【課題】同一基板上に、異なる閾値を有する複数の薄膜トランジスタを形成する場合において、製造コスト及びＴＡＴの増大を防止する。
【解決手段】基板上に第１の絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、第１の絶縁層上に複数の微細孔を形成する微細孔形成工程と、第１の絶縁層上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、熱処理を行うことで、微細孔を起点とする結晶粒を成長させて結晶粒界を形成する熱処理工程と、半導体層にソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域を形成するトラジスタ領域形成工程と、ゲート電極パターン、ソース電極パターン及びドレイン電極パターンを形成することにより薄膜トランジスタを形成する薄膜トランジスタ形成工程とを有し、微細孔形成工程では、所定の薄膜トランジスタのチャネル領域内において、１つ以上の結晶粒界が、電流方向に対して略直交するように形成されるように微細孔を配置する。 （もっと読む）

【課題】デザインルールに制限されることなく、薄膜トランジスタのリーク電流を低減する。
【解決手段】基板上に第１の絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、第１の絶縁層上に複数の微細孔を形成する微細孔形成工程と、第１の絶縁層上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、熱処理を行うことで、微細孔を起点とする結晶粒を成長させて結晶粒界を形成する熱処理工程と、半導体層にソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域を形成するトラジスタ領域形成工程と、ゲート電極パターン、ソース電極パターン及びドレイン電極パターンを形成することにより薄膜トランジスタを形成する薄膜トランジスタ形成工程とを有し、微細孔形成工程では、所定の薄膜トランジスタのチャネル領域内において、２つ以上の結晶粒界が、電流方向に対して略直交するように形成されるように微細孔を配置する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光源としてマルチ横モード半導体レーザを用いたレーザ照射装置において、マルチ横モードレーザ光の干渉性を低減し、被照射体に照射されるレーザ光の強度分布を均一化する。
【解決手段】レーザ照射装置１は、マルチ横モード半導体レーザからなるレーザ光源１０と、レーザ光源１０から出射されるマルチ横モードレーザ光の遠視野像ＦＦＰを形成する遠視野像形成光学系２０と、遠視野像形成光学系２０から出射されるレーザ光を集光して、被照射体Ｘ上に照射する集光光学系３０とを備え、レーザ光源１０と被照射体Ｘとの間の光路に、レーザ光源１０から出射される個々の次数の高次横モード光に含まれる、光軸Ａに対して略対称方向に伝播する２つの波面成分Ｗ１とＷ２との干渉性を低減する干渉性低減手段５１が設けられたものである。 （もっと読む）

【課題】発振波長の異なる複数のレーザ発振器を用いて一部を重複させて照射領域を形成し、更にその照射領域の一部に重ねるよう次の照射を行う半導体薄膜の結晶化工程において、照射時の被処理物の温度が照射を重ねるごとに上昇することを防止する。
【解決手段】第１レーザ光の照射強度を、第１及び第２レーザ光によってできる照射領域の移動方向に関しマスクの相対的移動方向において、上流側よりも下流側で第１レーザ光の強度が強くなるよう照射分布を設ける大きくなるよう相対的移動方向において不均一な分布に設定する。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板上に形成された半導体薄膜をレーザ照射により結晶化する方法において、結晶化後に、半導体膜上に形成されたキャップ絶縁膜を好適に取除く方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に逐次下地絶縁膜、半導体膜、そしてキャップ絶縁膜を含む膜構造を形成し、所定の光強度分布を有するレーザ光を該膜構造に照射することにより、半導体膜を結晶化し、薄膜トランジスタにおけるチャネル形成領域上のキャップ絶縁膜を残すように、チャネル形成領域周囲のキャップ絶縁膜をエッチングして除去し、エッチングした基板全面に金属膜を堆積し、熱処理を施してキャップ絶縁膜が除去された領域の半導体膜と金属膜を反応させて金属シリサイド層を形成し、キャップ絶縁膜上の未反応の前記金属膜を除去し、そしてチャネル形成領域上のキャップ絶縁膜を除去する工程を含む、薄膜トランジスタを形成する方法。 （もっと読む）

【課題】高速で連続送りする位置決めステージの二次元の位置補正を行う。
【解決手段】位置決めステージ２は、基板を支持すると共にＸＹ方向に移動自在とするＸＹステージ３と、ＸＹステージ上の二次元位置を測定する位置測定部４とを備える。位置測定部４は、撮像位置の画像を取得する撮像部５と、撮像位置に照明光を照射する照明光源６と、撮像部５で取得した二次元の撮像位置画像を記憶する記憶部７と、撮像位置画像と基準位置画像とに基づいて二次元の位置校正データを演算する演算部８とを備える。二次元パターンが形成された基準基板の画像を撮像し、この撮像で得た二次元パターンから位置決めステージの位置ずれを求め、この位置ずれに基づいて位置決めステージの位置を二次元で校正し、レーザー光の照射位置の位置補正を行う。 （もっと読む）

【課題】結晶化装置において、サブミクロンの高い精度の位置決めを行、さらに、除振装置の振動を低減し、光学ベース部の剛性を高める。
【解決手段】基板ステージを支持する定盤を基板ステージの駆動に合わせてフィードフォワード制御することによって、除振装置の振動を低減する。また基板ステージを駆動した際の定盤の動きと同じ動きで光学ベース部を動かしたときの変位を求めることで光学ベース部を評価し、この評価に基づく光学ベース部の設計を繰り返すことで、光学ベース部の剛性を高める。結晶化装置１は、光学系を支持する光学ベース部４と、基板ステージ３及び光学ベース部４を支持し固定する定盤５と、この定盤５を支持する除振装置６とを備え、基板ステージ３の動作時においてこの基板ステージの動作に基づいて除振装置６をフィードフォワード制御することによって、除振装置６による振動低減を向上させる。 （もっと読む）

【課題】結晶化装置において、基板側のうねりに対して、レーザー光の結像位置の調整を高速で行う。
【解決手段】結晶化装置１は、レーザー光を照射する照明光学系２ｂと、レーザー光を所定の光強度分布の光線に変調する光変調素子２ｃと、光変調素子の変調光を基板上に結像させる結像光学系２ｄとを含む光学系２と、基板を支持する基板ステージ３とを備え、基板に設けられた薄膜を変調光により溶融して結晶化させる結晶化装置であり、結像光学系２ｄのＺ軸方向位置を調整する結像光学系駆動部８を備える。結像光学系駆動部８は、結像光学系２ｄのＺ軸方向位置を調整することによって、結像光学系２ｄが結像する変調光の結像位置を調整する。 （もっと読む）

【課題】複雑な工程を経ることなく、非単結晶半導体膜の所定領域を選択的に高結晶化する技術を提供する。
【解決手段】非単結晶半導体膜２０の所定領域Ａ４より離れた第１領域Ａ１に対して、溶融帯幅を略同一幅に維持してレーザアニールを実施する工程（Ａ）と、非単結晶半導体膜２０の第１領域Ａ１の所定領域Ａ４側に隣接する第２領域Ａ２に対して、溶融帯幅が、工程（Ａ）の溶融帯幅より段階的又は連続的に幅狭になるよう、レーザアニールを実施する工程（Ｂ）と、非単結晶半導体膜２０の第２領域Ａ２と所定領域Ａ４との間に位置する第３領域Ａ３に対して、溶融帯幅が、工程（Ｂ）終了時の溶融帯幅より段階的又は連続的に幅広になるよう、レーザアニールを実施する工程（Ｃ）と、非単結晶半導体膜２０の所定領域Ａ４に対して、溶融帯幅を、工程（Ｃ）終了時の溶融帯幅と略同一幅に維持して、レーザアニールを実施する工程（Ｄ）とを順次実施する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の照射による損傷を抑制して効率的に半導体薄膜を製造することができる半導体薄膜の製造方法および半導体薄膜の製造装置を提供する。
【解決手段】少なくとも二種類のレーザ光を照射して前駆体半導体薄膜基板に含まれる固体状態の前駆体半導体薄膜を溶融した後に再結晶化させることによって半導体薄膜を製造する方法であって、前駆体半導体薄膜基板に照射される基準レーザ光の照射部位の反射率を検知する工程と、少なくとも一種類のレーザ光の照射時間を制御する工程と、を含むことを特徴とする半導体薄膜の製造方法と半導体薄膜の製造装置である。 （もっと読む）

【課題】複雑な工程を経ることなく、非単結晶半導体膜の所定領域を選択的に高結晶化する。
【解決手段】非単結晶半導体膜２０の所定領域Ａ３より離れた第１領域Ａ１に対して、溶融帯幅を略同一幅に維持してレーザアニールを実施する工程（Ａ）と、第１領域Ａ１の工程（Ａ）終了時の溶融部分の少なくとも一部を凝固させ、さらに、該凝固部分の少なくとも一部を、溶融帯幅が工程（Ａ）の溶融帯幅より幅狭となる条件で再溶融させる工程（Ｂ）と、第１領域Ａ１と所定領域Ａ３との間に位置する第２領域Ａ２に対して、溶融帯幅が、工程（Ｂ）終了時の溶融帯幅より段階的又は連続的に幅広になる条件で、レーザアニールを実施する工程（Ｃ）と、所定領域Ａ３に対して、溶融帯幅を、工程（Ｃ）終了時の溶融帯幅と略同一幅に維持して、レーザアニールを実施する工程（Ｄ）とを順次実施する。 （もっと読む）

【課題】結晶化装置において、基板高さのばらつきに対して、レーザー光の結像位置の調整を高速で行う。
【解決手段】結晶化装置１は、レーザー光を照射する照明光学系２ｂと、レーザー光を所定の光強度分布の光線に変調する光変調素子２ｃと、光変調素子の変調光を基板上に結像させる結像光学系２ｄとを含む光学系２と、基板２０を支持する基板ステージ３とを備え、基板に設けられた薄膜を変調光により溶融して結晶化する。結晶化装置１は、基板２０のＺ軸方向の高さを検出する基板高さ検出部４を備える。基板ステージの高さ制御に用いる基板高さデータを予め求めておき、この基板高さデータを用いて基板ステージの高さ制御を行うことによって、基板高さのばらつきに対して、レーザー光の結像位置の調整を高速で行う。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの３次元形成において、特性バラツキの小さな高性能薄膜トランジスタを得ることを可能とする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体膜の結晶化の際の起点部となる、単結晶又は略単結晶である底部を有する凹部を基板の表面に形成し、前記凹部が形成された前記基板上に半導体膜を形成し、前記半導体膜に熱処理を行って前記起点部を略中心とする略単結晶粒を形成し、前記半導体膜をパターニングし、ソース／ドレイン領域及びチャネル形成領域となるべきトランジスタ領域を形成し、前記トランジスタ領域上にゲート絶縁膜及びゲート電極を形成して薄膜トランジスタを形成し、前記トランジスタ領域を形成する際に、少なくとも前記チャネル形成領域が前記半導体膜の前記略単結晶粒内で、かつ前記基板の結晶方位における＜１１１＞の方向を含まない領域となるように選定する。 （もっと読む）

【課題】基板全体に渡って高性能な薄膜トランジスタを安定的に得ることを可能とする半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、基板(11)の一方面側に凹部(125)を形成する第１工程と、上記基板の一方面側に第一半導体膜(130)を形成する第２工程と、上記第一半導体膜側から上記基板の一方面に向けて平坦化処理を行う第３工程と、上記基板の一方面側に第二半導体膜(130b)を形成する第４工程と、上記第二半導体膜に熱処理を行い、上記凹部を略中心とする略単結晶粒(131)を形成する第５工程と、上記第二半導体膜を用いて半導体素子を形成する第６工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】凹部を用いた結晶成長をより安定に実現し、高性能な半導体素子を安定して得ることを可能とすること。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置の製造方法は、基板(11)の一方面側に凹部(125)を形成する第１工程と、上記基板の一方面側に膜厚Ｔの半導体膜(130)を形成する第２工程と、上記半導体膜に熱処理を行い、上記凹部を略中心とする略単結晶粒を形成する第３工程と、上記半導体膜を用いて半導体素子を形成する第４工程と、を含み、上記第２工程では、上記凹部の直径Ｄと深さＦがＦ＋Ｔ≧４×Ｄ＋５３２（ｎｍ）の関係を満たすように上記凹部が形成される。 （もっと読む）

【課題】 光学系の光路長を短縮したり、照射面におけるレーザ光の長さを長くすると、前記レーザ光の両端がぼける場合がある。
【解決手段】
光学系の光路長を短くしたり、照射面におけるレーザ光の長さを長くすると、レーザ光のレンズに対する入射角度や入射位置によって集光位置が異なってしまう現象（像面湾曲）が生じる。そこで、本発明は、凹レンズや凹シリンドリカルレンズなど負のパワーを有する光学素子を挿入して、レーザ光の光路長を制御し、集光位置を照射面に一致させて、前記照射面上に像を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高いｏｎ、ｏｆｆ比で、低抵抗ｎ型（またはｐ型）半導体層のＴＦＴを備えた高精細かつなめらかな動画表示を可能とした画像表示装置を得る
【解決手段】ポリシリコンのレーザアニール結晶化において、前駆半導体膜であるアモルファスシリコンに窒素（Ｎ）をイオン注入する工程と、レーザ結晶化の工程、ｎ型（またはｐ型）ドーパントのイオン注入、ドーパント活性化のためのアニール工程をこの順で行うことによって低抵抗ｎ型（またはｐ型）半導体層を作製する。ＴＦＴの作製においては，この低抵抗半導体層をソース，ドレインに用いる。またＣ、Ｎ、Ｏ不純物はＴＦＴの移動度を低下させるため、ポリシリコン中の汚染濃度がＣ濃度≦３×１０¹⁹ｃｍ^-3、Ｎ濃度≦５×１０¹⁷ｃｍ^-3、Ｏ濃度≦３×１０¹⁹ｃｍ^-3以内のポリシリコンを用いる。 （もっと読む）

【課題】ＩＶ族半導体多結晶の低温成長において、結晶性に優れ、かつ結晶粒径や配向性を制御した高品質のＩＶ族半導体多結晶の成長を可能にする半導体基材の製造方法及び得られた半導体基材を提供する。
【解決手段】５５０℃以下の温度でハロゲン化ゲルマニウムとシラン類を原料とする熱ＣＶＤ法を用いて、非晶質、多結晶あるいは金属などの基材上にＳｉＧｅあるいはＧｅの結晶核を形成し、該結晶核上に気相堆積法でＳｉ多結晶膜を形成する半導体基材の製造方法により、上記課題を解決する。また、本発明の半導体基材は、非晶質、多結晶あるいは金属などの基材と、該基材上にハロゲン化ゲルマニウムとシラン類を原料とする熱ＣＶＤ法で形成されたＳｉＧｅあるいはＧｅの結晶核と、該結晶核上に気相堆積法で形成されたＳｉ多結晶膜とを有する。 （もっと読む）

【課題】高速で、かつ高精密に位置決めした基板に所定の光強度分布を有するレーザー光を照射して、半導体膜を溶融・結晶化させて大結晶粒径を有する半導体膜を形成することが可能な高スループットのレーザー結晶化装置及び結晶化方法を提供することである。
【解決手段】上記の課題を解決したレーザー結晶化装置は、レーザー光を発生するレーザー光源と、前記レーザー光を変調して所定の光強度分布を与える位相シフタとを具備し、前記位相シフタにより変調された前記レーザー光を基板に設けられた薄膜に照射して、この薄膜を溶融して結晶化するレーザー結晶化装置であって、前記基板上に設けられたマークと、前記基板を保持し、所定方向に移動する基板保持ステージと、前記基板保持ステージの移動中に前記マークが所定の位置を通過する時間を計測するマーク計測手段と、前記マーク計測手段による計測時間に基づいて前記レーザー光の照射を指示するトリガ信号を発生する信号発生手段とを具備する。 （もっと読む）

【課題】非接触にて、ガイドレールに沿ったステージの移動を可能とし、磨耗による定期的なボールの交換を不要にして、メンテナンスを容易にするレーザ装置を提供する。
【解決手段】レーザー発振装置と、被処理物を配置させるステージと、レーザー発振装置から出力されたレーザー光を、被処理物において線状となるように加工する光学系と、レーザー光のビームスポットが、被処理物の特定の位置を走査するように、レーザー光のビームスポットとステージとの相対的な位置を制御する位置制御手段と、を有し、位置制御手段は、スライダと、スライダを貫通して設けられたロッドと、を有し、記スライダは磁場を発生させる機能を有し、ロッドと非接触で移動することができる。 （もっと読む）