【課題】 アニール処理時に形成されたピッチムラを低減でき、また、装置構成が簡単で、かつ汎用性が高いレーザーアニール装置及びその方法の提供。
【解決手段】レーザー発振器と、生成されたレーザービームの光路内に設けられ、レーザービームを線状のプロフィールに成形するビーム成形手段と、成形されたレーザービームの被照射位置にてレーザーアニールの対象物を支持する載置台を備えた処理室とを有するレーザーアニール装置において、前記レーザービームの光路内に、複屈折結晶を、この複屈折結晶に入射するレーザービームをレーザービームの集光方向に分割するように配置するレーザーアニール装置、及びその方法。 （もっと読む）

【課題】ばらつきの少ないしきい値電圧を有する半導体素子を形成するため、活性層中への低濃度かつ、安定した濃度で不純物を導入することのできる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板に設けられた半導体膜表面を洗浄する洗浄ユニットと、半導体膜表面に不純物を付着させる不純物導入ユニットと、不純物が付着した半導体膜を結晶化させるレーザ結晶化ユニットと、洗浄ユニット、不純物導入ユニット、及びレーザ結晶化ユニットと、をそれぞれ接続する搬送ロボットと、を有する半導体製造装置において、不純物導入ユニットでの暴露時間によって、半導体膜へ付着される不純物の量を制御し、レーザ結晶化によって半導体膜を結晶化すると同時に、低濃度の不純物を含む結晶性半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｓ値が小さくオン電流の低下が抑えられた応答性のよい半導体装置の構成及び作製方法を提案する。
【解決手段】ソース領域又はドレイン領域の膜厚がチャネル形成領域の膜厚より厚く形成されている。このような半導体装置の作製方法としては、まず基板上に設けられた絶縁層により形成される凹凸上に非晶質半導体層を形成し、非晶質半導体層にレーザビームを照射して非晶質半導体を溶融することにより膜厚の異なる結晶質半導体層を形成する。そして、結晶質半導体層の膜厚の厚い部分に不純物を添加することによりソース領域又はドレイン領域を形成し、不純物が添加されない領域をチャネル形成領域とし、ソース領域又はドレイン領域と電気的に接続する導電層を形成することにより作製することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の活性化を効果的に行う半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上に剥離層を形成し、前記剥離層上に第１の絶縁膜を介して半導体膜を形成し、前記半導体膜上に第２の絶縁膜を介して第１の導電膜を形成し、前記第１の導電膜をマスクとして、前記半導体膜に選択的に不純物元素を導入し、前記第１の導電膜及び前記半導体膜を覆うように第２の絶縁膜を形成し、前記第２の絶縁膜上に第２の導電膜を形成し、前記第２の導電膜を覆うように第３の絶縁膜を形成し、前記基板を剥離して前記第１の絶縁膜を露出させ、前記第１の絶縁膜の露出面側から前記半導体膜にレーザー光を照射する。 （もっと読む）

【課題】比較的低温（５００℃未満）のプロセスで作製される素子を基板から剥離し、可撓性を有する半導体装置を作製する方法を提供する。
【解決手段】既存の大型ガラス基板の製造装置を用いて、ガラス基板上にモリブデン膜及びその表面に酸化モリブデン膜を形成し、酸化モリブデン膜上に非金属無機膜及び有機化合物膜を積層し、有機化合物膜上に比較的低温（５００℃未満）のプロセスで作製される素子を形成した後、その素子をガラス基板から剥離する。 （もっと読む）

【課題】Ｐチャネル型ＴＦＴとＮチャネル型ＴＦＴとを同一基板上に形成する場合に、プロセスを増加させることなく、ＴＦＴや各種回路に要求される特性を確保することが可能な半導体装置の構成及びその作製方法を提案する。
【解決手段】半導体層３３は、チャネル形成領域３３ａとソース領域又はドレイン領域として機能するｎ型を示す不純物領域３３ｂ、３３ｃとに加えて、チャネル形成領域３３ａの下方、ここではチャネル形成領域３３ａの絶縁層３２と接する側の表面付近にボロンが添加された不純物領域３３ｄを有している。また、半導体層３４は、チャネル形成領域３４ａとソース領域又はドレイン領域として機能するｐ型を示す不純物領域３４ｂ、３４ｃとに加えて、チャネル形成領域３４ａの下方、ここではチャネル形成領域３４ａの絶縁層３２と接する側の表面付近にボロンが添加された不純物領域３４ｄを有している。 （もっと読む）

【課題】低消費電力かつ高信頼性を付与された半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上にソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を含む半導体層と、半導体層側面を覆う第１の側壁絶縁層と、半導体層及び第１の側壁絶縁層上にゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上にゲート電極層と、ゲート電極層側面を覆う第２の側壁絶縁層とを有し、ゲート絶縁層は半導体層のチャネル形成領域を覆っており、ソース領域及びドレイン領域は表面にシリサイドが設けられている。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁層の膜厚が薄くなった部分、すなわち段差部による半導体素子特性への影響を低減し、半導体素子の信頼性を向上させることを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上に半導体層を形成し、半導体層の端部をウェット酸化して第１の絶縁層を形成し、半導体層上および第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成し、第２の絶縁層を介して、半導体層上および第１の絶縁層上にゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】無線で充電可能なバッテリーが設けられた半導体装置に給電器を近接させない場合であっても、当該バッテリーの充電が可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】アンテナ回路と、前記アンテナ回路を介して無線通信を行う通信制御回路と、前記アンテナ回路を介して無線で供給される電力が充電されるバッテリーと、前記アンテナ回路を介して他の半導体装置のバッテリーに無線で電力の供給を行う発振回路とを設ける。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板、下地保護膜、及び結晶性珪素膜に亀裂が入ることを抑制することが可能な結晶性珪素膜の作製方法、及び半導体装置の作製方法を提案することを課題とする。
【解決手段】熱膨張率が６×１０^−７／℃より大きく３８×１０^−７／℃以下のガラス基板上に、半導体膜を含む層を形成し、当該層を加熱する。次に、加熱された層に、紫外光であって、レーザビームの幅が１００μｍ以下で、レーザビームの幅に対するレーザビームの長さの比が１対５００以上であり、レーザビームのプロファイルの半値幅が５０μｍ以下であるパルス発振のレーザビームを照射して、結晶性半導体膜を形成する。ガラス基板上に形成する半導体膜を含む層は、上記加熱後において全応力が−５００Ｎ／ｍ以上＋５０Ｎ／ｍ以下、好ましくは−１５０Ｎ／ｍ以上０Ｎ／ｍ以下となるような層を形成する。 （もっと読む）

【課題】より簡易な完全空乏型ＳＯＩのゲートオールアラウンド型ＭＯＳＦＥＴの製造法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、絶縁性基板に規則的に配列された複数の結晶化起点部を形成する結晶化起点形成工程と、結晶化起点部及び絶縁層上に非単結晶半導体層を形成する第１の成膜工程と、非単結晶半導体層を結晶化起点部を複数含む範囲で溶融結晶化させ、各結晶化起点部毎に半導体結晶粒をそれぞれ成長させて当該半導体結晶粒相互の膨張衝突により隆起した突起部分を有する結晶性半導体層を形成する溶融結晶化工程と、結晶性半導体層上に絶縁層を形成するゲート絶縁層形成工程と、結晶性半導体層の突起部分に絶縁層を介してゲート電極層を形成するゲート電極形成工程と、結晶性半導体層の突起部の頂部及び基部にそれぞれ第１及び第２の導電層を形成するソース・ドレイン領域形成工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射を行う際に、レーザ光の長軸方向の端部領域におけるエネルギー強度分布の低い領域の、エネルギー強度分布を高くするレーザ照射装置およびレーザ照射方法の提供を目的とする。
【解決手段】レーザ光を照射面に照射させる際に、レーザ発振器から発振されたレーザ光を、光学素子を介して一方向に集光する。光学素子を通過し、一方向に集光されたレーザ光を、レーザ光の長軸方向における端部領域を遮光する手段を通過させることにより、照射面においてレーザの長軸方向の端部領域にエネルギー強度分布が急峻に高くなる領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】非単結晶半導体の結晶化を安全かつ高効率に行なうことが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】円柱または円筒の形状の回転ステージを有するローラーと、エネルギービームを出射するエネルギービーム照射機構と、ローラーおよびエネルギービーム照射機構を収容するチャンバーと、ローラーとエネルギービームの光軸との相対的な位置関係を変化させるための照射位置移動機構とを備え、該回転ステージは、円柱または円筒の底面の中心を通り底面と垂直をなす回転軸を中心に回転可能であり、回転ステージの側面の少なくとも一部の領域に基板ステージが設けられ、照射位置移動機構は、上記側面に対してエネルギービームが螺旋状に走査されるように上記の位置関係を回転軸の方向に変化させる機構であり、チャンバーはエネルギービームを遮蔽する材質からなる、半導体製造装置に関する。 （もっと読む）

【課題】ビームエキスパンダー光学系を介して被照射物にレーザ光の照射を行う場合に、被照射物へのレーザ光の照射位置の誤差を低減させ、かつ、ビームエキスパンダー光学系を作り替えることなく任意の大きさのレーザ光を照射することができるレーザ光照射装置およびレーザ光の照射方法の提供を目的とする。
【解決手段】レーザ発振器と、ズーム機能を具備するビームエキスパンダー光学系と、レーザ発振器とビームエキスパンダー光学系とを共役にする位置に配置された補正レンズとを有するレーザ光照射装置であって、ビームエキスパンダー光学系は、少なくとも３枚のレンズを有し、レーザ光の進行方向において順に第１のレンズ、第２のレンズ、第３のレンズとすると、第２のレンズおよび第３のレンズはレーザ光の倍率にあわせて連動する。 （もっと読む）

【課題】結晶粒界の方向や結晶粒の幅を制御することが可能な結晶性半導体膜の作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、非晶質半導体膜上に、キャップ膜を形成し、キャップ膜を透過する連続発振又は繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のレーザビームが非晶質半導体膜に照射されるように走査して非晶質半導体膜を溶融させた後結晶化する。このとき、レーザビームのビームスポットにおける長さ方向のエネルギーの周期が０．５μｍ以上１０μｍ以下、好ましくは１μｍ以上５μｍ以下であり、レーザビームのビームスポットにおける幅方向のエネルギー分布はガウス分布であり、非晶質珪素膜の一領域あたりにレーザビームを５マイクロ秒以上１００マイクロ秒以下照射するようにレーザビームを走査する。 （もっと読む）

【課題】レーザー結晶化法により、粒界が一方向に揃った結晶質半導体膜と、その作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成した半導体膜を線状レーザー光により結晶化するに際して、ストライプ状に凹凸が形成された位相シフトマスクを用いる。位相シフトマスクに形成されたストライプ状の凹凸は線状レーザー光の長軸方向と垂直に近い角度をなすように形成されている。レーザー光には連続発振のレーザー光を用い、該レーザー光の走査方向はストライプ状の凹凸（溝）の方向とほぼ平行である。長軸方向に周期的にレーザー光の輝度を変化させることによって、完全溶融した半導体膜の結晶核生成位置を制御することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶粒の幅を制御することが可能な結晶性半導体膜の作製方法、さらには、特定の結晶構造を有し、且つ結晶粒の幅を制御することが可能な結晶性半導体膜の作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、非晶質半導体膜上に、キャップ膜を形成し、キャップ膜を透過する連続発振又は繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のレーザビームが非晶質半導体膜に照射されるように走査して非晶質半導体膜を溶融させた後結晶化する。このとき、レーザビームのビームスポットにおける長さ方向及び幅方向のエネルギー分布はガウス分布であり、非晶質半導体膜の一領域あたりにレーザビームを５マイクロ秒以上１００マイクロ秒以下照射するようにレーザビームを走査する。 （もっと読む）

【課題】
コンパクトな構成で、複数のレーザビームを合成し、長尺方向で均一化した強度分布を有する長尺ビームを照射する。
【解決手段】
複数のレーザ光源の各々から出射したレーザビームを光ファイバに結合し、光ファイバの出射面を第１の方向に並んで配列する。複数の光ファイバの出射面から出射する複数の光ビームをＮＡ変換光学系に導入し、第１の方向のＮＡを変換する。ＮＡを変換した光ビームをカレイドスコープに導入し、第１の方向に関して複数回反射させる。第１の方向の光強度分布を平均化した合成光ビームをカレイドスコープから出射する。直交方向に関して異なる焦点距離を有する結像光学系で、長尺方向はカレイドスコープの出射面の像を、短尺方向は光ファイバの出射面の像を、それぞれ照射面上に結像する。 （もっと読む）

【課題】基板、下地保護膜、及び結晶性珪素膜に亀裂が入ることを抑制することが可能な結晶性珪素膜の作製方法、及び半導体装置の作製方法を提案することを課題とする。
【解決手段】熱膨張率が６×１０^−７／℃より大きく３８×１０^−７／℃以下、好ましくは６×１０^−７／℃より大きく３１．８×１０^−７／℃以下の基板上に、半導体膜を含む層を形成し、当該層を加熱する。次に、加熱された層にレーザビームを照射して、半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を形成する。基板上に形成する半導体膜を含む層は、上記加熱後においては、半導体膜を含む層の全応力が−５００Ｎ／ｍ以上＋５０Ｎ／ｍ以下、好ましくは−１５０Ｎ／ｍ以上０Ｎ／ｍ以下となるような層を形成する。 （もっと読む）

【課題】視認性の優れた高画質な表示機能を有する信頼性の高い表示装置を提供することを目的とする。またそのような表示装置を工程、装置を複雑化することなく、高い信頼性を付与して作製することができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】発光素子と電気的に接続し、発光素子を駆動させる薄膜トランジスタとして、ｐチャネル型薄膜トランジスタを用いる場合、そのｐチャネル型薄膜トランジスタのカットオフ電流を駆動回路のｐチャネル型薄膜トランジスタより低くする。具体的には表示装置の構成する薄膜トランジスタの半導体層に対して選択的にチャネルドープを行う。 （もっと読む）