【課題】ゲート絶縁膜を薄膜化して半導体デバイスの特性を向上させ、且つリーク電流を低減できる半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】多結晶半導体膜１０３ａ上に金属膜であるアルミニウム膜１２１ａを形成し、前記アルミニウム膜にプラズマ酸化処理を施すことにより、前記アルミニウム膜を酸化して酸化アルミニウム膜１０４を形成するとともに、前記多結晶半導体膜１０３ａと前記酸化アルミニウム膜との間に酸化珪素膜１００ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】ＣＷレーザを半導体膜上に相対的に走査させながら照射すると、走査方向に延びた長い結晶粒が形成される。このようにして形成された半導体膜は、走査方向において単結晶に近い特性のものとなる。しかしながら、ＣＷレーザの干渉性が高いため、均一なレーザ照射を行うのが難しい。
【解決手段】レーザと、前記レーザから射出されるレーザビームを照射面またはその近傍にて楕円または長方形状のビームに加工する手段と、前記レーザビームに対して前記照射面を相対的に移動させる手段と、前記照射面の移動方向の単位ベクトルと前記照射面に対する前記レーザビームの入射方向の単位ベクトルとの内積を一定とする手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】照射面またはその近傍におけるレーザ光の端部は、レンズの収差などにより、エネルギー密度が徐々に減衰している。このような領域（減衰領域）は被照射体のアニールにおけるエネルギー密度が十分でないため、前記被照射体に対して均一なアニールを行うことはできない。
【解決手段】複数のレーザ光のうちの１つのレーザ光のスポットを切断して２つに分割し、分割されたレーザ光のそれぞれの切断面が外側となるように入れ替える手段と、複数のレーザ光を１つに重ね合わせ線状に形成する手段とを有し、重ね合わせ線状に形成する手段により重ね合わされた線状のレーザー光の長尺方向において、減衰領域を除いたエネルギー密度の平均値は±１０％以内であり、重ね合わされた線状のレーザ光は、分割されたレーザ光の切断面を長尺方向の両端部とし、かつ分割されたレーザ光同士は重なり合わない。 （もっと読む）

【課題】結晶質半導体膜へ損傷を与えずに希ガスを含有したアモルファスシリコン膜を高速で形成し、結晶化を促進させる金属元素をゲッタリングする方法を提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に、半導体膜の結晶化を促進させる元素を含む結晶質半導体膜を形成し、前記結晶質半導体膜上に酸化膜を形成し、０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下の電子温度で、かつ１．０×１０^１１ｃｍ^−３以上１．０×１０^１３ｃｍ^−３以下の電子密度のプラズマを発生させるプラズマ処理装置を用いて、前記酸化膜上に希ガス元素を含むアモルファスシリコン膜を形成し、前記結晶質半導体膜、前記酸化膜及び前記希ガスを含むアモルファスシリコン膜を加熱して前記結晶質半導体膜から前記半導体膜の結晶化を促進する元素を除去する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】化学的及び物理的な強度に優れ、耐環境性にも優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】集積回路を有する積層体の一方の面を覆うように、第１の基材及び第１の接着剤層を有する第１の積層フィルムを接着し、前記積層体の他方の面を覆うように、第２の基材及び第２の接着剤層を有する第２の積層フィルムを接着して前記積層体を封止し、前記第１の積層フィルム及び前記第２の積層フィルムを切断する。そして、前記切断により露呈された第１の積層フィルム及び第２の積層フィルムの切断面に対してレーザー光を照射する。 （もっと読む）

【課題】空間を有する微小構造体、当該微小構造体を制御する電気回路等を同一基板上に備えた半導体装置を作製することは難しかった。
【解決手段】半導体装置が有する微小構造体は、金属元素を用いて熱結晶化又はレーザ結晶化された多結晶シリコンを有する構造層を形成し低温プロセスで作製することにより、微小構造体、当該微小構造体を制御する電気回路を同一基板上に備えることができる。電気回路には、アンテナによる無線通信を行う無線通信回路が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハ上に形成されるものではない微小構造体、および微小構造体を有するマイクロマシンを提供する。また、微小構造体およびマイクロマシンの作製方法を提供する。
【解決手段】ガラスなどの絶縁物からなる基板１０１の上に第１の構造層１０３を成膜する。この構造層は結晶化を促進する金属元素を用いて熱結晶化またはレーザ結晶化された多結晶シリコンを用いる。この多結晶シリコンは一般的な多結晶シリコンと異なり結晶粒界で共有結合が途切れることなく連続しており、破壊応力が高く構造層に好適となる。続いて第１の構造層の上に犠牲層１０４を、さらに第２の構造層１０５を成膜する。第２の構造層は第１の構造層と同様な材料、同様な結晶構造を有するものを用いることができる。その後犠牲層を除去すれば第２の構造層は梁構造となり、微小構造体が得られる。 （もっと読む）

【課題】大量生産が可能で、従来のガラス基板や単結晶シリコン基板とは異なり、低コストでかつ非常に厚さの薄い薄膜集積回路、及び該薄膜集積回路を用いた薄膜集積回路装置又はＩＣチップの構造、プロセスを提供することを目的としている。
【解決手段】シリコン基板の一表面上に第１の絶縁膜を形成し、前記第１の絶縁膜上に少なくとも２つ以上の薄膜集積回路を有する層を形成し、前記薄膜集積回路を有する層を覆うように樹脂層を形成し、前記樹脂層を覆うようにフィルムを形成し、前記シリコン基板の前記薄膜集積回路を有する層を形成した一表面の裏面を研削し、前記シリコン基板の研削した面を研磨する。 （もっと読む）

【課題】マイクロマシンを構成する微小構造体および半導体素子において、同一基板上に、同一工程で微小構造体と半導体素子を形成する作製方法を提供する。
【解決手段】基板１０１上の微小構造体となる箇所に第１の犠牲層１０３を、その上に構造層１０５を成膜する。また半導体素子となる箇所には半導体層１０４を成膜する。構造層は結晶化を促進する金属を用いて熱結晶化またはレーザ結晶化された多結晶シリコンを用いる。この多結晶シリコンは一般的な多結晶シリコンと異なり結晶粒界で共有結合が途切れず破壊応力が高く構造層に好適となる。またこの多結晶シリコンは半導体層１０４としても使うことが可能で微小構造体と半導体素子を同一基板上に形成可能である。続けて構造層の上には第２の犠牲層１０８を成膜し、半導体層の上には半導体素子を形成する。最終的には第１と第２の犠牲層を除去し、構造層の下方と上方に空間を作り微小構造体とする。 （もっと読む）

【課題】 高い駆動能力を持つ多結晶半導体ＴＦＴと、低いリーク電流、高耐圧の特性を持つＴＦＴを同時に同一絶縁体基板上に形成する。
【解決手段】 アンダーコート用絶縁層ＵＣＬを形成した絶縁体基板ＧＬＳ上の前駆半導体膜ＰＣＦに対し、高性能な回路を構成するＴＦＴが配置される領域のみに第一のエネルギービームＬＳＲを照射して結晶粒を横方向成長させながら多結晶化する。更に第二の高速熱処理をパネル全面に行い、先のエネルギービームで多結晶化した領域ＰＳＩでは結晶粒内の欠陥を低減させ、高いオン電流、低いしきい値、低ばらつき、急峻な立ち上がり特性を持つ高性能回路用ＴＦＴ用の高品質多結晶半導体薄膜を得る。同時に第二の高速熱処理により上記以外の領域の前駆半導体層を多結晶化して、オン電流は低いが、高抵抗のためにリーク電流は低く、耐圧が高い特性を持つ画素回路ＴＦＴ用の低品質多結晶半導体薄膜を得る。 （もっと読む）

【課題】工程を追加することなくリッジの発生を抑制する。
【解決手段】表面にアモルファスシリコン膜５ｂが形成された処理基板５を載置するステージ８と、そのステージ８に載置された処理基板５のアモルファスシリコン膜５ｂに対してレーザー光１０を照射するレーザー光照射部２０とを備え、そのレーザー光照射部２０から照射されるレーザー光１０の照射領域をアモルファスシリコン膜５ｂの表面に沿って走査することによって、アモルファスシリコン膜５ｂを順次結晶化するレーザーアニール装置３０であって、レーザー光照射部２０とステージ８との間には、レーザー光１０を散乱させる光散乱手段として表面凹凸層４ｂを有する透過板４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】結晶方位が一定でない結晶性半導体膜表面に機械的化学的研磨を行った際、結晶性半導体膜を平坦化し、半導体装置の特性を向上させることを可能とする、半導体装置の製造方法、そしてこの製造方法により得られた集積回路、電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】面方位が２以上有る結晶性半導体膜２０の表面を化学的機械的研磨により平坦化、及び薄膜化した後、平坦化結晶性半導体膜２１を用いて半導体素子を形成する半導体装置の製造方法である。化学的機械的研磨における研磨液として、水素イオン濃度がＰＨ９．０以下のアルカリ溶液を用いる。 （もっと読む）

【課題】従来方法に比べ格段に粒径の大きな多結晶シリコン薄膜を形成して、性能の向上した電子回路装置を構成できる薄膜半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】異種基板０１、０９上に非晶質シリコン薄膜０４ａ、１１ａを所望の膜厚以上に形成し、連続波レーザ光０６、１３を照射し走査を行なうことによって多結晶シリコン薄膜０４ｂ、１１ｂを形成し、その後、所望の膜厚まで薄くし、多結晶シリコン薄膜０４ｂ’、１１ｂ’を形成する。 （もっと読む）

【課題】クラックを生じさせることなく、レーザアニールで厚膜の多結晶シリコン膜をガラス基板等の異種基板上に作製することを可能とする。
【解決手段】ガラス等の異種基板０１上に形成されたシリコンを主成分とする膜０３にレーザ光１２を走査させることで熱処理を行い、該シリコンを主成分とする膜０３を融解、結晶化０３ａを行う薄膜半導体装置の製造方法において、上記レーザ光１２として、走査方向に対して２つの領域１３、１４からなり、一つの領域１４はレーザ光強度が強く、もう一つの領域１３はレーザ光強度が弱く、且つレーザ光強度の強い領域１４は、もう一つのレーザ光強度が弱い領域１３よりも走査方向に向かってその長さが短く、且つレーザ光走査した際、レーザ光強度の弱い領域１３が照射された後、レーザ光強度の強い領域１４が照射される順に並んだものを用いる。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン膜を用いて薄膜トランジスタと抵抗素子とが形成された半導体装置において、抵抗素子の抵抗値の安定化を図ることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板２０上に、薄膜トランジスタ１０１および抵抗素子１０２が形成されている。薄膜トランジスタ１０１は、ゲート電極２２上にゲート絶縁膜２４を介してポリシリコンからなる半導体薄膜２７が形成されたボトムゲート型の薄膜トランジスタである。抵抗素子１０２は、ポリシリコンからなる半導体薄膜２８により形成される。抵抗素子１０２となる半導体薄膜２８の下層には、薄膜トランジスタ１０１のゲート電極２２を利用して形成された導電性薄膜２３が配置されている。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン表面を酸化してゲート絶縁膜を形成する酸化工程に先だって、ガスクラスタイオンビームを多結晶シリコン表面に照射し、表面凹凸を平坦化するとともに、多結晶シリコン表層部の結晶を破壊してアモルファスシリコン化する工程を加えることにより、酸化工程において、平坦なゲート絶縁膜を形成でき、耐電圧の向上が図られ、かつ、シリコンの酸化速度が速められ、プロセス時間の短縮が図られる薄膜半導体の製造方法を得る。
【解決手段】絶縁基板１上にアモルファスシリコン層２を形成する工程と、アモルファスシリコン層２をアニールして多結晶シリコン層３を形成する工程と、多結晶シリコン層３の表面にガスクラスタイオンビームを照射する工程と、ガスクラスタイオンビームが照射された多結晶シリコン層３の表面に酸素を含む雰囲気を作用させて酸化シリコン層５を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 面方位が制御され、しかも単結晶の結晶構造を有し、これによって移動度等の電気的特性（半導体特性）に優れた薄膜半導体装置を製造し得る、方法を提供する。
【解決手段】 基板１上に下地膜２を形成する工程と、下地膜２上にシリコンの結晶化を促進する触媒金属３を点状に配する工程と、触媒金属３を覆って基板１上に非晶質シリコンを成膜するとともに、非晶質シリコン膜４と触媒金属３とを反応させて金属シリサイド５を形成する工程と、金属シリサイド５を形成した非晶質シリコン膜４を加熱して固相成長させ、固相成長粒６を形成する工程と、非晶質シリコン膜４を溶融・結晶化させることによって所定の面方位を有する単結晶シリコン粒７を、固相成長粒６を種結晶として形成する工程と、を含む薄膜半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の回路が形成されているSi層上に絶縁膜を形成し、該絶縁膜上に多結晶もしくは非晶質Si層を積層し、これをレーザー照射及び走査により（再）結晶化して、ここに別の半導体素子の回路を形成し、これらの回路を接続する３次元半導体デバイスの製造方法に関する。レーザー（再）結晶化Ｓｉ層の結晶性を改良することにより、現在のICに適した性能を与える。
【解決手段】絶縁膜17,26をCMPにより平坦化する；多結晶又は非晶質Ｓｉ層22,32を積層し、エネルギーが照射面積当たり10J/cm²以上の固体連続波レーザーにより照射・走査行う；Ｓｉ層22,32に10¹⁴/cm²以上のドーズ量で水素イオンを添加する；その後Si層22,32が溶融しない条件加熱処理する。 （もっと読む）

【課題】短い光路長で線状のビームスポットを形成でき、または長辺方向の長さが長い線状のビームスポットを形成でき、さらにその線方向の両端における集光位置のずれを解消できるレーザ照射装置を提供することを課題とする。
【解決手段】レーザ発振器から射出したレーザビームを、長辺方向と短辺方向とを有する線状のビームスポットに成形する光学系を有するレーザ照射装置において、前記光学系は、前記第一の短辺方向集光用シリンドリカルレンズと前記第二の短辺方向集光用シリンドリカルレンズとの間に長辺方向集光用シリンドリカルレンズが配置され、前記長辺方向集光用シリンドリカルレンズで均一面の位置のずれを発生させ、前記均一面から前記第二の短辺方向集光用シリンドリカルレンズまでの距離が画角によらず一定となるようにすることを特徴とする。 （もっと読む）