Fターム[5F152FF43]の内容
Fターム[5F152FF43]に分類される特許
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薄膜の加熱処理方法
【課題】 ランプアニールにより効果的に被処理膜を加熱処理するための方法を提供する。
【解決手段】 基板101の上面側からは紫外光ランプ104を用いて紫外光107が照射される。また、基板101の下面側からは赤外光ランプ108を用いて赤外光111が照射される。本発明では赤外光照射による振動励起効果に加えて紫外光照射による電子励起効果が付加されるため、被処理膜103の励起効率が大幅に高まり、効果的な加熱処理が可能となる。
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薄膜トランジスタ回路、薄膜トランジスタ回路の設計方法、薄膜トランジスタ回路の設計プログラム、設計プログラム記録媒体、設計ライブラリデータベース、および表示装置
【課題】結晶化半導体薄膜に対して適正かつ効率的なフォトマスクの作成を可能にする。
【解決手段】薄膜トランジスタ回路は各々所定サイズを越える結晶粒SXを収容する複数の結晶粒規定領域10に2次元的に区画される結晶化半導体薄膜5と、各々のチャネル領域CHが対応結晶粒規定領域10内の中央に配置される複数の薄膜トランジスタと、複数の薄膜トランジスタを相互接続する配線部とを備える。
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