に接続した光導波路４によりガラス基板CBへと照射する。レーザ発振器２の個数を増減させることで、所望の出力のレーザ光を容易に得られるとともに、光ファイバ３と光導波路４との簡単な構成でレーザ光を容易にガラス基板CBに照射できる。
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【課題】 照射対象物を均一に結晶化させることができる投影マスク、レーザ加工方法およびレーザ加工装置を提供するとともに、照射対象物に形成したときの電気的特性を均一にすることができる薄膜トランジスタ素子を提供する。
【解決手段】 照射対象物である半導体膜３７を結晶化させるべき複数の方向に対し、前記第１軸線および第２軸線を含む平面内において、第１軸線と第２軸線との交点を中心として第２軸線から予め定める周方向一方に４５度傾斜した第１方向に延びる複数の第１光透過パターン２５ａと、前記平面内において前記４５度傾斜した第１方向に直交する第２方向に延びる複数の第２光透過パターン２５ｂとが形成される投影マスク２５に、光源２１から発せられるレーザ光３１を照射し、前記第１および第２光透過パターン２５ａ，２５ｂを透過したレーザ光を半導体膜３７に照射する。 （もっと読む）

【課題】ソース領域及びドレイン領域における不純物の活性化及びコンタクト抵抗の低減を効率良く行うことができる、生産性に優れた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に半導体膜を形成する工程、前記半導体膜を含む前記基板上にゲート絶縁膜を形成する工程、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程、前記ゲート電極をマスクとして前記ゲート絶縁膜をエッチングし、前記半導体膜を露出する工程、全面に金属層を形成する工程、前記ゲート電極をマスクとして前記半導体膜に不純物を注入する工程、及び前記不純物注入領域に熱処理を施し、前記半導体膜中の不純物を活性化するとともに、前記半導体膜と金属層との界面に金属シリサイド層を形成する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ハイブリッド配向基板のための改善されたアモルファス化／テンプレート再結晶化の方法。
【解決手段】 本発明は、低欠陥密度のハイブリッド配向基板を製作するための改善されたアモルファス化／テンプレート再結晶化（ＡＴＲ）の方法を提供する。ハイブリッド配向基板製作のためのＡＴＲ法は、一般的には、第１配向を有し、第２配向を有する第２Ｓｉ層又は基板に接合された、Ｓｉ層から開始する。第１Ｓｉ層の選択された領域がアモルファス化され、次に、テンプレートとして第２Ｓｉ層を用いて第２Ｓｉ層の配向に再結晶化される。本発明のプロセス・フローは、従来技術のＡＴＲ法によって解決されていない２つの主要な問題、即ち、トレンチによって接合されるアモルファス化Ｓｉ領域の縁部での「コーナー欠陥」の生成、及び、高温の再結晶化後の欠陥除去アニール中における、トレンチによって接合されていない非ＡＴＲ領域の望ましくない配向変化の問題を解決する。特に、本発明は、（ｉ）トレンチのない基板領域内で実行されるアモルファス化及び低温再結晶化のステップと、（ｉｉ）ＡＴＲ領域の縁部の欠陥領域を包含するトレンチ分離領域を形成するステップと、（ｉｉｉ）所定の位置にトレンチ分離領域を配置して実行される高温欠陥除去アニールのステップとを含むプロセス・フローを提供する。 （もっと読む）

【課題】電気的な特性を向上させた多結晶シリコン薄膜の製造方法及びこれを有する薄膜トランジスタの製造方法が開示されている。
【解決手段】多結晶シリコン薄膜の製造方法は、基板の第１端部に形成された非晶質シリコン薄膜の一部にレーザービームを照射して、非晶質シリコン薄膜の一部を完全液化する段階と、レーザービームによって完全液化した非晶質シリコン薄膜内でシリコングレインを成長させて結晶化する段階と、シリコングレインの大きさを増加させ、第１多結晶シリコン薄膜を形成するためにレーザービームを第１端部から第１端部と対向する基板の第２端部に所定間隔に移動させ、反復的に照射する段階を含む。このように、レーザービームを基板の第１端部から第２端部に所定間隔に移動させ、反復的に照射することによって、電気的な特性が向上された多結晶シリコン薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 ゲートリーク電流の低減。
【解決手段】 本発明による半導体の製造方法は、基板を設ける工程と、誘電体層を基板の上に形成する工程と、アモルファス半導体層を誘電体層の上に成長させる工程と、アモルファス半導体層に不純物をドープする工程と、そして高温処理工程をアモルファス層に施して前記アモルファス半導体から結晶化層を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 移動度を大きくすることが可能な薄膜トランジスタ素子、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板１と、基板１上に形成されており、かつチャネル領域２１とこれを挟むソース領域２２Ａおよびドレイン領域２２Ｂとを有するポリシリコン層２と、を備える薄膜トランジスタ素子Ａであって、基板１およびポリシリコン層２の間に介在する介在部３ａとポリシリコン層２から基板１の面内方向に延びる延出部３ｂとを有し、かつ基板１よりも熱伝導率が大きい絶縁層３をさらに備えている。 （もっと読む）

【課題】 高価で精密な露光装置及びエッチング装置を用いることなく、性能の高い半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】 絶縁膜上に形成されるスリットＳＴ内に半導体材料を塗布（充填）し、その後に熱処理を加えて非晶質半導体膜２６０を形成する（図３（ｃ）参照）。次に、非晶質半導体膜２６０にレーザ光を照射して熱処理を施すことで（図３（ｄ）参照）、非晶質半導体膜２６０のうちスリットＳＴを含む一定範囲の領域に略単結晶状態の半導体膜２６５ａを形成する（図３（ｅ）参照）。この略単結晶状態の半導体膜２６５ａを半導体装置の能動層（ソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域）に用いることで、オフ電流値が小さく移動度の大きな優良な半導体装置を形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体薄膜における結晶粒界の数を低減させるとともに、その方向を制御した半導体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 図３（１）に示すように１回目のビーム312をアモルファスシリコン311に照射すると、凹部先端を中心に、放射状に温度勾配が形成される。したがって、図３（２）に示すように、凹部先端には、ビーム幅方向だけではなく、ビーム長方向にも成長する結晶粒313が形成される。２回目のビーム以降は、凹部先端に形成された結晶粒313を種にして、繰り返し成長が行われる。この結果、従来の細線ビームの場合と比較して、幅広の帯状結晶粒が、凹部先端を起点として形成される。また、凹パターンの周囲をビーム走査方向と垂直方向の結晶粒径以下とすれば、連続的に帯状結晶粒を並べて形成することが可能である。 （もっと読む）

【課題】優良な多結晶薄膜半導体装置を比較的低温で製造する。
【解決手段】多結晶半導体膜形成後、希ガス元素イオンを半導体膜に注入する。その後溶融結晶化を行う。 （もっと読む）

【課題】 優れた特性の結晶性膜を得る。
【解決手段】 結晶化したい薄膜の作製時に、下地の絶縁膜に予め所望のパターンで膜の熱伝導率を変化させる不純物元素を導入しておく。この薄膜中で結晶化が起こる際に、この薄膜内で温度分布が形成される。エネルギービームを照射したときに下地の絶縁膜の熱伝導が高い領域から先に固化し始め、熱伝導が低い領域が最後に固化される。その結果、リッジ位置を積極的に制御することが可能となり、所望の領域に平滑な表面を有する結晶性薄膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 均一かつ長いラテラル成長距離を有する多結晶半導体薄膜を効率よく製造できる多結晶半導体薄膜の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】 ラテラル成長させた多結晶を有する多結晶半導体薄膜の製造方法であって、半導体薄膜を厚み方向全域にわたって溶融および結晶化させ得るエネルギー量を有する第１のレーザ光を該半導体薄膜の第１照射領域に照射する工程と、該半導体薄膜を溶融させないエネルギー量を有する第２のレーザ光を、該第１照射領域を包含する第２照射領域に照射する工程と、を含む工程を含む多結晶半導体薄膜の製造方法に関する。第１のレーザ光の光軸は半導体薄膜表面に対して垂直方向であり、かつ第２のレーザ光の光軸は半導体薄膜表面に対して斜め方向であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】均一な画質を有する薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ表示板は、基板と、基板上に形成され、ソース領域、ドレイン領域、及びチャンネル領域を有し、多結晶シリコンからなる複数の半導体と、半導体上に形成されているゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成され、チャンネル領域と重畳するゲート線と、ゲート絶縁膜上に形成され、ソース領域と接続されているデータ線と、ゲート絶縁膜上に形成され、ドレイン領域と接続されている画素電極とを備え、半導体の表面は複数の突起（Ｐ）を有し、半導体の長さ（Ｘ）が突起（Ｓ）間の距離の整数倍である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能な逆スタガ型ＴＦＴを有する表示装置の作製方法を提供する。また、スイッチング特性が高く、コントラストがすぐれた表示が可能な表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、耐熱性の高い材料でゲート電極を形成した後、非晶質半導体膜の結晶化を促進する触媒元素を有する層、非晶質半導体膜、及びドナー型元素又は希ガス元素を有する層を形成し加熱して、非晶質半導体膜を結晶化すると共に触媒元素を結晶性半導体膜から除いた後、該結晶性半導体膜の一部を用いて半導体領域を形成し、該半導体領域に電気的に接するソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート電極に接続するゲート配線を形成して、逆スタガ型ＴＦＴを形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、微細な形状を有する半導体領域の形成方法を提供する。バラツキの少ない半導体装置の作製方法を提供する。また、少ない原料でコスト削減が可能であり、且つ歩留まりが高い半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、半導体膜の一部にレーザ光を照射し、絶縁層を形成した後、該絶縁層をマスクとして半導体膜をエッチングして、所望の形状を有する半導体領域を形成した後、該半導体領域を用いる半導体装置を作製する。本発明では、公知のレジストを用いたフォトリソグラフィー工程を用いずとも、所定の場所に微細な形状を有する半導体領域を形成することが可能である。 （もっと読む）

【課題】 所望のボトムピーク強度を有する逆ピーク状の光強度分布を所望する位置に安定的に形成することができ、ひいては形状および大きさが均等な結晶粒を半導体膜に形成することのできる結晶化装置。
【解決手段】 位相変調領域を有する光変調素子（１）と、光変調素子を照明するための照明系（２）と、光変調素子により位相変調された光に基づいて所定の光強度分布を所定面に形成するための結像光学系（３）とを備えている。位相変調領域の基本パターンの寸法は、光変調素子上に換算した結像光学系の点像分布範囲の寸法以下である、位相変調領域は、所定面における光複素振幅分布のうちの位相分布が所定の線分に沿って「のこぎり刃状」の分布になるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】下地絶縁層上により大きな粒径を有する半導体結晶薄膜を形成し得る半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】非単結晶半導体薄膜の結晶化領域に、光学変調素子で光変調されて極小光強度線もしくは極小光強度点を有する光強度分布のレーザ光を照射して結晶化するレーザ照射工程と、結晶化された領域にフラッシュランプによる光照射して結晶化された領域を加熱する加熱工程とを包含する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】画素駆動回路を構成する薄膜トランジスタのキャリアの移動速度の増大と、１画素用駆動回路内の薄膜トランジスタの閾値電圧Ｖ_ｔｈのばらつきの抑制とを図る画素駆動回路を含む電子回路装置、画素表示装置及び前記電子回路の製造方法を提供すること。
【解決手段】絶縁基板上に設けられた非単結晶半導体膜と、この非単結晶半導体膜に設けられた複数個の結晶化半導体領域（５４）と、この各結晶化半導体領域内に少なくともチャネル領域（Ｃｈ１，ＣＨ２，Ｃｈ３，Ｃｈ４）が設けられた複数個の薄膜トランジスタとを具備し、少なくとも１個の薄膜トランジスタのソース領域および／又はドレイン領域（Ｓ１，Ｓ２，Ｄ３，Ｄ４）の一部は結晶化半導体領域（５４）からはみ出して配置されている。 （もっと読む）

【課題】半導体層のソース／ドレイン領域の全部または一部分とキャパシターの第１電極をＭＩＣ結晶化法で結晶化して、半導体層のチャネル領域全部をＭＩＬＣ結晶化法で結晶化された薄膜トランジスタ及びキャパシターの半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】その製造方法は、薄膜トランジスタの半導体層とキャパシターの第１電極を非晶質シリコンで形成した後、ＭＩＣおよびＭＩＬＣ結晶化法で結晶化して、薄膜トランジスタのゲート電極及びキャパシターの第２電極を同じ物質で形成することによって簡単な工程で薄膜トランジスタとキャパシターを同時に形成することができるだけでなく、各素子に適合な結晶化法で結晶化することによって、低い温度及び短い時間に結晶化を進行して基板が収縮したり曲がる現象が発生しないだけでなく、薄膜トランジスタの半導体層の特性とキャパシターの特性が優秀であるという効果がある。 （もっと読む）