【課題】特性の優れた半導体膜を簡便に得ることができる微結晶半導体膜の結晶化方法と、これを応用した薄膜トランジスタ、半導体装置、及び薄膜トランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタは、基板１上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３を介してゲート電極２の対面に形成され、ソース領域となる第１非晶質領域４１、ドレイン領域となる第２非晶質領域４２、及び第１非晶質領域４１と第２非晶質領域４２との間に配置されたチャネル領域となる結晶性領域４３を有する半導体膜４と、半導体膜４上に結晶性領域４３と直接接触することなく形成され、ソース領域及びドレイン領域とそれぞれ電気的に接続されたソース電極８１及びドレイン電極８２と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】半導体膜から粒径の大きな結晶相の半導体を得る工程において、以降の工程で、アライメントマークとして利用可能なマーク構造を、同一の露光工程において半導体膜に形成する。
【解決手段】この発明は、光を変調して結晶化のための光強度分布を形成する光強度変調構造ＳＰと、光強度変調構造と一体にまたは独立に設けられ、光を変調して所定形状のパターンを含む光強度分布を形成するとともに結晶化領域の予め定められた位置を示すマーク形成構造ＭＫと、を有することを特徴とする光変調素子３に関する。この光変調素子によれば、絶縁基板上に所定厚さに堆積された半導体膜の任意の位置に、結晶核を形成し、その結晶核から所定の方向に結晶を成長させるとともに、半導体膜の任意の位置にアライメントマークＡＭを、同一工程で形成できる。 （もっと読む）

【課題】ベース基板（例えばガラス基板）と半導体基板（例えば単結晶シリコン基板）とを貼り合わせてＳＯＩ基板を作製する際の半導体層（例えば単結晶シリコン層）の表面の荒れを抑制することを目的の一とする。
【解決手段】溝部が設けられた半導体基板に、イオンを照射して半導体基板中に脆化領域を形成し、絶縁層を介して半導体基板とベース基板を貼り合わせると共に、半導体基板の溝部とベース基板とにより囲まれた空間を形成し、熱処理を施すことにより、脆化領域において半導体基板を分離して、ベース基板上に絶縁層を介して半導体層を形成する。 （もっと読む）

本発明は、半導体基板の１つの領域において、少なくとも１つのプロセス性能パラメータが決定される１つのプロセスステップまたは一連のプロセスステップに、半導体基板を暴露するステップと、レーザ照射パラメータを有するレーザをその領域に照射するステップとを含む半導体デバイスを製造する方法であって、照射パラメータは少なくとも１つのプロセス性能パラメータに基づいて決定されることを特徴とする方法に関する。 （もっと読む）

基板上に結晶半導体層を形成するための方法および装置が提供される。半導体層は気相堆積によって形成される。パルスレーザ溶融／再結晶化プロセスが半導体層を結晶層に変換するために実行される。レーザまたは他の電磁放射のパルスがパルス列に形成され、処置ゾーンにわたって均一に分配され、連続する隣接した処置ゾーンがパルス列にさらされて、堆積された材料を結晶材料に漸進的に変換する。
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【課題】チャネル形成領域の空乏化領域を増やし、電流駆動能力の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタを有する半導体装置であって、絶縁表面上に所定の間隔を隔てて互いに平行に配列された複数の短冊状の半導体膜と、前記複数の短冊状の半導体膜の上面及び側面に接するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記複数の短冊状の半導体膜の上面及び側面を覆うゲート電極を有する半導体装置である。半導体膜の上部及び側部をチャネル形成領域とすることで、電流駆動能力を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】非晶質の絶縁層上に任意の位置に単結晶半導体層を成長させることにより高性能半導体素子の積層化あるいは３次元化を可能にし，高機能な半導体集積システムを実現する。
【解決手段】絶縁層上に非晶質半導体薄膜を堆積し，第1のイオン注入のチャネリングと熱処理により多結晶化させ，しかる後に，前記第１のイオン注入とは異なる方向から第２のイオン注入のチャネリングと熱処理による結晶化を行い、２つの結晶方位を規制した単結晶の半導体薄膜を成長する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の再生に適した方法を提供することを目的の一とする。または、開示する発明の一態様では、半導体基板の再生に適した方法を用いて再生半導体基板を作製することを目的の一とする。または、開示する発明の一態様では、当該再生半導体基板を用いてＳＯＩ基板を作製することを目的の一とする。
【解決手段】損傷半導体領域と絶縁層とを含む凸部が周縁部に存在する半導体基板に対し、前記絶縁層が除去されるエッチング処理と、前記半導体基板を構成する半導体材料を酸化する物質、前記酸化された半導体材料を溶解する物質、および、前記半導体材料の酸化の速度および前記酸化された半導体材料の溶解の速度を制御する物質、を含む混合液を用いて、未損傷の半導体領域に対して前記損傷半導体領域が選択的に除去されるエッチング処理と、を行うことで半導体基板を再生する。 （もっと読む）

【課題】特性の良い光電変換素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。または、簡単な工程で、特性の良い光センサ光電変換装置を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】光透過性を有する基板と、光透過性を有する基板上の絶縁層と、絶縁層上の、光電変換を奏する半導体領域、第１の導電型を示す半導体領域、および、第２の導電型を示す半導体領域を有する単結晶半導体層と、第１の導電型を示す半導体領域と電気的に接続された第１の電極と、第２の導電型を示す半導体領域と電気的に接続された第２の電極とを有する光電変換素子とを備える半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】良好な平坦性を有する半導体基板の再生に適した方法を提供することを課題の一つとし、良好な平坦性を有する半導体基板の再生に適した方法を用いて再生半導体基板を作製することを課題の一つとし、当該再生半導体基板を用いてＳＯＩ基板を作製することを課題の一つとする。
【解決手段】イオンの照射等により損傷した半導体領域を選択的に除去することが可能な方法を用いて半導体基板の凸部を除去し、さらに、ＣＭＰ法をはじめとする研磨処理によって、半導体基板の平坦化を行う際に、半導体基板表面に酸化膜を形成することにより、半導体基板の研磨レートを均一にして、一様に研磨処理を行う。または、上記方法を用いて再生半導体基板を作製し、当該再生半導体基板を用いてＳＯＩ基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の表面に優れた光閉じ込め効果を有する凹凸形状を形成して光電変換素子の感度を向上させる。
【解決手段】多結晶半導体膜１０は、基板１上に形成されており、ラテラル結晶を含む。多結晶半導体膜の表面に自己組織化的に形成されたテクスチャ構造を有し、その表面の二乗平均粗さが４ｎｍ以上である。 （もっと読む）

異なる構造の薄膜（１）に対するアモルファス又は結晶性構造の結晶（３）の転移は、結晶に薄膜を適用し、それを結晶化するためにそれを焼き鈍しするための加圧（６）及び加熱（７）の組合せによって達成され得る。特徴的に、ブロック（５）は、薄膜を屈曲させ、組立体のクラックを開始し、圧力が取り除かれた際に薄膜を開放するように端部に配置され、それによって結晶（３）を取り除き又はそれを破壊するための複雑な方法を取り除く。この方法は、いくつかの膜に使用される結晶（３）が結晶化されることを可能にし、達成される良好な製造率を可能にし、費用を削減する。
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【課題】 広範囲にわたって全導電性領域に、断切れ及び上層配線層との間のリーク電流の発生のない、均一な膜厚の銅配線層を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 ガラス基板上に薄膜トランジスタ及び配線を有する半導体装置を製造する方法において、ガラス基板上に下地絶縁層を形成する工程と、前記下地絶縁層上に下地バリア層を形成する工程と、前記下地バリア層上にシード層を形成する工程と、前記シード層を前記配線に対応する形状にパターニングしてシード層パターンを形成する工程と、前記シード層パターンの表面に銅配線層を無電解めっき法で形成する工程と、前記銅配線層マスクとして前記下地バリア層をパターニングする工程と、前記銅配線層を被覆するように絶縁層を形成する工程とを備えたことを特徴する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】エキシマレーザーにより、α−Ｓｉ層に加えられた熱は、絶縁層を介して金属遮光層へ伝わり、冷却されることで再結晶化される。この場合、金属層のパターン形状により、α−Ｓｉ層の冷却速度は影響を受ける。そのため、多結晶シリコン層の特性は金属層のパターン形状の影響によりばらつくという課題がある。
【解決手段】形状および間隔を揃えた矩形の金属遮光層１０５の、長手方向に向けてエキシマレーザーを走査し、α−Ｓｉ層を多結晶シリコン層１１５に改質する。長手方向に向けてエキシマレーザーを走査することから、金属遮光層１０５が連続した状態でレーザーアニールが進む。そのため、金属遮光層１０５上での多結晶シリコン層１１５は均質性が高くなる。そのため、金属遮光層１０５上に形成されるＴＦＴ１０１の電気的特性が均質化し、液晶装置１００の表示均一性を高めることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体膜が分離された後の分離後の半導体基板を、ＳＯＩ基板作製に用いることが可能な再生半導体基板に再生する際に、分離後の半導体基板の取り代を削減し、１枚の半導体基板を再生使用できる回数を増やす半導体基板の再生処理方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】半導体を酸化する酸化剤として機能する物質と、半導体の酸化物を溶解する物質と、半導体の酸化及び半導体の酸化物の溶解の減速剤として機能する物質と、を含む混合溶液を用いて、分離後の半導体基板の周辺部に残存した脆化層及び半導体層を選択的に除去することを特徴とする半導体基板の再生処理方法である。なお、イオン注入装置により水素ガスから生成される、Ｈ^＋イオンを注入することにより半導体基板に形成する脆化層を用いて、半導体基板から半導体膜を分離する。 （もっと読む）

【課題】 単結晶構造の柱状構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板上に単結晶の柱状構造を形成する方法であって、前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に溝を形成し、前記溝の底部に少なくとも前記半導体基板の一部を露出させる工程と、前記溝内部に少なくともゲルマニウムを含む埋め込み膜を形成する工程と、熱処理により前記埋め込み膜を溶融させる工程と、溶融した前記埋め込み膜を、前記半導体基板をシードとして単結晶化する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】段差部において膜厚の急激な変動が抑制された半導体膜を含む半導体基板、およびその製造方法、並びに、その半導体基板を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体基板１は、下地基板１０と、下地基板１０上の一部に形成されている金属膜２０と、金属膜２０を覆うようにして下地基板１０上に形成されている絶縁膜３０と、絶縁膜３０上に形成され、かつ結晶化された半導体膜４０とを備えている。絶縁膜３０は、金属膜２０の端部において段差部を有し、当該段差部の下地基板１０に対して垂直な断面形状が、外に膨らむ「Ｒ」形状を呈している。上記段差面は、その上端部から下端部に向かって、テーパー角度ψが略０°から徐々に大きくなって、略４０°〜９０°であるテーパー角度θになるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】特性の良い半導体素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】基板上に、ゲート電極として機能する第１の導電層を形成する工程と、第１の導電層を覆うように第１の絶縁層を形成する工程と、第１の導電層と一部が重畳するように、第１の絶縁層上に半導体層を形成する工程と、半導体層と電気的に接続されるように第２の導電層を形成する工程と、半導体層および第２の導電層を覆う第２の絶縁層を形成する工程と、第２の導電層と電気的に接続される第３の導電層を形成する工程と、半導体層を形成する工程の後、第２の絶縁層を形成する工程の前の第１の熱処理工程と、第２の絶縁層を形成する工程の後の第２の熱処理工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板と単結晶半導体基板とを貼り合わせてＳＯＩ基板を作製する際のシリコン層の表面の荒れを抑制することを目的の一とする。または、上記荒れを抑えて歩留まりの高い半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ボンド基板に加速されたイオンを照射して該ボンド基板に脆化領域を形成し、ボンド基板またはベース基板の表面に絶縁層を形成し、絶縁層を介してボンド基板とベース基板を貼り合わせると共に、ボンド基板とベース基板の一部に貼り合わない領域を形成し、熱処理を施すことにより、脆化領域においてボンド基板を分離して、ベース基板上に半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】エッチングが困難な炭化シリコン膜をエッチングすることなく、一つのチップに炭化シリコンのデバイスとシリコンのデバイスを容易に混載させることが可能な炭化シリコン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化シリコン膜１３の製造方法は、表層にシリコン膜１４を有する基板１１上のシリコン膜１４を一部覆う位置にマスク１５ａを形成する工程と、マスク１５ａが形成されていない領域のシリコン膜１４を炭化処理し、炭化された膜を含んだ炭化シリコン膜１３を形成する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）