【課題】レーザ照射の途中で移動テーブルが異常停止した際に、自動的にレーザの出力を停止させ、火災などの災害を防ぐことを課題とする。
【解決手段】レーザ発振器と、レーザ発振器に設けられたインターロックと、一定の動作周期で移動する移動テーブルと、タイマと、タイマに設けられたインターロックと、移動テーブルの移動を検出できるセンサと、コンピュータとを有し、タイマはセンサが移動テーブルの通過を感知することでカウントをスタートさせ、移動テーブルが動作周期を経過してもセンサを通過しない場合、タイマに設けられたインターロックの接点間の通電が切れることで、レーザ発振器のインターロックを作動させレーザ光の射出を停止させるレーザ処理装置及びそれを用いて行うレーザ処理方法に関する。 （もっと読む）

【課題】より高い電子（又は正孔）の移動度を有するＴＦＴを製造することができる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置を提供する。
【解決手段】横方向に結晶成長された半導体薄膜にソース領域、チャネル領域、およびドレイン領域を有し、チャネル領域上部にゲート絶縁膜およびゲート電極を有する薄膜トランジスタであって、ドレイン領域又はソース領域のチャネル領域側端部は結晶成長の終了位置８付近に位置するように設けられている。 （もっと読む）

１つの態様によれば、本発明は、制御される微小構造体並びに結晶学的配向を有する多結晶膜を形成する方法を提供する。本方法は、特定の結晶方位の細長い粒子又は単結晶アイランドを形成する。特に、基板上で膜を処理する方法は、１つの好ましい結晶方位に主に向けられた結晶粒子を有する配向膜を提供する段階と、次いで、好ましい結晶方位に向けられた粒子の位置制御成長を可能にする順次横方向固化結晶化法を用いて微小構造体を生成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】レーザビームのビームパラメータに影響されることなく、レーザビームの損失を防止し、常に照射面にエネルギー分布の均一なビームスポットを形成することができるビームホモジナイザ、およびレーザ照射装置の提供、並びに半導体装置の作製方法の提供。
【解決手段】レーザ発振器から射出したレーザビームの均一化に用いる光導波路又はライトパイプの入射口に偏向体を備える。前記偏向体の反射面をレーザビームの光軸に対して傾斜角度を持たせるように備えることにより、光導波路又はライトパイプの入射口径を広げレーザビームの損失を防止する。また、偏向体に角度調整機構を備えることにより、導波部射出口においてエネルギー分布の均一なビームスポットを形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能な逆スタガ型ＴＦＴを有する液晶表示装置の作製方法を提供する。また、スイッチング特性が高く、コントラストがすぐれた表示が可能な液晶表示装置の作製方法を提供する。更には、少ない原料でコスト削減が可能であり、且つ歩留まりが高い液晶表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、耐熱性の高い材料でゲート電極を形成した後、非晶質半導体膜の結晶化を促進する触媒元素を有する層、非晶質半導体膜、及びドナー型元素又は希ガス元素を有する層を形成し加熱して、非晶質半導体膜を結晶化すると共に触媒元素を結晶性半導体膜から除いた後、該結晶性半導体膜の一部を用いて半導体領域を形成し、該半導体領域に電気的に接するソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート電極に接続するゲート配線を形成して、逆スタガ型ＴＦＴを形成する。 （もっと読む）

【課題】
結晶化と同時に触媒元素のゲッタリングを可能にし、熱処理行程を減少させることをことを課題とする。
【解決手段】
基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、非晶質半導体膜、１５族から選ばれた元素を含む半導体膜を形成する。非晶質半導体膜及び１５族から選ばれた元素を含む半導体膜を、島状非晶質半導体膜及び島状半導体膜からなる島状領域に形成し、島状領域上にソース電極又はドレイン電極を形成する。ソース電極又はドレイン電極をマスクとして、ソース電極又はドレイン電極に覆われていない島状半導体膜の除去、及び島状非晶質半導体膜の膜厚を減少させ、また一部を露出させる。島状非晶質半導体膜の露出した領域に、結晶化を助長する触媒元素を導入し、加熱により島状非晶質半導体膜の結晶化及び触媒元素のゲッタリングを行う。 （もっと読む）

【課題】
線状レーザの走査回数を減少させ、レーザアニールにかかる時間を短縮させ、半導体装置の作製工程、作製時間、作製にかかるコストを短縮させることを課題とする。
【解決手段】
本発明では、線状レーザビームの照射面に重なり合うように高温の気体を局所的に噴き付ける。線状レーザビームは、レーザ発振器から射出したレーザビームをレンズに入射することにより得られる。高温の気体は、気体圧縮ポンプで圧縮された気体をノズル型ヒータにより加熱することによって得られる。加熱された気体は、線状レーザビームの照射面に重ね合わせるように噴出する。 （もっと読む）

基板上に低温で堆積された薄膜半導体を再結晶化する高スループットシステム及び方法が提供される。薄膜半導体ワークピースは、レーザビームを照射され、前記レーザビームに露光された表面の目標領域は融解し、再結晶化する。前記レーザビームは、パターン化マスクを使用して１つ又はそれ以上のビームレットに成形される。前記マスクパターンは、前記ビームレットによって目標とされる領域が半導体再結晶化に通じる寸法及び方向を有するように前記レーザビーム放射をパターン化するのに適した寸法及び方向を有する。前記ワークピースは、前記レーザビームに対して線形経路に沿って機械的に平行移動され、前記ワークピースの表面全体を高速で処理する。レーザの位置感知トリガは、電動ステージにおいて平行移動されているときに前記ワークピースの表面における正確な位置において半導体材料を融解及び再結晶化するようなレーザビームパルスを発生するのに使用されることができる。
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【課題】 レーザ光のある横断面における断面像（光強度分布）を高い空間分解能で、正確に、且つ短時間で撮像することが可能な撮像方法を提供する。
【解決手段】 断面像（光強度分布）の撮像が行われる断面に相当する高さに、レーザ光２０をその断面の一部において遮るようにナイフエッジ３０を配置する。ナイフエッジ３０に向けてレーザ光２０を照射し、ナイフエッジ３０によって断面の一部が遮られたレーザ光の断面像を、撮像光学系４０で二次元的に拡大してＣＣＤ５０で撮像する。このようにして断面像を撮像しながら、ナイフエッジ３０による陰の境界部分における光強度の勾配が、予め設定された目標値以上の急峻度になるように撮像光学系４０の焦点合わせを行う。次いで、ナイフエッジ３０をレーザ光の光路から退避させた状態で、レーザ光を撮像光学系４０を介してＣＣＤ５０に入射させて、その断面像を撮像する。 （もっと読む）

【課題】 高い電子移動度、低いスレショルド電圧および漏れ電流が少ないなどの特性を有するＴＦＴの製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に非晶質シリコン層３０を形成する段階、非晶質シリコン層をパターニングしてソース領域３２、ドレイン領域３４およびそれらの間に介在される複数のチャンネル３６を形成する段階、複数のチャンネルをアニーリングする段階、複数のチャンネル上にゲート酸化膜４０およびゲート電極５０を順次に形成する段階、ソース領域およびドレイン領域に導電性不純物をドーピングする段階を含むＴＦＴの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 結像光学系の倍率および像面位置を補正することができ、所望サイズの結晶粒を所望位置に再現性良く形成することのできるレーザ結晶化装置。
【解決手段】 レーザ結晶化装置は、光源（２ａ）と、光源からのレーザ光を変調する位相シフタ（３）と、光源と位相シフタとの間に設けられ、光源からのレーザ光の光強度を均一化し、この均一化光で位相シフタを照明する照明系（２）と、非単結晶半導体（５）を支持するステージ（６）と、ステージ上の非単結晶半導体と位相シフタとの間に設けられ、変調レーザ光を非単結晶半導体上の所望の部位に結像させるための複数の光学部材（Ｌ１−Ｌ１０，４ｃ）を有する結像光学系（４）と、結像光学系の光学部材を加熱または冷却して、該光学部材の温度を調整する温度調整部（１０−１７，２０−２２，４２−４８）とを有する。 （もっと読む）

【課題】 従来のパルス発振のレーザー光による照射を半導体膜に行った場合、半導体表面にリッジと呼ばれる凹凸が形成され、トップゲート型ＴＦＴの場合には、素子特性がリッジにより大きく左右されていた。特に、電気的に並列に接続する複数の薄膜トランジスタ間でのバラツキが問題となっている。
【解決手段】 本発明は、複数の薄膜トランジスタからなる回路の作製において、連続発振レーザを用いて半導体膜にレーザ光を照射して溶融する領域の幅ＬＰ（微結晶領域を含まない）を大きくし、一つの領域に複数の薄膜トランジスタ（電気的に並列に連結された薄膜トランジスタ）の活性層を配置することを特徴の一つとする。 （もっと読む）

【課題】下地絶縁層上により大きな粒径を有する半導体結晶薄膜を形成し得る半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】非単結晶半導体薄膜の結晶化領域に、光学変調素子で光変調されて極小光強度線もしくは極小光強度点を有する光強度分布のレーザ光を照射して結晶化するレーザ照射工程と、結晶化された領域にフラッシュランプによる光照射して結晶化された領域を加熱する加熱工程とを包含する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 レーザ照射時の振動の発生を抑制し、一様なエネルギープロファイルを持つレーザビームを一方向に移動させることにより、信頼性のよい半導体装置を短時間で量産する。
【解決手段】 円柱状の回転体の表面に、回転体の曲率に沿って基板を回転体表面に吸着させ、回転体を回転させ、基板上に成膜された半導体膜を一度にレーザ照射する。また、回転体の回転軸方向に移動機構を設け、回転体が１回転したときに照射位置をずらすようにする。または回転体を回転させながら回転軸方向に移動させることも可能である。 （もっと読む）

【課題】 ランプアニールにより効果的に被処理膜を加熱処理するための方法を提供する。
【解決手段】 基板１０１の上面側からは紫外光ランプ１０４を用いて紫外光１０７が照射される。また、基板１０１の下面側からは赤外光ランプ１０８を用いて赤外光１１１が照射される。本発明では赤外光照射による振動励起効果に加えて紫外光照射による電子励起効果が付加されるため、被処理膜１０３の励起効率が大幅に高まり、効果的な加熱処理が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 本発明では、工程、装置を複雑化することなく、要求される特性を有する薄膜トランジスタを作製することを目的とする。また、薄膜トランジスタの特性を精密に自由に制御することで、高い信頼性や優れた電気特性を有する半導体装置を低いコストで歩留まり良く製造することができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層で覆われている半導体層のソース領域側かドレイン領域側の一方に、低濃度不純物領域を作製する。低濃度不純物領域は、ゲート電極層をマスクとして、半導体層表面に対し、斜めにドーピングすることによって形成される。よって、薄膜トランジスタの微細な特性の制御を行うことができる。 （もっと読む）

半導体回路基板としての一次元半導体基板とその製造方法、および該一次元半導体基板を用いた素子、素子アレー、モジュール、ディスプレイ、太陽電池及び太陽電池モジュールとその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の一次元半導体基板１あるいは２は、幅又は厚さ、あるいは径に対して１０倍以上の長さを持つ線状の基材３に所望の薄膜４を１層以上形成している。薄膜４に半導体を適用ことで一次元半導体薄膜が形成される。本発明の一次元半導体基板１あるいは２は、光ファイバの製造技術である線引技術を応用して製造される。 （もっと読む）

後に絶縁層およびシリコン薄膜が形成される基板中のシリコン薄膜の焼鈍方法が開示される。本方法は、基板が処理中に変態しない温度範囲内でシリコン薄膜を加熱または予備加熱して、そこに内因性キャリヤを生成させることにより、抵抗をジュール加熱が可能な値に低下する工程；および予備加熱されたシリコン薄膜に電界を印加して、ジュール加熱をキャリヤの移動によって引き起こすことにより、結晶化を行い、結晶欠陥を排除し、結晶成長を確実にする工程を含む。本方法を用いると、予備加熱条件に従って、ａ−Ｓｉ薄膜、ａ−Ｓｉ／ポリ−Ｓｉ薄膜またはポリ−Ｓｉ薄膜にジュール加熱が選択的に引き起こされ、それによって良好な品質のポリ−Ｓｉ薄膜が、非常に短時間に、基板を損傷することなく作製される。 （もっと読む）