【課題】基板上に形成された２層のアモルファスシリコン層のレーザアニール時の干渉を低減する方法を提供する。
【解決手段】基板１上の第１のアモルファスシリコン層をパターニングし第１の活性層を基板１上に形成する。次いで、第１の絶縁層４が前記第１の活性層及び前記第１の活性層で覆われていない基板１の一部の上に形成される。次に、第２のアモルファスシリコン層が前記第１の絶縁層４の上に形成される。レーザーアニール工程が遂行され、第１のアモルファスシリコン層を微細結晶シリコン層７に結晶化させ、第２のアモルファスシリコン層をポリシリコン層６に結晶化させる。ポリシリコン層をパターニングすることにより、第１の活性層で覆われていない基板１の一部上に第２の活性層が形成される。良好な結晶の均一性を有する微細結晶シリコン層７は、ＯＬＥＤディスプレイにディスプレイ領域にＴＦＴの活性層として機能する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ、その製造方法及びこれを備えた有機電界発光表示装置を開示する。
【解決手段】ゲッタリングサイトであって、ソース／ドレイン電極物質層を用いて半導体層に残存する結晶化のための金属触媒量を減少させて漏洩電流特性及び薄膜トランジスタの電気的特性を向上させるボトムゲート方式の薄膜トランジスタ、その製造方法及びこれを備えた有機電界発光表示装置に関する。基板と、基板上に位置するゲート電極と、ゲート電極上に位置するゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に位置し、金属触媒を利用して結晶化した半導体層と、半導体層上に位置し、ソース／ドレイン領域に電気的に接続するソース／ドレイン電極とを含み、ソース／ドレイン電極下部の半導体層領域内には半導体層の表面から所定深さまで金属触媒と異なる金属または異なる金属の金属シリサイドが形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上に形成されたアモルファスシリコン膜をレーザ等の光で加熱溶融した後に結晶化させて多結晶シリコン膜を得る際に、ガラス基板背面からレーザを照射するものとするとともに背面からの照射を効率的に行なう。
【解決手段】ガラス基板５は、アモルファスシリコン膜５１を下にして配置される。上から加熱用レーザ２が対物用光学装置６を介してガラス基板５に上面側から照射されて、アモルファスシリコン膜５１で結像する。また、結像するための焦点合わせのために高さセンサ１でアモルファスシリコン膜５１の位置が測定される。測定用レーザは、ガラス基板５の上側から照射され、ガラス基板５の上面と下面で反射する。位置の測定には、共焦点測定方式が用いられ、ガラス基板５の下面で反射する光を用いてアモルファスシリコン膜５１の位置が測定され、当該位置に基いて照射される光の焦点が合わされる。 （もっと読む）

【課題】より高集積化され、薄型化及び小型化された半導体装置を作製することを目的の一とする。また、半導体装置において、高性能化、低消費電力化を目的の一とする。
【解決手段】剥離層を用いて基板から剥離された半導体素子層を、他基板に形成され、平坦化された無機絶縁層に覆われた半導体素子層上に積層する。上層の半導体素子層を基板より剥離後、剥離層を除去し半導体素子層下に形成される無機絶縁膜を露出する。平坦化された無機絶縁層及び無機絶縁膜を密着させて接合する。また、半導体素子層の有する半導体層は半導体基板より分離され、作製基板に転置された単結晶半導体層である。 （もっと読む）

【課題】多結晶Ｓｉ層を含む多結晶ＳｉのＴＦＴまたは多結晶Ｓｉのデバイスを製造するのに使用される、多結晶Ｓｉ層を形成する方法を提供する。
【解決手段】多結晶Ｓｉ薄膜を形成する方法は、（Ａ）基板１０を準備すること、（Ｂ）基板の表面にアモルファスＳｉ層１１を形成すること、（Ｃ）少なくとも１枚の金属板１２を取り付けて、それにより積層を形成すること、（Ｄ）積層に光を照射して、それによりアモルファスＳｉ層から多結晶Ｓｉ層１５を形成すること、（Ｅ）金属板を取り除いて多結晶Ｓｉ層を得ることを含む。急速熱アニール（ＲＴＡ）プロセスが、加熱時間を短縮するためにステップ（Ｄ）の光照射プロセスに適用される。金属板による光の熱への変換がアモルファスシリコン層に対してさらに行われ、急速熱結晶化が実現される。こうして、多結晶Ｓｉ層が得られる。 （もっと読む）

【課題】高速動作が可能な高信頼性のアクティブマトリクス方式の表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１０１上に成膜したＳｉ窒化膜１０２、Ｓｉ酸化膜１０３の上に非晶質Ｓｉ膜１０４を成膜する。非晶質Ｓｉ膜１０４は脱水素処理される（図１の（ａ)）。この非晶質Ｓｉ膜１０４に炭酸ガスレーザーによるアニールと同時にＵＶ光を照射することで結晶化率が９０％以上、表面の凹凸差が１０ｎｍ以下の結晶化Ｓｉ膜が得られる（図１の（ｃ)）。この結晶化Ｓｉ膜を用いて表示装置のための薄膜トランジスタ等の半導体素子を形成する。炭酸ガスレーザーのみでのアニールでは結晶化率が９０％以上の結晶化Ｓｉ膜を得るためには３５０℃以上の基板加熱が必要である（図１の（ｂ））。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ構造を有する半導体装置において、高性能化、低消費電力化を目的の一とする。また、より高集積化された高性能な半導体素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に複数の電界効果トランジスタがそれぞれ平坦化層を介して積層しており、複数の電界効果トランジスタの有する半導体層は半導体基板より分離されており、該半導体層は絶縁表面を有する基板、又は平坦化層上にそれぞれ設けられた絶縁層に接して接合されている半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】残存する結晶化誘導金属の量を減少させて電気的特性が優秀な薄膜トランジスタ、これを具備した有機電界発光表示装置、およびこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１００と、基板上に位置し、チャネル領域１６２、ソース領域１６１、およびドレイン領域１６３を含む半導体層１６０と、半導体層のチャネル領域とゲート絶縁膜１７０を介し対向して設けられたゲート電極２１０と、半導体層のチャネル領域以外の領域の上部または下部にゲート電極と離隔されて位置した、ゲート電極と同一物質からなる金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層と、半導体層のソース領域およびドレイン領域にそれぞれ電気的に連結されたソース電極２４０ａおよびドレイン電極２４０ｂと、を含む。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、低温下で結晶性の良好な単結晶および多結晶を提供することを目的とする。また、本発明は、固相成長法を用い、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明では、非晶質半導体薄膜を基板あるいは絶縁膜上に堆積するにあたり、特に、その膜を構成する主元素からなる非晶質膜の平均原子間隔分布が、単結晶の平均原子間隔分布にほぼ一致するように形成し、これに再結晶化エネルギーを付与し固相成長を行い単結晶半導体薄膜３を形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶化を行なった時点において好適なレーザ照射条件を満たしているかどうかを確認できる結晶成長装置およびレーザ照射モニター方法を提供する。
【解決手段】第１レーザ発振器１０１は、メインレーザであって、出射されるレーザ光が半導体薄膜１１４に吸収されて半導体薄膜１１４を溶融させる。第２レーザ発振器１０６は、アシストレーザであって、出射されるレーザ光が絶縁体の基板１１３、下地の絶縁膜、または溶融した半導体薄膜１１４に吸収されて、これらを過熱する。光ビームが照射される半導体薄膜１１４上における光ビームの形状は、一例として概ね矩形状となる。コントローラ１１５は、第１レーザ発振器１０１および第２レーザ発振器１０６だけでなく、ステージ１１２の駆動をも制御する。 （もっと読む）

【課題】薄膜素子の製造方法において、直接描画技術を用いて、樹脂基板を損傷させることなく良質な無機膜を備えた薄膜素子を製造することができるようにするとともに、材料選択性を広くする。
【解決手段】薄膜素子１は、基板１０を用意する工程（Ａ）と、基板１０上に熱バッファ層５０を形成する工程（Ｂ）と、熱バッファ層５０を備えた基板１０上に非単結晶膜からなる被アニール膜３０ａをパターン状に形成する工程（Ｄ）と、被アニール膜３０ａを短波長光Ｌを用いてアニールして無機膜３０を形成する工程（Ｅ）とを実施して製造される。工程（Ｂ）と工程（Ｄ）との間には、少なくとも熱バッファ層５０を備えた基板１０上の被アニール膜３０ａが形成されない非パターン部分１０ｒに、短波長光Ｌが基板１０に到達する割合を低減させて、短波長光Ｌによる基板１０の損傷を防止する光カット層２０を形成する工程（Ｃ）を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体膜を多結晶化させる際に半導体膜がその下層のパターンから受ける影響が半導体膜の電気的性能に及ぶのを抑制する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板１１上に、電流経路予定部分に対応してパターン１３を形成するパターン形成ステップと、パターン形成ステップで形成したパターン１３を覆うように基板１１上に半導体膜１５を形成する半導体膜形成ステップと、半導体膜形成ステップで形成した半導体膜１５の少なくとも電流経路予定部分に対し、その電流経路方向に垂直な方向にレーザー光Ｌを走査して半導体膜１５を多結晶化させる多結晶化ステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に設けられたゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた酸化物半導体膜と、を備えるトランジスタを有し、酸化物半導体膜の少なくともチャネル形成領域となる領域に対して加熱処理が行われている。 （もっと読む）

【課題】高速動作を実現する薄膜トランジスタの誤動作を抑制した半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明による半導体装置は、前面（１１２ａ）および背面（１１２ｂ）を有する透明基板（１１２）と、透明基板（１１２）の前面（１１２ａ）に支持された第１半導体層（１２０）と、第１半導体層（１２０）上に選択的に設けられた絶縁層（１１４）と、薄膜トランジスタ（１４０）の活性層（１３２）であって、絶縁層（１１４）を介して第１半導体層（１２０）と対向する活性層（１３２）を含む第２半導体層（１３０）とを備える。第１半導体層（１２０）は、ゲッタリング元素と、第２半導体層の結晶化を促進した触媒元素とを含有しており、透明基板（１１２）の背面（１１２ｂ）の法線方向からみたときに活性層（１３２）は第１半導体層（１２０）と重なる。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン層を用いる薄膜トランジスタ、その製造方法、並びに、これを備えた有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】基板を提供する段階と、前記基板上に非晶質シリコン層を形成する段階と、前記非晶質シリコン層上に１０ないし５０Å厚さで熱酸化膜を形成する段階と、前記シリコン熱酸化膜上に結晶化のための金属触媒層を形成する段階と、前記基板を熱処理して前記結晶化のための金属触媒層の金属触媒を用いて前記非晶質シリコン層を多結晶シリコン層に結晶化する段階とを含むことを特徴とする多結晶シリコン層の製造方法を用い、前記非晶質シリコン層からＳＧＳ結晶化法により多結晶シリコン層を形成する。工程を簡素化した多結晶シリコン層の製造方法、その製造方法を用いて製造された多結晶シリコン層を用いる薄膜トランジスタ、その製造方法、並びに、これを備えた有機電界発光表示装置に関する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結晶化誘導金属を利用した多結晶シリコン層において、多結晶シリコン層でチャネル領域が形成される領域に残存する結晶化誘導金属を除去する多結晶シリコン層の製造方法と製造方法を利用した多結晶シリコン層で半導体層を形成することにより、漏れ電流が顕著に減少された薄膜トランジスタ、その製造方法及びこれを利用する有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】本発明は基板上に非晶質シリコン層を形成し、非晶質シリコン層を結晶化誘導金属を利用して多結晶シリコン層に結晶化し、多結晶シリコン上部または下部の一定領域と接する金属層または金属シリサイド層パターンを形成し、基板を熱処理して多結晶シリコン層でチャネル領域が形成される領域に存在する結晶化誘導金属を金属層または金属シリサイド層パターンが形成された領域に対応する多結晶シリコン層内の領域にゲッタリングすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 非晶質シリコンまたは多結晶シリコンにレーザ光を照射してシリコン結晶を成長させるシリコン結晶成長方法及び装置において、紫外光レーザ照射及び可視光レーザ照射の欠点を相補的に補い合い、従来より低い温度でシリコン結晶を成長させる。
【解決手段】 非晶質シリコンまたは多結晶シリコンにレーザ光を照射してシリコン結晶を成長させるシリコン結晶成長方法であって、前記レーザ光は、紫外領域の波長を有する第１パルスレーザと、可視領域の波長を有する第２パルスレーザとからなり、前記第１パルスレーザ及び前記第２パルスレーザを、異なるタイミングで照射することを特徴とするシリコン結晶成長方法。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を有するＴＦＴを実現するために、製造工程を増加、複雑化させることなく、さらに、結晶性を低下させることなく半導体層を平坦化する方法、また、半導体層表面を平坦化させゲート絶縁膜との界面を安定させる方法を実現することを目的としている。
【解決手段】窒素、水素、または不活性気体から選ばれた一種の気体雰囲気または複数種の気体の混合雰囲気において、表面の酸化膜が除去された状態でレーザ光を照射することにより、表面が平坦化された結晶質半導体膜を形成する。表面の酸化膜が除去された状態でレーザ光を照射することにより、結晶質半導体膜の表面における最高点と最低点との差を６ｎｍ以下にすることができる。 （もっと読む）

【課題】大掛かりな装置を必要とすることなく、低温プロセスで絶縁膜の結晶欠陥を低減可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に半導体層１３、ゲート絶縁膜１４およびゲート電極１５をこの順に積層してトップゲート型の薄膜トランジスタを製造する。この際、塗布法により、ゲート絶縁膜１４を形成したのち、エネルギービームＥを照射する。これにより、半導体層１３がエネルギービームＥを吸収し、ゲート絶縁膜１４が加熱される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の動作特性を向上させ、かつ、低消費電力化を図る。特に、オフ電流値が低く、バラツキの抑えられたＴＦＴを得ることを課題とする。
【解決手段】シリコンの結晶化を助長する金属元素を用いて結晶化された第１のシリコン膜の金属元素をゲッタリングするために、希ガスを含み且つ非晶質構造を有する第２のシリコン膜を使用する。また、雰囲気を変えて２回レーザー照射を行う。２回目のレーザー照射は照射領域が不活性気体雰囲気となるようにして行うと第１のシリコン膜の平坦性が向上される。 （もっと読む）