【課題】レーザ光の照射による損傷を抑制して効率的に半導体薄膜を製造することができる半導体薄膜の製造方法および半導体薄膜の製造装置を提供する。
【解決手段】少なくとも二種類のレーザ光を照射して前駆体半導体薄膜基板に含まれる固体状態の前駆体半導体薄膜を溶融した後に再結晶化させることによって半導体薄膜を製造する方法であって、前駆体半導体薄膜基板に照射される基準レーザ光の照射部位の反射率を検知する工程と、少なくとも一種類のレーザ光の照射時間を制御する工程と、を含むことを特徴とする半導体薄膜の製造方法と半導体薄膜の製造装置である。 （もっと読む）

【課題】非晶質半導体膜の結晶化に際し、当該半導体膜表面の平坦性および結晶性の双方を良好に実現させ、高性能な結晶性半導体を形成する形成方法および形成装置、並びに当該形成方法を用いた半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバー２と、ステージ２ａと、レーザー照射手段３と、酸素供給手段４とを備えた形成装置１を用いて、雰囲気中の酸素濃度が４×１０^２ｐｐｍから１×１０^４ｐｐｍまでの範囲となるように、雰囲気中に露出した非晶質ケイ素膜１２表面に直接酸素を供給するか、非晶質ケイ素膜１２上に酸化膜１４が形成されている場合は、雰囲気中の酸素濃度を、０を超えて、１×１０^４ｐｐｍまでの範囲となるように、非晶質ケイ素膜表面に直接酸素を供給する。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置用基板を加熱処理する工程において、特に、半導体層を結晶化させる際の結晶化工程に用いた場合に、結晶粒界の発生が少なく、結晶化度が高い半導体層を形成することができる電気光学装置用基板の製造装置及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】加熱ユニットを備えた電気光学装置用基板の製造装置において、加熱ユニットは加熱部を含むとともに、加熱部の一端を回転中心として、加熱部と、電気光学装置用基板と、を相対的に円運動させるための回転部を備える。 （もっと読む）

【課題】 ナノスケール領域のボトムアップ型微細加工方法とそれを用いて製造される半導体装置を提供する。
【解決手段】 カーボンナノチューブに代表されるナノ細線材料２に関して、外部からエネルギーを投入することで局所的に発生するジュール熱、光又は熱電子を、外部から添加される原料９の化学反応や固相成長やナノ細線材料２自身の物性変換のための微小エネルギー４として利用することにより、ナノ細線材料２の近傍のみを自己整合的・自己制限的に加工する。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】 縦方向に配置されるＴＦＴ素子の特性と横方向に設置されるＴＦＴ素子の特性とを同一にし、安定した特性のＴＦＴデバイスを形成することができるように、半導体膜に結晶成長させることのできるレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】 レーザ加工装置３０は、光源３２から出射されるレーザ光４５を、レーザビーム投影マスク３５を通して、ステージ３８上に載置される半導体素子３１に照射することによって、半導体素子３１のシリコン膜を溶融し、凝固させて結晶成長させる。レーザビーム投影マスク３５には、ステージ３８による半導体素子３１に移動方向に対して４５度傾斜した方向に延びる光透過部分が形成されるので、シリコン膜の結晶成長方向も、半導体素子３１の移動方向に対して４５度傾斜した方向またはその方向に対して垂直な方向に揃えられる。 （もっと読む）

【課題】半導体もしくは半導体デバイスに対する瞬間的熱処理を可能にし、また光エネルギー損失によるエネルギー消費の改善を図る。
【解決手段】被熱処理体上に、カーボンもしくはカーボンを主体とする光吸収層５とに上記光に対して透明な光反射防止層６を形成し、光反射防止層側からパルス光照射を行なって、該光パルス光を上記光吸収層によって吸収させ、該光吸収によるパルス的光エネルギーをもって上記光吸収層を発熱させ、該光吸収層の発熱によって上記被熱処理体の加熱処理を行うことによって瞬時的に熱処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 イオンドーピング装置を用いた場合、ドーピング用ガスとしてジボランを用い、微量な量のボロンイオンを正確、且つ、均一に添加して、しきい値を制御することは困難であった。
【解決手段】本発明は、結晶構造を有する半導体膜を得た後、その上に材料層を形成し、イオンドーピング装置を用いてＢＦ₃（三フッ化ホウ素ガス）をドーピング用ガスとしてボロンイオンを添加する。こうすることによって、結晶構造を有する半導体膜に対して微量な量のボロンイオンを正確、且つ、均一に添加して、しきい値を制御することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】高速動作が可能な機能回路をも同一基板上に形成され得る、従来よりも高性能な駆動回路一体型表示装置を高い効率で製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の表示装置の製造方法は、（ａ）基板の上に非晶質半導体膜１２を形成する工程と、（ｂ）酸素を含む雰囲気下で、非晶質半導体膜の一部の領域に光線を照射し、当該光照射された領域の非晶質半導体膜を完全に溶融し、結晶化することによって結晶質半導体膜１３を部分的に形成する工程と、（ｃ）非晶質半導体膜の少なくとも上層部分を溶融するエネルギー密度の光線を結晶質半導体膜および非晶質半導体膜に照射することによって、結晶質半導体膜よりも上面が平坦な第１の結晶質半導体膜１６を形成するとともに、非晶質半導体膜が結晶化された第２の結晶質半導体膜１７を形成する工程と、工程（ｂ）と（ｃ）との間に、結晶質半導体膜および非晶質半導体膜の上面に形成された酸化膜をエッチングする工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】 温度変化に起因して集光レンズの焦点距離が変化するため、レーザの照射を停止した後に照射を再開するとき、冷却されたレンズの温度が所定温度に回復するまでに長時間を要し、作業能率が低下する。
【解決手段】 集光レンズ２と被照射物４との間に、光路を遮つてレーザａを反射する反射位置Ｉを採ることができる第１のミラー５と、第１のミラー５によつて反射されるレーザａを反射する第２のミラー６とを配置し、第１のミラー５に反射位置Ｉを採らせることにより、集光レンズ２を透過するレーザａを、第１，第２のミラー５，６によつて次々に反射させると共に、第１のミラー５によつて再度反射されるレーザａの強度を、被照射物４から反射されるレーザａの強度に合致させて集光レンズ２を透過させ、レーザａを被照射物４に照射するときと同様に集光レンズ２を加熱する。 （もっと読む）

【課題】 半導体被覆層による半導体層の被覆性を向上することができ、リーク電流の低減による特性向上を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板被覆層、半導体層及び半導体被覆層をこの順に基板上に備える半導体装置の製造方法であって、上記製造方法は、基板被覆層の少なくとも表層部が半導体層の外縁領域でサイドエッチングされる処理工程と、半導体層の少なくとも外縁部にエネルギー照射を施す工程とを有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置として、高い特性が得られる結晶性半導体薄膜を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】実効溶融領域においてレーザーアニールが施された時のみを処理時間として見なすため、スレッシュホールド幅の積算値を処理時間として考える。即ち、実効溶融領域でレーザーアニールを行っている時間の積算値が処理時間となる。この時間を１００〜５０００ｎｓｅｃとすることにより、必要とする結晶性を有する結晶性半導体薄膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】平坦性の向上により、ＴＦＴの移動度を向上させ、ＴＦＴのオフ電流を低減する。
【解決手段】基板上に非晶質構造の半導体膜を形成する工程と、前記半導体膜上に結晶化を促進する金属元素を添加する工程と、加熱処理を行って、前記半導体膜を結晶構造の半導体膜とする工程と、前記結晶構造の半導体膜に第１のレーザー光を照射する工程と、前記結晶構造の半導体膜に第２のレーザー光を照射する工程とを有する。レーザー光を照射する工程を２回設けることにより、結晶構造の半導体膜の平坦化を向上させることができる。その結果、ＴＦＴの移動度を向上させ、ＴＦＴのオフ電流を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射の途中で移動テーブルが異常停止した際に、自動的にレーザの出力を停止させ、火災などの災害を防ぐことを課題とする。
【解決手段】レーザ発振器と、レーザ発振器に設けられたインターロックと、一定の動作周期で移動する移動テーブルと、タイマと、タイマに設けられたインターロックと、移動テーブルの移動を検出できるセンサと、コンピュータとを有し、タイマはセンサが移動テーブルの通過を感知することでカウントをスタートさせ、移動テーブルが動作周期を経過してもセンサを通過しない場合、タイマに設けられたインターロックの接点間の通電が切れることで、レーザ発振器のインターロックを作動させレーザ光の射出を停止させるレーザ処理装置及びそれを用いて行うレーザ処理方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 電気的特性が優れた大きな結晶粒を有する結晶質半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明による結晶質半導体膜の製造方法は、結晶核形成部（２ａ）と、素子形成部（２ｂ）と、狭小部（２ｃ）とを含む半導体膜（２）が形成された基板（１）を用意する工程と、絶縁膜（３）を形成する工程と、絶縁膜（３）を用いてキャップ膜（３Ｃ）を形成する工程であって、結晶核形成部（２ａ）に対する所定の波長の光の反射率が、端部よりも中央において高くなるように、キャップ膜部分（３ａＣ）の屈折率を変化させる工程と、所定の波長の光によって、キャップ膜部分（３ａＣ）を介して結晶核形成部（２ａ）を照射して、結晶核形成部（２ａ）を結晶化する工程と、結晶核形成部（２ａ）において結晶化された結晶から、狭小部（２ｃ）を介して素子形成部（２ｂ）を結晶化する工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】 金属汚染が少なくて、低いリーク電流特性を示すことのできるボトムゲート型薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 前記薄膜トランジスタは、基板上に位置するゲート電極及び前記ゲート電極上に位置するゲート絶縁膜を備える。前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート電極を横切るMILC方法によって結晶化された半導体層が位置する。前記半導体層上に前記半導体層のエッジらのうち前記ゲート電極を横切る少なくとも一つのエッジから離隔して前記半導体層の一部の領域を露出させるソース/ドレインコンタクトホールを有する層間絶縁膜が位置する。前記半導体層の前記ソース/ドレインコンタクトホール内に露出した領域上にソース/ドレイン電極が位置する。前記半導体層は、前記ソース/ドレインコンタクトホール内に露出した領域に対応する導電性MIC領域を備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して結晶性半導体膜を形成し、該結晶性半導体膜から触媒元素を除いた後、トップゲート型プラナー構造の薄膜トランジスタを作製する。また本発明は、表示装置の構成物を選択的に形成する液滴吐出法を用いることで、工程の簡略化と、材料のロスの軽減を達成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、所望の形状を有する半導体領域の形成方法を提供する。また、バラツキの少ない半導体装置の作製方法を提供する。また、少ない原料でコスト削減が可能であり、且つ歩留まりが高い半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、半導体膜の一部を酸化して酸化物層を形成した後、該酸化物層をマスクとして半導体膜をエッチングして、所望の形状を有する半導体領域を形成した後、該半導体領域を用いる半導体装置を作製する。本発明では、公知のレジストを用いたフォトリソグラフィー工程を用いずとも、所定の場所に所望の形状を有する半導体領域を形成することが可能である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、微細な形状を有する半導体領域の形成方法を提供する。バラツキの少ない半導体装置の作製方法を提供する。また、少ない原料でコスト削減が可能であり、且つ歩留まりが高い半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、半導体膜の一部にレーザ光を照射し、絶縁層を形成した後、該絶縁層をマスクとして半導体膜をエッチングして、所望の形状を有する半導体領域を形成した後、該半導体領域を用いる半導体装置を作製する。本発明では、公知のレジストを用いたフォトリソグラフィー工程を用いずとも、所定の場所に微細な形状を有する半導体領域を形成することが可能である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明の表示装置の一は、絶縁表面上に設けられたゲート電極層及び画素電極層を有し、ゲート電極層上にゲート絶縁層を有し、ゲート絶縁層上に結晶性半導体層を有し、結晶性半導体層に接して一導電型を有する半導体層を有し、一導電性を有する半導体層に接してソース電極層及びドレイン電極層を有し、ソース電極層、ドレイン電極層及び画素電極層上に絶縁層を有し、絶縁層はソース電極層又はドレイン電極層に達する第１の開口部を有し、ゲート絶縁層及び絶縁層は画素電極層に達する第２の開口部を有し、第１の開口部及び第２の開口部に、ソース電極層又はドレイン電極層と画素電極層とが電気的に接続する配線層を有する。 （もっと読む）