【課題】ビームエキスパンダー光学系を介して回折光学素子にレーザー光の照射を行う場合に、回折光学素子へのレーザー光の照射位置の誤差を低減するレーザー光照射装置およびレーザー光の照射方法の提供を目的とする。
【解決手段】レーザー発振器から発振されたレーザー光を２組のレンズからなるビームエキスパンダー光学系を介して、当該レーザー光のスケールを大きくした後に回折光学素子に入射させる場合に、第１のレンズによりレーザ光の射出点の位置と第２のレンズの位置とが共役の関係になるように、レーザ光の射出点と第１のレンズと第２のレンズとを配置する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された半導体薄膜を用いた場合であっても、信号処理の高速化を実現し、一定の通信距離の確保を可能とする半導体装置及びその作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上に設けられた容量部を具備するアナログ回路部と、デジタル回路部とを有する半導体装置において、当該容量部に、それぞれ複数の容量素子を含む複数のブロックと、第１の配線と、第２の配線とを設ける。また、各ブロックに設けられた複数の容量素子の各々は、第１の不純物領域と、第１の不純物領域を挟んで互いに離間して設けられた複数の第２の不純物領域とを具備する半導体膜と、第１の不純物領域の上方に絶縁膜を介して設けられた導電膜とを有し、第１の不純物領域、絶縁膜及び導電膜により容量が形成されるように設ける。 （もっと読む）

【課題】増幅回路内の寄生抵抗を、補正抵抗を設置することで調整し、増幅回路を安定に動作させる。
【解決手段】カレントミラー回路において、カレントミラー回路内の寄生抵抗に対して、寄生抵抗を補正する補正抵抗が設置されている半導体装置であり、カレントミラー回路は、少なくとも２つの薄膜トランジスタを有するものである。薄膜トランジスタのそれぞれは、チャネル形成領域、ソース領域またはドレイン領域を有する島状半導体膜、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース電極またはドレイン電極を有しており、補正抵抗は、ゲート電極、ソース電極、もしくはドレイン電極のいずれか１つの寄生抵抗を補正するものである。また補正抵抗はそれぞれ、ゲート電極、ソース電極またはドレイン電極、もしくはソース領域またはドレイン領域と同じ材料を含む導電層を有するものである。 （もっと読む）

【課題】半導体素子間での電気特性のばらつきが低減された半導体膜、それを備えた半導体装置及びそれらの作製方法の提供。
【解決手段】その作製方法は、基板上に絶縁膜を形成し、前記絶縁層上に非晶質半導体膜を形成し、前記非晶質半導体膜上に、膜厚が２００〜１０００ｎｍであり、且つ酸素を１０ａｔｏｍｉｃ％以下含み、且つ珪素に対する窒素の組成比が１．３以上１．５以下である窒化珪素膜を形成し、前記窒化珪素膜を透過する連続発振のレーザ光または繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のレーザ光を前記非晶質半導体膜に照射して前記非晶質半導体膜を溶融させた後結晶化して、結晶性半導体膜を形成し、前記結晶性半導体膜を用いて半導体素子を形成することを特徴とするものであり、この方法により、直交する３面において結晶の面方位が一定の割合以上揃う結晶性半導体膜を形成することができ、その結果、隣接する半導体素子間での電気特性のばらつきが低減され、優れた特性を有する半導体装置を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ＣＷレーザや発振周波数が１０ＭＨｚ以上のパルスレーザを用いた結晶化で得られるそれぞれの結晶粒の面方位を、レーザビームの照射領域内で一方向とみなすことができる方向に制御する。
【解決手段】半導体膜上にキャップ膜を形成したのちにＣＷレーザまたは発振周波数が１０ＭＨｚ以上のパルスレーザを照射して半導体膜を結晶化する。得られた半導体膜は複数の結晶粒を有し、この結晶粒は幅が０．０１μｍ以上、長さが１μｍ以上であり、この半導体膜の表面に垂直な方向を第１方向とし、この第１方向を法線ベクトルとする面を第１面とすると、第１面における半導体膜の面方位は、±１０°の角度揺らぎの範囲内において｛２１１｝方位が４割以上である。この半導体膜を用いて半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】微小構造体の作製工程中の不良を防止する構造及びその作製方法を提供する。また、微小構造体の動作中の不良を防止する構造及びその作製方法を提供する。特に、犠牲層エッチングの際の座屈、又は構造体の動作時の座屈を防止する。
【解決手段】第１の構造層１０２と、第１の構造層に空隙１０６を介して対向し、且つ一部が第１の構造層に固定されている第２の構造層１０４とを有する微小構造体１００である。第１の構造層１０２及び第２の構造層１０４は少なくとも一方が変位可能である。また、第１の構造層及び第２の構造層の対向する表面１１４，１１６は、互いに異なる粗さで粗面化されている。 （もっと読む）

【課題】基板処理の効率を高めることができるレーザー結晶化法を用いた半導体製造装置の提供を課題とする。
【解決手段】レーザー結晶化の際、複数のレーザー照射装置から照射された複数のレーザー光の重ね合わせを行う。そして、レーザーエネルギー密度と、隣り合うレーザー光のレーザーエネルギー密度のピーク間の距離と、の関係式を導くことで、結晶性の良好な半導体膜が得られるレーザーエネルギー密度の範囲から、レーザー光を重ね合わせることが可能な範囲を算出し、レーザーエネルギー密度の弱い部分を補い、かつ、レーザー光の走査回数を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】複数のデバイス層を積層配置してなる半導体装置におけるデバイス層間の接続構造をチップ面積の増大や製造工程の複雑化を招くことなく実現し、好ましくは前記層間接続の信頼性の向上も実現した半導体装置を提供する。
【解決手段】デバイス層１０１，１０２が積層され、第２のデバイス層１０２は、表面に複数の微細孔Ｇ１を有する起点部層２１１と、起点部層２１１を起点として形成された略単結晶粒を含む半導体膜を用いて形成されたトランジスタＱ１２（デバイス）を有するデバイス形成層２１２とを備えており、トランジスタＱ１２等を構成する結晶化半導体膜２０１，２０２の側端面に絶縁材料からなるサイドウォール２０１ｓ、２０２ｓが設けられており、トランジスタ（デバイス）Ｑ１１とトランジスタＱ１２とを接続するコンタクト部Ｃ５は、結晶化半導体膜２０１，２０２の間の領域に形成されている。 （もっと読む）

【課題】起点部より成長させてなる結晶粒を有する半導体膜を用いたデバイスを３次元配置してなり、いずれの層に配置されたデバイスにおいても所望のデバイス特性を得ることができる半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、表面に複数の微細孔Ｇ１１，Ｇ１２を有する起点部層２１１と、前記微細孔Ｇ１１，Ｇ１２を起点として形成された略単結晶粒を含む半導体膜２０１，２０２を用いて形成されたデバイス形成層２１２とを備えたデバイス層１０１上に、同様の構成を具備したデバイス層１０２，１０３を積層してなり、前記デバイス層１０１〜１０３に属する前記微細孔（例えば微細孔Ｇ２１）は、隣接して配置された他の前記デバイス層１０１〜１０３に属する前記微細孔（例えば微細孔Ｇ１１，Ｇ３１）から平面視で離間した位置に形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の品質に面内ばらつきが生じることを抑制できる半導体膜の結晶化方法を提供する。
【解決手段】半導体膜の結晶化方法は、基板５１０上に形成された半導体膜５０６に、第１のレーザ光５０３を基板５１０の底面５１０ａに対して傾斜した状態で照射しつつ、第１のレーザ光５０３とは異なる発振器から発振された第２のレーザ光５０４を、基板５１０の底面５１０ａに対して第１のレーザ光５０３とは反対の方向に傾斜した状態で照射することにより、半導体膜５０６の一部を溶融させ、かつ第１及び第２のレーザ光５０３、５０４の照射位置を、該第１又は第２のレーザ光５０３、５０４が傾斜している方向に略沿って走査して、半導体膜５０６の溶融している部分を移動させることにより、半導体膜５０６を結晶化するものである。 （もっと読む）

【課題】ビームエキスパンダー光学系を介して被照射物にレーザー光の照射を行う場合に、被照射物へのレーザー光の照射位置の誤差を低減するレーザー光照射装置およびレーザー光の照射方法の提供を目的とする。
【解決手段】レーザー発振器からレーザー光を射出し、レーザー光を補正レンズを介して凹レンズを有するビームエキスパンダー光学系に入射させる際、レーザー発振器の射出点を第１の共役点、第１の共役点の像が補正レンズを介して結像される点を第２の共役点、補正レンズから第２の共役点までの距離をｂ、凹レンズの焦点距離をｆ、補正レンズと凹レンズとの距離をＸとすると、Ｘが、ｂ−３ｆ≦Ｘ≦ｂ＋ｆ、を満たすようにレーザー発振器、補正レンズおよび凹レンズを配置させる。 （もっと読む）

【課題】偏向器とｆθレンズを使用した光学系にスリットを配置し、レーザビームが照射された領域全体に占める、微結晶が形成される領域の割合を減らし、半導体膜に対して良好にレーザ処理を行うことができるレーザ照射装置及びレーザ照射方法を提供することを課題とする。またさらに、上記のようなレーザ照射装置、及びレーザ照射方法を用いた半導体製造装置の提供を課題とする。
【解決手段】光学系に、像側テレセントリック特性を有するｆθレンズ、または形状をレーザビーム入射角度に応じて変化させたスリットを使用する。またｆθレンズと照射面間にスリットを配置し、投影レンズによりスリット開口部における像を照射面に投影する。上記の構成により、レーザビームの走査範囲の全ての領域で均一にレーザ照射を行うことが可能になる。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の発生が抑制されると共に、ガラス基板が使用できる温度で素子分離をおこない微細な素子を形成できる方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板上に下地膜を形成する第１工程と、下地膜上に半導体膜を形成する第２工程と、半導体膜上に該半導体膜の酸化又は窒化を防止する膜を所定のパターンに形成する第３工程と、ガラス基板の温度を該ガラス基板の歪点より１００℃以上低い温度とし、半導体膜の所定のパターンに覆われていない領域をラジカル酸化又はラジカル窒化して素子分離をおこなう第４工程とを有し、ラジカル酸化又はラジカル窒化は、プラズマ生成領域と離間して配置された半導体膜上において、電子温度が０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下好ましくは１．０ｅＶ以下、電子密度が１×１０^１１ｃｍ^−３以上１×１０^１３ｃｍ^−３以下であるプラズマ処理室でおこなわれる。 （もっと読む）

【課題】従来のレーザ照射装置で用いられているガス噴射させるための板のサイズは大きく、レーザ光が最後に通過する光学系と、板との間にあまり距離を採ることができなかったため、レーザ光が最後に通過する光学系から照射されるレーザ光の状態を確認することが困難であった。
【解決手段】レーザ照射装置は、レーザ発振器と、レーザ発振器から発振されたレーザ光を整形する光学系と、気体を噴射するための開口部を有する板と、板の下部に配置されたステージと、ステージ上方に板とステージの距離を一定に固定させるための手段と、光学系と板との間に設けられ、光学系を通過したレーザ光を観察することができる手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】動作特性及び信頼性の向上した半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に非晶質半導体膜を形成し、前記非晶質半導体膜に結晶化を助長する金属元素を添加し、第１の加熱処理により、前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を形成し、前記第１の加熱処理の際に前記結晶性半導体膜上に形成された第１の酸化膜を除去するとともに第２の酸化膜を形成し、前記第２の酸化膜が形成された前記結晶性半導体膜に第１のレーザ光を照射し、前記第２の酸化膜上に希ガス元素を含む半導体膜を形成し、第２の加熱処理により、前記結晶性半導体膜に含まれる前記金属元素を前記希ガス元素を含む半導体膜にゲッタリングし、前記希ガス元素を含む半導体膜および前記第２の酸化膜を除去し、前記結晶性半導体膜に第２のレーザ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に、同一工程で設けられた微小構造体と半導体素子とを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１０１上の微小構造体となる領域に第１の犠牲層１０３、その上に構造層１０５が設けられる。また半導体素子となる領域には半導体層１０４を成膜する。構造層には金属を用いて結晶化された多結晶シリコンを用いる。この多結晶シリコンは一般的な多結晶シリコンと異なり結晶粒界で共有結合が途切れず破壊応力が高く構造層に好適となる。またこの多結晶シリコンは半導体層１０４としても使うことが可能で、微小構造体と半導体素子を同一基板上に設けることができる。続けて構造層の上には第２の犠牲層１０８が設けられ、半導体層の上には導電層等が設けられる。最終的には第１と第２の犠牲層は除去され、構造層の下方と上方に空間を有する微小構造体とする。 （もっと読む）

【課題】シリンドリカルレンズアレイを用いて線状ビームを形成する際に、原ビームの光軸ずれを防止することでシリンドリカルレンズアレイにおける原ビームの入射位置のずれを防止し、安定的に均一強度分布の線状ビームを形成すること。
【解決手段】レーザ発振器から射出されるレーザビームを偏向する偏向ミラーと、転送レンズと、転送レンズを通過したレーザビームを複数に分割するシリンドリカルレンズアレイと、シリンドリカルレンズアレイで形成されたレーザビームを重ね合わせる集光レンズとを備え、レーザ発振器の射出口から偏向ミラーまでの距離をａ、偏向ミラーから前記転送レンズまでの距離をｂ、転送レンズからシリンドリカルレンズアレイの入射面までの距離をｃ、転送レンズの焦点距離をｆとした場合、これらが次式、
１／ｆ＝１／（ａ＋ｂ）＋１／ｃ
を満たすように配置する。 （もっと読む）

【課題】工程数の増加をもたらすことなく、基板上に異なる特性の薄膜トランジスタ回路を混在させた表示装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＳｉN３０２とＳｉＯ₂膜３０３を積層した下地層を有するガラス基板３０１にａ−Ｓｉ層または微粒結晶ｐ−Ｓｉ層のプリカーサ膜３０４を成膜し、これにインプラを行う。このとき、プリカーサ膜の膜中にドーパントが適当な量で注入されるように加速電圧、ドーズ量を調整する。レーザ照射によってプリカーサ膜３０４が溶融するとき、プリカーサ膜の膜中に入っているドーパントが活性化されて取り込まれる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも簡易な光学系を用い、均一なレーザ照射を行うことのできるレーザ照射装置を提供することを課題とする。また、このようなレーザ照射装置を用いたレーザ照射方法を提供し、レーザ照射方法を工程に含む半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】レーザと、レーザから射出されたレーザ光を偏向させ、ステージにおいて移動させる手段と、ステージを固定し、偏向されたレーザ光をステージに対して一定の角度で入射させる手段とを有し、レーザ光をステージにおいて形状を一定に保ちつつ移動させることを特徴としている。そして、このようなレーザ照射装置を用いて、半導体膜に対してレーザ光の照射を行い、半導体膜の結晶化や活性化を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、大粒径の結晶粒を有する結晶性半導体膜を、位置を制御して形成することにより、高速動作が可能な薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】
下地絶縁膜２３１と半導体膜２３２が形成された基板２３０の表面側から第１のレーザビーム２４１を照射し、基板２３０の裏面側に設置された反射層２２２で反射された第２のレーザビーム２４２を裏面側から照射することにより、半導体膜の所定の位置に結晶核２４５を形成し、横方向に結晶成長させることで大粒径の結晶粒を有する結晶性半導体膜を得るものである。 （もっと読む）