【課題】良好な結晶性を有し高性能な半導体素子を形成することを可能とする半導体基板を提供する。
【解決手段】脆化層を有する単結晶半導体基板と、ベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、熱処理によって、脆化層を境として単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層を固定し、単結晶半導体層にレーザ光を照射し、単結晶半導体層を部分溶融状態として再結晶化し、結晶欠陥を修復する。再結晶化後の単結晶半導体層は深さ方向の濃度分布において、炭素濃度が極大を有する。 （もっと読む）

【課題】高性能な半導体素子を形成することを可能とする半導体基板および半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】脆化層を有する単結晶半導体基板と、ベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、熱処理によって、脆化層を境として単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層を固定する。次いで、モニタ基板の複数の領域に対して互いに異なるエネルギー密度条件でレーザ光を照射し、レーザ光を照射後の単結晶半導体層のそれぞれの領域の炭素濃度及び水素濃度の深さ方向の濃度分布を測定し、炭素濃度が極大を有し、且つ水素濃度がショルダーピークを有するレーザ光の照射強度を最適なレーザ光の照射強度とする。モニタ基板を用いて検出した最適のエネルギー密度で、単結晶半導体層にレーザ光を照射し、半導体基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層と支持基板との間に導電層を形成する半導体装置において、熱による支持基板の反り量の小さくする。また、同半導体装置の生産性の良い作製方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体層と支持基板との間に導電層が形成され、前記単結晶半導体層と前記導電層との間にゲート絶縁膜が形成された構造を有し、前記導電層と支持基板との間に、隙間が設けられる構成を有する。単結晶半導体基板に前記導電層を作製時、第一の絶縁層が単結晶半導体層と支持基板との間に形成されるが、前記導電層形成時に用いたレジスト上に成膜し、この上部の第一の絶縁層はレジストと共に除去することで、第一の絶縁層に凹部を設ける。前記凹部を有した状態で単結晶半導体基板と支持基板とを貼り合わせることで、前記隙間を有する構造とし、また貼りあわせ前の単結晶半導体基板表面平坦化は不要となる。 （もっと読む）

【課題】半導体層欠損領域の修復の際に作業時間の増大を回避し、より効率的に修復を行うことができる、貼り合わせ法により単結晶半導体層を設けた半導体基板の製造方法の提供。
【解決手段】その製造方法は、支持基板に単結晶半導体層を貼り合わせ、該単結晶半導体層の欠損領域である半導体層欠損領域を欠損検知装置１により検出し、該単結晶半導体層上及び半導体層欠損領域に非単結晶半導体層を形成し、欠損検知装置１により検出された半導体層欠損領域の位置情報２２に基づいて半導体層欠損領域の非単結晶半導体層を結晶化する、又は結晶性を高める処理を行い、その後平坦化処理することにより残存する非単結晶半導体層を除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を向上させることができる連続発振のレーザ装置を用いた半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】絶縁表面上に半導体膜を形成し、半導体膜に希ガスを添加し、希ガス雰囲気中で希ガスが添加された半導体膜にレーザ光を照射し、レーザ光の照射の際に半導体膜に磁場を印加し、半導体膜は数μｓ以上数十μｓ以下の間溶融している半導体装置の作製方法を提供する。なお、レーザ光は基本波と高調波を合わせることで効率よく半導体膜を結晶化できる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板における半導体層表面の平坦性を向上させることを目的の一とする。又は、半導体基板の生産性を向上させることを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板の一表面にイオンを照射して損傷領域を形成し、単結晶半導体基板の一表面上に絶縁層を形成し、絶縁表面を有する基板の表面と絶縁層の表面とを接触させて、絶縁表面を有する基板と単結晶半導体基板とを貼り合わせ、加熱処理を施すことにより、損傷領域において単結晶半導体基板を分離して絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層をパターニングして複数の島状半導体層を形成し、島状半導体層の一に、該島状半導体層の全面を覆うように成形されたレーザ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせに係る不良を低減した均質な半導体基板を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板配置領域に複数の開口が設けられた基板支持台と、複数の開口の各々に配置された基板支持機構と、基板支持機構を昇降させる昇降機構と、基板支持台に対する基板支持機構と昇降機構の位置を調節する位置調節機構と、を有する基板貼り合わせ室の基板配置領域に第１の基板を配置し、第１の基板の上方に、第１の基板と接触しないように第２の基板を配置し、基板支持機構を上昇させることにより、第１の基板と前記第２の基板を接触させて、第１の基板と第２の基板の貼り合わせを行い、貼り合わせの後、第１の基板と前記第２の基板を搬送する前に、１５０℃以上４５０℃以下の加熱処理を施す。 （もっと読む）

【課題】チャネル形成領域の空乏化領域を増やし、電流駆動能力の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】島状の半導体領域と、前記島状の半導体領域の側面及び上面を覆って設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記島状の半導体領域の前記側面及び前記上面を覆って設けられたゲート電極とを有し、前記島状の半導体領域の前記側面及び前記上面はチャネル形成領域として機能する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】光アニールおよび当該光アニールにより得られる膜質の評価を行うとともに、装置のコスト抑制および構成簡略化を図ることができる半導体膜の製造方法、および、当該半導体膜の製造方法に使用する光アニール装置を実現する。
【解決手段】半導体膜の製造方法は、光源（２）から出射された光を２つ以上のビーム（Ｌ１、Ｌ２）に分割する工程と、前記２つ以上のビームのうちの少なくとも１つを膜改質光（Ｌ１）として基板上に形成された半導体膜に照射することにより前記半導体膜の結晶性を改質する工程と、前記２つ以上のビームのうちの、前記膜改質光以外の少なくとも１つのビームを検査光（Ｌ２）として前記半導体膜に照射し、前記半導体膜から得られる前記検査光（Ｌ２）の照射の応答内容を検出することにより、前記半導体膜の改質状態を評価する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上に形成されたアモルファスシリコン膜をレーザ等の光で加熱溶融した後に結晶化させて多結晶シリコン膜を得る際に、ガラス基板背面からレーザを照射するものとするとともに背面からの照射を容易とする。
【解決手段】結晶性半導体膜形成装置３は、気体を噴出することによりガラス基板５を浮かせた状態に保持する気体浮上機構４を有する。ガラス基板５は、気体浮上機構４上に、アモルファスシリコン膜５１を下にして配置される。加熱用レーザ２が対物用光学装置６を介してガラス基板５に上面側から照射される。なお、加熱用レーザは、ガラス基板５での吸収が少なく、アモルファスシリコン膜５１での吸収が多い、可視光の緑色レーザとなっている。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上に形成されたアモルファスシリコン膜をレーザ等の光で加熱溶融した後に結晶化させて多結晶シリコン膜を得る際に、ガラス基板背面からレーザを照射するものとするとともに背面からの照射を効率的に行なう。
【解決手段】ガラス基板５は、アモルファスシリコン膜５１を下にして配置される。上から加熱用レーザ２が対物用光学装置６を介してガラス基板５に上面側から照射されて、アモルファスシリコン膜５１で結像する。また、結像するための焦点合わせのために高さセンサ１でアモルファスシリコン膜５１の位置が測定される。測定用レーザは、ガラス基板５の上側から照射され、ガラス基板５の上面と下面で反射する。位置の測定には、共焦点測定方式が用いられ、ガラス基板５の下面で反射する光を用いてアモルファスシリコン膜５１の位置が測定され、当該位置に基いて照射される光の焦点が合わされる。 （もっと読む）

【課題】半導体層の溶融状態の簡易な判定方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】レーザー光を照射する面とは反対の面に所定の波長の光（参照光）を照射して、半導体層の溶融状態を評価する。具体的には、参照光の反射率（単に反射光強度などでも良い）を測定することにより、反射率が所定の値未満であれば非溶融状態にあると判断し、反射率が所定の範囲内であれば部分溶融状態にあると判断し、反射率が所定の値以上であれば完全溶融状態にあると判断する。反射率の経時変化を測定して溶融状態を評価しても良い。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ等の半導体素子を介して上層と下層に形成された配線層間の良好な接続を可能にし、配線の自由度を向上させた半導体装置及びその作製方法を提供すること目的の一とする。
【解決手段】絶縁体でなる基板上の第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成された第１の配線層と、第１の絶縁層上の第１の配線層が形成された領域以外の領域に形成された第２の絶縁層と、第１の配線層及び第２の絶縁層上に形成され、チャネル形成領域と不純物領域を有する単結晶半導体層と、単結晶半導体層のチャネル形成領域上にゲート絶縁層を介して形成されたゲート電極と、第１の配線層、第２の絶縁層、単結晶半導体層及びゲート電極を覆うように形成された第３の絶縁層と、第３の絶縁層上に形成された第２の配線層とを設け、第１の配線層と単結晶半導体層の不純物領域が接続し、第１の配線層と第２の配線層が電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせに係る不良を低減した均質な半導体基板を提供することを課題の一とする。または、上記半導体基板を歩留まり良く製造することを課題の一とする。
【解決手段】表面の一定領域を囲むように気密性保持機構が設けられた支持体の、気密性保持機構で囲まれた一定領域に第１の基板を配置し、気密性保持機構に接するように第２の基板を配置して、支持体、気密性保持機構及び第２の基板により囲まれる空間の気密性を確保し、気密性が確保された空間を排気することにより、空間における気圧を低下させ、空間における気圧と外気圧との差を用いて第２の基板を第１の基板に密着させ、加熱処理を施すことにより、減圧雰囲気下で第１の基板と第２の基板の貼り合わせを行う。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減しつつ、高速動作が可能な回路を有する半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。または、該半導体装置を提供するための半導体基板の作製方法を提供することを課題の一とする。または、該半導体装置を用いた電子機器を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板上に非単結晶半導体層を形成した後、非単結晶半導体層の一部の領域上に単結晶半導体層を形成する。これにより、非単結晶半導体層を用いて大面積が必要とされる領域（例えば、表示装置における画素領域）の半導体素子を形成し、単結晶半導体層を用いて高速動作が求められる領域（例えば、表示装置における駆動回路領域）の半導体素子を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の大面積化を課題の一とする。または、大面積化に際して生じる問題点を解決することを課題の一とする。または、上記の半導体基板を用いた半導体装置の信頼性を向上することを課題の一とする。
【解決手段】半導体基板の大面積化を図るために、ベース基板としてガラス基板等の絶縁表面を有する基板を用いる。そして、該ベース基板に大型の半導体基板を用いて単結晶半導体層を形成する。なお、ベース基板には複数の単結晶半導体層を設けることが好ましい。その後、単結晶半導体層を、パターニングにより複数の単結晶半導体領域に切り分ける。そして、表面の平坦性を向上し、欠陥を低減するために、単結晶半導体領域に対してレーザー光を照射する、又は加熱処理を施す。該単結晶半導体領域の周縁部は半導体素子として用いずに、中央部を半導体素子として用いる。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の低い基板をベース基板とするＳＯＩ基板で、レーザ光で表面を溶融させることにより、機械的な研磨が不要な半導体装置を提供する。
【解決手段】ベース基板１０１、絶縁層１１６、接合層１１４、半導体層１１５を有するＳＯＩ基板に、レーザー光１２２を照射することにより半導体層１１５上面を溶融させ、冷却、固化することで、機械的な研磨を行わなくても、平坦性が優れたＳＯＩ半導体装置を提供できる。また、レーザー光の端部が照射された領域の半導体層は半導体素子として用いずに、レーザー光の端部以外が照射された領域の半導体層を半導体素子として用いることにより、半導体装置の性能を大きく向上することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良い微結晶半導体層、及び半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】
微結晶半導体膜と、その下層の絶縁膜との界面に形成される非晶質層を除くため、フッ素系ガス（ＳｉＦ４）及びシランを用いて結晶核を形成した後、結晶核を種として結晶成長させ、レーザ処理にて微結晶半導体膜を形成する。さらには、前記微結晶半導体膜の表面をフッ素系ガス（ＳｉＦ４）処理し、より結晶性を高める。
前記微結晶半導体膜を用いて、ボトムゲートの薄膜トランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】ばらつきを抑え、かつ、製造歩留まりの高い半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】
絶縁表面を有する基板上に、チャネル形成領域が非単結晶半導体層で形成される薄膜トランジスタを有し、前記非単結晶半導体層は、厚さが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、一方向に略平行に延びる結晶粒界を含み、該結晶粒界の間隔は１０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であることを特徴とする、半導体装置及びその作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の低い基板をベース基板とするＳＯＩ基板を用いて高性能な半導体装置を提供することを課題とする。また、機械的な研磨を行わずに高性能な半導体装置を提供することを課題とする。また、該半導体装置を用いた電子機器を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁基板上の絶縁層と、絶縁層上の接合層と、接合層上の単結晶半導体層と有し、単結晶半導体層は、その上部表面における凹凸形状の算術平均粗さが１ｎｍ以上７ｎｍ以下とする。または、凹凸形状の二乗平均平方根粗さが１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であっても良い。または、凹凸形状の最大高低差が５ｎｍ以上２５０ｎｍ以下であっても良い。 （もっと読む）