【課題】複数の半導体基板をベース基板に貼り合わせる場合であっても、貼り合わせ効率を向上すると共に、接合不良を抑制することを目的とする。
【解決手段】第１の基板支持台上に複数の半導体基板を設け、第２の基板支持台上にベース基板を設け、複数の半導体基板の表面とベース基板の表面が所定の間隔をもって対向するように、第１の基板支持台の上方に第２の基板支持台を配置し、複数の半導体基板又はベース基板を帯電させ、複数の半導体基板の表面とベース基板の表面の間隔を狭めることにより、ベース基板の表面に複数の半導体基板を接触させ、ベース基板の表面と複数の半導体基板の表面を接合させる。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板上に形成された非晶質あるいは粒状多結晶シリコン膜の所望の領域に、線状に整形した連続発振レーザ光を短軸方向に走査して、局所的な溶融再凝固による帯状多結晶領域を形成するに際し、対物レンズの熱レンズ効果発生に伴う照射レーザ光の集光ビーム形（短軸幅）の変化により結晶状態が変動することを防止し、平面表示装置の製造歩留まりを向上、品質の確保を図る。
【解決手段】アニールを行う際に照射する領域を複数のブロックに分割し、まず１ブロックあるいは複数ブロックおきにレーザ光を照射し、その後反対方向にレーザ光を走査しながらの、未照射の駆動回路領域を照射する。このように、レーザ照射後に一定時間のレーザ非照射状態を設けることで対物レンズの過熱を抑制し、対物レンズの熱レンズ効果による照射部温度の変動を防止する。これにより、常に一定の条件でのレーザ光照射が実現でき、一定の結晶状態の帯状多結晶シリコン膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板とベース基板の貼り合わせを低温で行う場合であっても、半導体基板とベース基板との接合強度を十分に向上させることを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板と、絶縁体でなるベース基板とを用意し、半導体基板上に塩素原子を含有する酸化膜を形成し、酸化膜を介して半導体基板に加速されたイオンを照射することにより、半導体基板の表面から所定の深さの領域に脆化領域を形成し、半導体基板上の酸化膜に対してバイアス電圧を印加してプラズマ処理を行い、単結晶半導体基板の表面とベース基板の表面とを対向させ、酸化膜の表面とベース基板の表面とを接合させ、酸化膜の表面とベース基板の表面とを接合させた後に熱処理を行い、脆化領域を境として分離することにより、ベース基板上に酸化膜を介して半導体膜を形成する。 （もっと読む）

位置が制御される結晶粒の領域を備える結晶半導体膜と、位置が制御される結晶粒の位置を基準として規定される位置にある結晶半導体膜の中に位置するデバイスとを含む、結晶膜の中の既知の位置に位置付けられる電子デバイスに関係する方法および装置が説明される。この方法は、各照射ステップが、膜のリソグラフィで画成される領域を少なくとも部分的に融解させ、横方向に結晶化させ、横方向成長長さに垂直である少なくとも１つの長い粒子境界を有する横方向に成長した結晶粒の領域を得る、３つ以上の重複する照射ステップを使用して半導体膜の少なくとも一部を照射することと、少なくとも１つの長い粒子境界の位置を識別することと、長い粒子境界の位置を基準にして規定される位置にある半導体膜の中に電子デバイスを製造することとを含む。
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【課題】チャネル形成領域の空乏化領域を増やし、電流駆動能力の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】島状の半導体領域と、前記島状の半導体領域の側面及び上面を覆って設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記島状の半導体領域の前記側面及び前記上面を覆って設けられたゲート電極とを有し、前記島状の半導体領域の前記側面及び前記上面はチャネル形成領域として機能する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】光アニールおよび当該光アニールにより得られる膜質の評価を行うとともに、装置のコスト抑制および構成簡略化を図ることができる半導体膜の製造方法、および、当該半導体膜の製造方法に使用する光アニール装置を実現する。
【解決手段】半導体膜の製造方法は、光源（２）から出射された光を２つ以上のビーム（Ｌ１、Ｌ２）に分割する工程と、前記２つ以上のビームのうちの少なくとも１つを膜改質光（Ｌ１）として基板上に形成された半導体膜に照射することにより前記半導体膜の結晶性を改質する工程と、前記２つ以上のビームのうちの、前記膜改質光以外の少なくとも１つのビームを検査光（Ｌ２）として前記半導体膜に照射し、前記半導体膜から得られる前記検査光（Ｌ２）の照射の応答内容を検出することにより、前記半導体膜の改質状態を評価する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】外部ストレスによる半導体集積回路の破損を低減することを課題の一とする。また、薄型化された半導体集積回路の製造歩留まりを向上させることを課題の一とする。
【解決手段】半導体集積回路が有する半導体素子には単結晶半導体基板より分離された単結晶半導体層を用いる。さらに半導体集積回路が設けられた薄く成形された基板は樹脂層で覆われている。分断工程は、支持基板に半導体素子層を分断するための溝を形成し、溝の形成された支持基板上に樹脂層を設ける。その後、樹脂層及び支持基板を溝において切断して分断し、複数の半導体集積回路に分割する。 （もっと読む）

【課題】結晶粒径が大きい多結晶半導体膜を従来方法に比べてより一層高い歩留まりで形成できる多結晶半導体膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ガラス板等からなる基板１０上にアモルファスシリコン膜を形成し、このアモルファスシリコン膜をパターニングして、先端が凸の島状又は帯状のメインパターンＰ１と、メインパターンＰ１間の隙間を埋めるサブパターンＰ２とを形成する。そして、基板１０上に連続波レーザを照射しながら、レーザ照射域をメインパターンの先端から後端に向う方向に走査して多結晶半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】
ＤＯＥを用い、複数のレーザビーム源から出射したレーザビームを加算して、パワー密度を高めた照射光を形成する。
【解決手段】
レーザビーム照射方法は、第１のレーザビームを、第１の位置で第１の反射ミラーにより第１の方向に平行な方向に反射させ、発散光として進行させる工程と、 第２のレーザビームを、第１の位置の近傍の第２の位置で第２の反射ミラーにより第１の方向に平行な方向に反射させ、発散光として進行させる工程と、第３のレーザビームを、第１の反射ミラーと第２の反射ミラーの間を通って、第１の方向に平行に発散光として進行させる工程と、重なりを持って第１の方向に進行する、第１、第２、第３のレーザビームの合波光を受け、平行ビームにする工程と、平行ビームを回折光学素子に入射させ、回折を生じさせる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減しつつ、高速動作が可能な回路を有する半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。または、該半導体装置を提供するための半導体基板の作製方法を提供することを課題の一とする。または、該半導体装置を用いた電子機器を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板上に非単結晶半導体層を形成した後、非単結晶半導体層の一部の領域上に単結晶半導体層を形成する。これにより、非単結晶半導体層を用いて大面積が必要とされる領域（例えば、表示装置における画素領域）の半導体素子を形成し、単結晶半導体層を用いて高速動作が求められる領域（例えば、表示装置における駆動回路領域）の半導体素子を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 ディスプレーデバイス用半導体装置の製造方法において、ガラス基板に熱的に損傷を与えないで、炭酸ガスレーザーによりSiを熱処理する。
【解決手段】 上下のSiO₂膜２、３に挟まれた多結晶Si又は非晶質Si層１からなるサンドイッチ構造３０とガラス基板６の間に反射金属膜４を配置する。炭酸ガスレーザーを上側SiO₂膜からガラス基板６に向かって照射することにより多結晶もしくは非晶質Si層を熱処理し、その後、RGB配置領域２０からサンドイッチ構造３０及び反射金属膜４を除去する。 （もっと読む）

【課題】大型のガラス基板を用いても、タイル状に貼り付けた単結晶シリコン層の大きさが適切でないとパネルの取り数を最大化することができず、コストミニマムを図ることができないといった問題がある。
【解決手段】直径が３００ｍｍ乃至４５０ｍｍの略円形の単結晶半導体ウエハから略四辺形の単結晶半導体基板を形成し、クラスターイオンイオンビームを単結晶半導体基板の一面から注入して損傷層を形成する。該単結晶半導体基板を支持基板の一面に複数互いに離間して配列させる。熱処理を行い、損傷層に亀裂を生じさせて支持基板上に単結晶半導体層を残存させたまま単結晶半導体基板を剥離して除去する。単結晶半導体層に窒素雰囲気中でレーザビームを照射して、単結晶半導体層の表面を平坦化し、しかる後支持基板に接着された単結晶半導体層から、一又は複数の表示パネルを作製する。 （もっと読む）

【課題】せり上げ構造を有する半導体装置において、せり上げる領域をエッチングする際に、活性層である島状半導体膜がエッチングされるのを抑制する。
【解決手段】島状半導体膜の表面を酸化あるいは窒化して第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜の一部の領域上に半導体膜を形成し、第１の絶縁膜の一部を除去して島状半導体膜の中の半導体膜が形成されていない領域を露出させ、島状半導体膜の表面及び半導体膜を酸化あるいは窒化して第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上にゲート電極を形成し、第２の絶縁膜をエッチングしてゲート絶縁膜を形成し、ゲート電極をマスクとして島状半導体膜及び半導体膜に一導電型を付与する不純物元素を添加し、島状半導体膜及び半導体膜を加熱して不純物元素を活性化させ、島状半導体膜及び半導体膜を加熱することにより第１の絶縁膜が消失する半導体装置の作製方法に関する。 （もっと読む）

基板を処理する方法の様々な例が開示される。特定の実施形態において、この方法は、チャンバ内のプラテン上に、上面および下面を有する基板を配置する工程と、複数の荷電粒子を含むプラズマであって、基板の上面の表面積と等しいかまたは大きい断面積を有するプラズマを、基板の上面上に発生させる工程と、荷電粒子を基板の上面の方に引き付けるよう、第１バイアス電圧を前記基板に印加する工程と、荷電粒子を、基板の上面全体の下方に延在する領域に導入する工程と、同時に、領域において、非晶質相から結晶相への第１相変態を開始する工程とを具えることを特徴とする。
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【課題】ガラス基板等の支持基板上に単結晶半導体基板から分離した単結晶半導体層を形成する半導体基板の作成方法、及び半導体層が分離された後の単結晶半導体基板を再生処理の方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板等の支持基板に、単結晶半導体層を接合するに際し、支持基板または単結晶半導体基板の一方若しくは双方に、酸化シリコン膜を用いる。本構成によれば、ガラス基板等の耐熱温度が７００℃以下の基板でであっても接合部の接着力が強固なＳＯＩ層を得ることができる。また、単結晶半導体層が分離された単結晶半導体基板は、半導体層が分離された面側から単結晶半導体基板にレーザ光を照射して、単結晶半導体基板の表面を溶融させ、一領域あたりの溶融時間を０．５マイクロ秒乃至１ミリ秒とする再生処理を施した後、再利用する。 （もっと読む）

半導体コンポーネントは支持体を具備し、支持体の一面では少なくとも１つの半導体層が多結晶で構成されている。多結晶半導体層は結晶化シードを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の低い基板をベース基板とするＳＯＩ基板を用いて高性能な半導体装置を提供することを課題とする。また、機械的な研磨を行わずに高性能な半導体装置を提供することを課題とする。また、該半導体装置を用いた電子機器を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁基板上の絶縁層と、絶縁層上の接合層と、接合層上の単結晶半導体層と有し、単結晶半導体層は、その上部表面における凹凸形状の算術平均粗さが１ｎｍ以上７ｎｍ以下とする。または、凹凸形状の二乗平均平方根粗さが１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であっても良い。または、凹凸形状の最大高低差が５ｎｍ以上２５０ｎｍ以下であっても良い。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも一つの加熱すべき層(2)と副層(4)とを備えるウェハ(1)を、少なくとも一つの光束パルスの影響下で、加熱する方法であって、
前記加熱すべき層の温度が低温範囲(PBT)にある限り、前記加熱すべき層(2)による前記光束の吸収係数が低く、前記加熱すべき層の温度が、高温範囲(PHT)に入った時、前記吸収係数が大きく増加するように光束(7)、加熱すべき層(2)を選択する工程と、前記選択された波長における前記光束の前記吸収係数が、前記低温範囲(PBT)で高く、前記副層が前記光束にさらされた時に、前記温度が前記高温範囲(PHT)に入るように副層(4)を選択する工程と、前記光束(7)を前記ウェハ(1)に照射する工程を備える、方法に関する。
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横方向に結晶化された薄膜上に作製される薄膜トランジスタデバイスにおいて高い均一性を生成する方法が述べられる。薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、結晶基板内に配設されるチャネルエリアを備え、前記結晶基板は、互いにほぼ平行であり、かつ、ほぼ等しい間隔だけ離間する結晶粒界を含む。チャネルエリアの形状は、複数の結晶粒界に実質的に垂直に配向する２つの対向する側部縁を有する非等角多角形を含み、多角形は、複数の結晶粒界に実質的に垂直に配向する２つの対向する側部縁を有する。多角形は、さらに、上側縁および下側縁を有する。上側および下側縁のそれぞれの少なくとも一部分は、結晶粒界に対してある傾斜角度で配向する。傾斜角度は、多角形によって覆われる結晶粒界の数が、結晶基板内のチャネルエリアのロケーションに無関係になるように選択される。 （もっと読む）

【課題】レーザ条件の変動あるいは装置異常による不良が連続して発生するのを防いで、レーザアニール工程での不良を防止し、高歩留まりに表示装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】局所的なレーザアニールにより帯状結晶シリコン領域を形成しつつ、並行してレーザを照射した領域の結晶状態および適正な帯状結晶領域の寸法を評価する。評価結果が基準を充たしていない場合にはレーザ条件を適正化するように制御装置に通信を送って、レーザ条件を適正化した後、次の領域をアニールする。あるいは、必要に応じて装置を緊急停止する。アニールと検査を継続して基板内の所望の領域のアニールが完了すると、基板を搬出する。 （もっと読む）