【課題】レーザ照射処理が行われる処理雰囲気を短時間で安定化するとともに、安定化された処理雰囲気を容易に維持することができるレーザ処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体が収容され、該被処理体に対するレーザ照射処理がなされる処理室２と、処理室２内にガスを給気する給気ライン３と、給気ライン３に設けられ、給気ライン３における給気を調整するＭＦＣ６と、処理室２内からガスを排気する排気ライン４と、排気ライン４における小流量排気ライン４ｂに設けられ、排気ライン４における排気を調整する自動調整バルブ７と、処理室２内の圧力を測定するデジタル差圧計５と、デジタル差圧計５の測定結果を受け、該測定結果に基づき、ＭＦＣ６と自動調整バルブ７とを制御して、処理室２内の圧力を調整する制御部１４とを有している。 （もっと読む）

【課題】最大発振周波数ｆ_ｍａｘを高くしてダイヤモンド電界効果トランジスタの特性を大きく向上させ、かつ電圧降下を小さく抑えることにより実用レベルに到達させること。
【解決手段】「ソース・ゲート電極間隔ｄ_ＳＧ、ゲート・ドレイン電極間隔ｄ_ＧＤを狭くすること」と「ソース電極の厚さｔ_Ｓ、ドレイン電極の厚さｔ_Ｄを厚くすること」とを両立させるために、ソース電極およびドレイン電極を、エッチング溶液を用いてエッチングする層とレジストを用いてリフトオフする層とに分けて形成する。これにより電極の逆メサ部を小さくすることができるため、ソース電極とゲート電極との間隔を小さくして最大発振周波数ｆ_ｍａｘを上げ、かつソース電極およびドレイン電極の厚みを厚くして電圧降下を小さく抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド薄膜内に存在する結晶欠陥、不純物等を減少させ、高品質なダイヤモンド薄膜を作製可能なダイヤモンド薄膜作製方法を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンドが安定な高圧力下でアニールを行う。これにより、結晶中に含まれる格子欠陥等が回復、除去され、ダイヤモンド結晶薄膜を高品質化する事ができる。「（ダイヤモンドが）安定な、安定に」とは、ダイヤモンドがグラファイト化せずにダイヤモンドの状態を保つ状態を指す。ダイヤモンドが安定にアニール出来る領域内でアニールを行う温度（アニール温度、とも呼ぶ）Ｔおよびアニールを行う圧力（アニール圧力、とも呼ぶ）Ｐが決定される。この領域は、図２１に示される、Ｐ＞０．７１＋０．００２７ＴまたはＰ＝０．７１＋０．００２７Ｔを満たし、なおかつＰ≧１．５ＧＰａの領域である。このような領域は、図２１中の斜線部分である。 （もっと読む）

【課題】結晶性を高めるとともに、表面荒れが抑制された酸素で終端されたシリコンナノ結晶構造体のアニール方法と基板の製造方法を提供する。
【解決手段】酸素で終端されたシリコンナノ結晶構造体を、９５０℃以上１２５０℃以下、かつ、窒素また希ガスから選ばれる第一のガスと酸素との混合ガスが、前混合ガスに対する酸素の濃度が１０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下であるガス雰囲気下でアニール処理する。 （もっと読む）

【課題】遷移層が形成されない、又は従来よりも遷移層を薄くすることができる、結晶性半導体膜の形成方法と該形成方法を適用した薄膜トランジスタの作製方法を提供する。
【解決手段】基板上、又は基板上に設けられた絶縁膜上に水素を含む半導体膜を形成し、該水素を含む半導体膜上に表面波プラズマによるプラズマ処理を行って半導体の結晶核を発生させ、該結晶核を成長させることで結晶性半導体膜を形成する。表面波プラズマ処理は、水素及び希ガスの一方又は双方を含むガス中で行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】非晶質薄膜及び／又は結晶性の低い薄膜を、薄膜の温度を低温に保ちつつ、短時間で結晶化させて得られ、均質で、且つ、樹脂基板上に形成可能である結晶薄膜、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】非晶質薄膜及び／又は結晶性の低い薄膜を、該薄膜の極近傍に薄膜面と平行に導電性の電極を配置した高周波印加装置内に配置し、高周波電界が該薄膜に集中する条件でプラズマを発生させ、温度を１５０℃以下に維持しながら、及び／又は、結晶化に要する時間１５分以内で、結晶化させて得られることを特徴とする。高周波電界が、非晶質薄膜等に集中するように、プラズマを発生させるために、高周波印加装置内の気体の圧力を最適に制御することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】結晶性が優秀な多結晶シリコンを形成すると同時に、結晶化時高温の結晶化温度による基板の曲がりを防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に非晶質シリコンを含むシリコン層を蒸着し、シリコン層をＨ_２Ｏ雰囲気、特定温度下で熱処理して非晶質シリコン層を部分結晶化する工程、部分結晶化された非晶質シリコン層をレーザ光を照射して多結晶シリコン膜を形成する工程と、多結晶シリコン層上にゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程とを備えることによって、非晶質シリコンの固相結晶化法によって結晶化時高温の結晶化温度による基板の曲がりを防止することができ、製造された薄膜トランジスタの不良を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板に対する熱負荷が軽減でき、大面積の基板の熱処理を行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。また、汚染物質を低減し、半導体装置の特性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板（１００）上に半導体膜（１０２）を形成し、半導体膜上に第１膜（１０３）を形成した後、半導体膜に対し、第１膜を介して水素及び酸素の混合ガスを燃料とするガスバーナー（２２）の火炎を走査することにより、半導体膜を再結晶化する。その結果、半導体膜の汚染、特に、ガスバーナーのノズル等に起因する金属汚染を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】基板に対する熱負荷を低減できる半導体装置の製造方法を提供する。また、半導体素子の特性を向上させる。
【解決手段】半導体装置（例えば、ＴＦＴ）の製造において、基板１００上にシリコン膜１０２を形成し、シリコン膜１０２に対し、水素及び酸素の混合ガスを燃料とするガスバーナー２２の火炎を走査することにより熱処理（再結晶化）を行なう際、予め基板を裏面からヒーター内蔵のステージ部５１で加熱する。もしくは、あらかじめ、基板に対し、上記火炎を第１走査することにより、基板の温度を上昇させた後、上記火炎を第２走査することにより、熱処理を施す。このように基板に対し予備加熱を行なうことで基板に対する熱負荷（熱衝撃、熱変形）を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】基板に対する熱負荷が軽減でき、大面積の基板の熱処理を行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。また、熱処理温度の均一性を向上し、形成される半導体装置の特性を向上させる。
【解決手段】基板上にシリコン膜を形成し、このシリコン膜に対し、水素及び酸素の混合ガスを燃料とするガスバーナー（２２）の火炎を走査することにより熱処理を施す工程において、ガスバーナー（２２）の火炎Ｆを略直線状にする。その結果、熱処理温度の均一性が向上し、シリコン膜の結晶化率のばらつきを低減するなど、形成される半導体装置の特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ステージと基板との位置ずれを抑制することにより、所望の領域のみにレーザを照射することができるようにする。
【解決手段】半導体材料の付着した基板を所定の基板載置部に収納可能とする密閉容器と、半導体材料に照射されて半導体材料を所定の熱処理温度まで加熱するための光を照射する光源と、密閉容器に設けられて光源からの光を透過して密閉容器内に導入するための光透過窓と、基板載置部に設けられて基板を基板載置部に固定保持するための保持手段と、光の照射時における密閉容器内の雰囲気圧力を、光照射によって溶融加熱された半導体材料の温度によって規定される蒸気圧を下まわらないように制御する圧力制御手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】 レーザーアニール時に生じるレーザービームのコヒーレント性に起因する縞状の照射痕を低減できるレーザーアニール装置及びその方法の提供。
【解決手段】レーザー発振器と、生成されたレーザービームの光路内に設けられ、レーザービームを所定のプロフィールに成形するレーザー成形手段と、成形されたレーザービームの被照射位置にてレーザーアニールの対象物を支持する載置台を備えた処理室とを有するレーザーアニール装置において、前記レーザービームの光路内にレーザービームを分割してその高調波成分を除去する複屈折結晶を備えたことを特徴とするレーザーアニール装置、及びその方法。 （もっと読む）

【課題】常圧又は常圧に近い低圧下で、ＧａＮのような融点の高い化合物半導体を分解することなく溶融させることができ、これにより、融液の徐冷によって化合物半導体の活性を高めることができる化合物半導体の活性化方法及び装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体を反応容器１２内に収容し、化合物半導体の融点における平衡蒸気圧が１気圧以下の低蒸気圧ガス２により反応容器内を置換し、反応容器内を前記平衡蒸気圧以上の圧力に保持しながら低蒸気圧ガスを化合物半導体の表面に沿って流し、バンドギャップが前記化合物半導体のそれより大きいパルスレーザ３を化合物半導体の表面に照射する。これにより、低蒸気圧ガスの雰囲気温度を室温あるいは分解温度以下に保持しながら、パルスレーザの照射位置の化合物半導体のみを瞬間的に加熱して溶融させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板に対する熱負荷を低減できる半導体装置の製造方法を提供する。また、半導体素子の特性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、水素及び酸素の混合ガスを燃料とするガスバーナー（２２）の火炎を熱源として、基板（１００）上に成膜された半導体層（１０３）を熱処理する工程を有し、この熱処理によって、半導体層が再結晶化（１０２ａ）され、半導体層の表面に酸化膜（１０２ｂ）が形成される。この酸化膜（１０２ｂ）をゲート絶縁膜や容量絶縁膜として使用することができる。 （もっと読む）

【課題】 結晶性半導体膜を用いた薄膜トランジスタの作製方法において、半導体膜に対するレーザーアニールの効果を高める。
【解決手段】 本発明に係る結晶性半導体膜を用いた薄膜トランジスタの作製方法は、レーザー照射室内を、少なくとも水分子を含有する雰囲気とし、前記レーザー照射室内において、非単結晶半導体膜に対してレーザービームを照射することにより、前記結晶性半導体膜を形成することを特徴とする。これにより、結晶性、均質性が大幅に向上した結晶性半導体膜を用いて、薄膜トランジスタを作製することができる。 （もっと読む）

【課題】 結晶性半導体膜を用いた薄膜トランジスタの作製方法において、半導体膜に対するレーザーアニールの効果を高める。
【解決手段】 本発明に係る結晶性半導体膜を用いた薄膜トランジスタの作製方法は、水分子を含んだガスを非単結晶半導体膜に吹き付けつつ、前記非単結晶半導体膜に対してレーザービームを照射することにより、前記結晶性半導体膜を形成することを特徴とする。これにより、結晶性、均質性が大幅に向上した結晶性半導体膜を用いて、薄膜トランジスタを作製することができる。 （もっと読む）

【課題】 光マスク上に形成した露光パターンを、基板ステージに保持された基板上の半導体薄膜に投影露光して、半導体薄膜の所定の領域を改質する半導体薄膜形成装置の提供。
【解決手段】 光マスク上に形成した露光パターンを、基板ステージに保持された基板上の半導体薄膜に投影露光して、半導体薄膜の所定の領域を改質する半導体薄膜形成装置において、光マスクまたは基板ステージを個別に駆動することにより、露光パターンを順次走査する機構を有する半導体薄膜形成装置。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、液体状の高次シランまたは高次シラン溶液によって作製された前駆体膜を、加熱または光照射によりシリコン膜に変換する際、不活性ガス雰囲気中から酸素を除去することによって、シリコン膜中に酸素が取り込まれることを防ぐ方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、液体状の高次シランまたは高次シラン溶液を基板に塗布し、シリコン膜の前駆体膜（１４）を形成する第一工程と、シリコン膜の前駆体膜（１４）を、加熱処理または紫外線照射処理によって、シリコン膜（１４’）に変換する第二工程と、を含み、前記第一および第二工程を不活性ガス雰囲気中で行い、該不活性ガス雰囲気には酸素と反応し高次シランとは反応しない酸素除去用ガスが添加されていることを特徴とする、シリコン膜の形成方法を提供するものである。 （もっと読む）

【課題】結晶性が優秀な多結晶シリコンを形成すると同時に、結晶化時高温の結晶化温度による基板の曲がりを防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に非晶質シリコンを含むシリコン層を蒸着し、シリコン層をＨ_２Ｏ雰囲気、特定温度下で熱処理して非晶質シリコン層を部分結晶化する工程、部分結晶化された非晶質シリコン層をレーザ光を照射して多結晶シリコン膜を形成する工程と、多結晶シリコン層上にゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程とを備えることによって、非晶質シリコンの固相結晶化法によって結晶化時高温の結晶化温度による基板の曲がりを防止することができ、製造された薄膜トランジスタの不良を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結晶性がよく、熱処理工程を減らすことによって高温の熱処理温度による基板の曲がりを防止することができる半導体装置の製造方法及びこれを用いて製造される半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１０上に非晶質シリコンを含むシリコン層を蒸着し、不純物をドーピングしてソース／ドレイン領域を形成し、Ｈ_２Ｏ雰囲気、一定温度下で熱処理して非晶質シリコンを結晶化すると同時に不純物を活性化して半導体層２４を形成することにより、熱処理工程を減らすことによって熱による基板１０の損傷を防止することができる。 （もっと読む）