【課題】本発明の目的は、半導体膜を大粒径の結晶化が可能な半導体装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、非単結晶半導体膜の結晶化領域に、光変調されて極小光強度線もしくは極小光強度点を有する光強度分布のレーザ光を前記非単結晶半導体膜上に設けられた第１の光吸収層を介して照射して前記結晶化領域を結晶化するレーザ照射工程、即ち結晶化工程（Ａ）と、少なくとも結晶化された前記結晶化領域の上に形成された第２の光吸収層にレーザ光もしくはフラッシュランプ光を照射することにより前記結晶化された領域を第２の光吸収層を介して再加熱する再結晶化工程、即ち加熱工程（Ｃ）とを有する。 （もっと読む）

【課題】結晶粒径を拡大し、薄膜トランジスタの電子移動度を高める画像表示システム及び低温ポリシリコンのレーザアニール方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る低温ポリシリコンのレーザアニール方法は、ｉ）第１金属層２２とシリコン膜層２３とが形成されたガラス基板２１に用いられ、波長が４００nm以上のレーザ光Ｌをシリコン膜層２３に照射し、シリコン膜層２３がレーザ光の一部成分を吸収して溶融され、且つレーザ光の他の成分がシリコン膜層２３を透過し第１金属層２２からシリコン膜層２３に反射され、シリコン膜層２３が反射されたレーザ光の他の成分を吸収し、溶融され再結晶化されるステップと、ｉｉ）レーザ光を照射した後、シリコン膜層２３を静置することにより、シリコン膜層２３の温度を室温まで下げるステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン膜を得るレーザアニール装置のレーザ光のエネルギーの最適エネルギーを求めることができるようにすることを目的とする。
【解決手段】アモルファスシリコン膜にレーザ光を照射してポリシリコン膜を得るレーザアニール装置のレーザ光のエネルギー決定方法において、このポリシリコン膜の表面からの暗視野経路の散乱光をカラーカメラ７を用いて撮像し、このカラーカメラ７よりのカラー映像信号より青色成分信号の信号強度特性ｂを得、この信号強度特性ｂの第１及び第２の極大値間の極小値に対応するエネルギーの近傍のエネルギーをこのレーザ光の最適エネルギーとするようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】半導体膜を形成する際において、エキシマレーザによるアニールによって半導体膜の結晶粒径を段差面上の部分とその他の部分とで揃えることである。
【解決手段】下地基板１０１上に局所的に金属膜１０２を形成し、金属膜１０２を覆って絶縁膜１３０を形成する。金属膜１０２のパターンエッジ上に絶縁膜１３０の順テーパ状の段差面１３９が形成される。絶縁膜１３０上にアモルファスシリコン膜１０５ａを形成し、エキシマレーザ光Ｌの照射によってアモルファスシリコン膜１０５ａをアニールしてポリシリコン膜を形成する。アモルファスシリコン膜１０５ａの形成の際、段差面１３９上の部分を他の部分の２０％以内の範囲で厚くする。または、絶縁膜１３０の形成の際、段差面１３９のテーパ角度を４０°以下にする。アニールによって段差面１３９上も含めて１６０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の結晶粒径が得られる。 （もっと読む）

【課題】高速で連続送りする位置決めステージの二次元の位置補正を行う。
【解決手段】位置決めステージ２は、基板を支持すると共にＸＹ方向に移動自在とするＸＹステージ３と、ＸＹステージ上の二次元位置を測定する位置測定部４とを備える。位置測定部４は、撮像位置の画像を取得する撮像部５と、撮像位置に照明光を照射する照明光源６と、撮像部５で取得した二次元の撮像位置画像を記憶する記憶部７と、撮像位置画像と基準位置画像とに基づいて二次元の位置校正データを演算する演算部８とを備える。二次元パターンが形成された基準基板の画像を撮像し、この撮像で得た二次元パターンから位置決めステージの位置ずれを求め、この位置ずれに基づいて位置決めステージの位置を二次元で校正し、レーザー光の照射位置の位置補正を行う。 （もっと読む）

【課題】多結晶を促進する触媒元素の極微量の添加を可能とする。
【解決手段】非晶質珪素膜の表面を酸化して酸化膜を形成する機能を有しており、第１ノズル１７および第３ノズル２０を備えた第１供液ノズルアーム１６、および第２ノズル１９を備えた第２供液ノズルアーム１８を有する第１スピナー１４と、スリットコート法により、酸化膜を介して非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を含有する溶液を塗布する機能を有するスリットコータノズル２３を備えたコータ２２、基板１１を大気中で回転させることにより、溶液の液膜を乾燥させて、触媒元素を酸化膜に析出させる機能を有する第２スピナー２４と、基板１１を第１スピナー１４、コータ２２および第２スピナー２４の各処理部に搬入し、各処理部から搬出するための搬送手段であるロボットアーム１２およびロボットアームレール２１とを備えている。 （もっと読む）

【課題】結晶化装置において、基板側のうねりに対して、レーザー光の結像位置の調整を高速で行う。
【解決手段】結晶化装置１は、レーザー光を照射する照明光学系２ｂと、レーザー光を所定の光強度分布の光線に変調する光変調素子２ｃと、光変調素子の変調光を基板上に結像させる結像光学系２ｄとを含む光学系２と、基板を支持する基板ステージ３とを備え、基板に設けられた薄膜を変調光により溶融して結晶化させる結晶化装置であり、結像光学系２ｄのＺ軸方向位置を調整する結像光学系駆動部８を備える。結像光学系駆動部８は、結像光学系２ｄのＺ軸方向位置を調整することによって、結像光学系２ｄが結像する変調光の結像位置を調整する。 （もっと読む）

【課題】結晶化装置において、サブミクロンの高い精度の位置決めを行、さらに、除振装置の振動を低減し、光学ベース部の剛性を高める。
【解決手段】基板ステージを支持する定盤を基板ステージの駆動に合わせてフィードフォワード制御することによって、除振装置の振動を低減する。また基板ステージを駆動した際の定盤の動きと同じ動きで光学ベース部を動かしたときの変位を求めることで光学ベース部を評価し、この評価に基づく光学ベース部の設計を繰り返すことで、光学ベース部の剛性を高める。結晶化装置１は、光学系を支持する光学ベース部４と、基板ステージ３及び光学ベース部４を支持し固定する定盤５と、この定盤５を支持する除振装置６とを備え、基板ステージ３の動作時においてこの基板ステージの動作に基づいて除振装置６をフィードフォワード制御することによって、除振装置６による振動低減を向上させる。 （もっと読む）

【課題】結晶化装置において、基板高さのばらつきに対して、レーザー光の結像位置の調整を高速で行う。
【解決手段】結晶化装置１は、レーザー光を照射する照明光学系２ｂと、レーザー光を所定の光強度分布の光線に変調する光変調素子２ｃと、光変調素子の変調光を基板上に結像させる結像光学系２ｄとを含む光学系２と、基板２０を支持する基板ステージ３とを備え、基板に設けられた薄膜を変調光により溶融して結晶化する。結晶化装置１は、基板２０のＺ軸方向の高さを検出する基板高さ検出部４を備える。基板ステージの高さ制御に用いる基板高さデータを予め求めておき、この基板高さデータを用いて基板ステージの高さ制御を行うことによって、基板高さのばらつきに対して、レーザー光の結像位置の調整を高速で行う。 （もっと読む）

【課題】膜の均一性を向上させるとともに、所望の膜厚を確保することができるシリコン膜の形成方法を提供する。
【解決手段】基板１の上方に空隙型の受容層２を形成し、受容層２上に、光重合性を有する液体状のシラン化合物に、紫外線を照射することにより光重合してなる高次シラン化合物を含有する溶液を塗布し、塗布膜３を形成した後、加熱し、シリコン膜（３ａ、３ｂ）を形成する。かかる方法によれば、上記溶液（高次シラン組成物）中の溶媒等が受容層２中に吸収され、受容層２上に高次シラン化合物を均一性良く残存させることができ、また、受容層２上の高次シラン化合物量を容易に調整することができる。 （もっと読む）

【課題】配線に使われる多結晶シリコン層を形成する際に、アモルファスシリコン層が相変化して基板が変形する。この変形を、相変化時の機械的ストレスの発生を回避することにより軽減する方法を提供する。
【解決手段】基板１上のキャパシタ電極、ゲート電極などの導電層２の上に中間層としてアモルファス状の抗ストレス層３を設け、その上にアモルファスシリコン層４を形成する。この後、シリコン層の結晶化温度に加熱し、アモルファスシリコン層を相変化させ多結晶シリコン層にする。抗ストレス層の存在により結晶化時の機械的ストレスの発生が回避される。抗ストレス層は、別の加熱により相変化させ低抵抗化し、導電層と多結晶シリコン層は電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】リーク電流を低減することができるとともに、絶縁耐圧を向上させることができる半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に下地絶縁膜、半導体層、絶縁膜及び導電層がこの順に積層された構造を有する半導体素子であって、上記半導体素子は、上記下地絶縁膜が半導体層と接する領域に台状部を有し、上記下地絶縁膜の台状部の上面と半導体層の下面とが合わせられた状態で構成されたものである半導体素子である。 （もっと読む）

【課題】高速で、かつ高精密に位置決めした基板に所定の光強度分布を有するレーザー光を照射して、半導体膜を溶融・結晶化させて大結晶粒径を有する半導体膜を形成することが可能な高スループットのレーザー結晶化装置及び結晶化方法を提供することである。
【解決手段】上記の課題を解決したレーザー結晶化装置は、レーザー光を発生するレーザー光源と、前記レーザー光を変調して所定の光強度分布を与える位相シフタとを具備し、前記位相シフタにより変調された前記レーザー光を基板に設けられた薄膜に照射して、この薄膜を溶融して結晶化するレーザー結晶化装置であって、前記基板上に設けられたマークと、前記基板を保持し、所定方向に移動する基板保持ステージと、前記基板保持ステージの移動中に前記マークが所定の位置を通過する時間を計測するマーク計測手段と、前記マーク計測手段による計測時間に基づいて前記レーザー光の照射を指示するトリガ信号を発生する信号発生手段とを具備する。 （もっと読む）

【課題】高速で、かつ高精密に位置決めした基板に予め定められた光強度分布を有するレーザー光を照射して、半導体膜を溶融・結晶化させて大結晶粒径を有する半導体膜を形成することが可能な高スループットのレーザー結晶化装置及び結晶化方法を提供する。
【解決手段】レーザー結晶化装置５００は、レーザー光発生指示信号の入力に基づいてパルス・レーザー光を発生するレーザー光源と、位相シフタ２４とを具備し、被処理基板３０を保持し、レーザー光源によるパルス・レーザー光照射位置に対して所定方向に連続移動する基板保持ステージ４０と、基板保持ステージ４０の位置を計測する位置計測手段５０と、位置計測手段５０により計測された位置に基づいて前記パルス・レーザー光の発生を指示する信号発生手段６０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】チップ面積の増大を抑制しつつ、アナログ回路とデジタル回路とを同一基板上に混載する。
【解決手段】半導体基板１１上にアナログ回路を形成した後、凹部３２が形成された絶縁膜３１をアナログ回路上に形成し、凹部３２内が埋め込まれるようにして非晶質半導体層３３を絶縁膜３１上に形成し、非晶質半導体層３３にレーザを照射することにより、非晶質半導体層３３の溶融結晶化を行い、凹部３２の周囲に略単結晶半導体粒３４を形成し、略単結晶半導体粒３４にデジタル回路を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＰチャンネルトランジスタとＮチャンネルトランジスタとを異なる半導体層上に混載することにより、伝播遅延の増大を抑制しつつ、全体のプロセス長さを大幅に短縮する。
【解決手段】半導体基板１１上にＮチャンネルトランジスタ（Ｐチャンネルトランジスタ）を形成した後、凹部３２が形成された絶縁膜３１をＮチャンネルトランジスタ（Ｐチャンネルトランジスタ）上に形成し、凹部３２内が埋め込まれるようにして非晶質半導体層３３を絶縁膜３１上に形成し、非晶質半導体層３３にレーザを照射することにより、非晶質半導体層３３の溶融結晶化を行い、凹部３２の周囲に略単結晶半導体粒３４を形成し、略単結晶半導体粒３４にＰチャンネルトランジスタ（Ｎチャンネルトランジスタ）を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡素かつ安全な工程で、水素が注入された結晶質半導体粒子を製造することができる結晶質半導体粒子の製造方法、および該製造方法により製造された結晶質半導体粒子が使用され、高い光電変換効率を有する光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】結晶質シリコン粒子３の材料であるシリコン融液１１を粒状に排出して、落下させるとともに、該落下中にシリコン融液１１を冷却させて凝固させることにより結晶質シリコン粒子３を製造する。この際、シリコン融液１１を、水素化合物を含有する雰囲気中で落下させるとともに、該落下中にシリコン融液１１を冷却させて凝固させる。従って、簡素かつ安全な工程で、結晶中のダングリングボンドに水素が結合され、結晶欠陥が不活性化された結晶質シリコン粒子３を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】基板上にラテラル成長で帯状結晶シリコン膜を形成する際に当該帯状結晶の形成を阻害する凝集を阻止する。
【解決手段】シリコン膜を形成する基板ＳＵＢ１に塗布型下地膜ＳＰＬを設けることで当該基板の凹部欠陥ＤＦを埋めて表面状態を改善し、この下地膜ＳＰＬ上にプレカーサ膜としてポリシリコン膜ＰＳＩを成膜する。ポリシリコン膜ＰＳＩに連続発振レーザ光ＬＬを照射しながら矢印Ｓ方向に走査してアニールを施し、帯状結晶の走査方向成長における当該基板面の状態に起因する凝集の発生を阻止する。 （もっと読む）

【課題】 光学系の焦点深度が広く、マスクのレーザ強度耐性が高くかつレーザ利用効率が高い半導体薄膜の製造装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上の半導体薄膜に対してレーザ光を照射することにより半導体薄膜を結晶化する半導体薄膜の製造装置であって、レーザ光のエネルギー密度分布において、最小強度１１が結晶化強度Ec以上完全溶融強度Eu以下であり、高強度領域12が完全溶融強度Eu以上であり、かつ100(mJ/cm²)/μm以上の強度勾配10を含むプロファイル条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）