【課題】ＳＧＳ結晶化法で非晶質シリコン層を多結晶シリコン層に結晶化する場合、多結晶シリコン層が特定なラマンスペクトラムのピーク値を有する薄膜トランジスタ、その製造方法及びこれを備えた有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、基板と、前記基板上に位置し、ソース／ドレイン領域及びチャネル領域でなっていて、多結晶シリコーン層で形成された半導体層と、前記半導体層の一定領域に対応するように位置したゲート電極と、前記半導体層とゲート電極間に位置したゲート絶縁膜と、前記半導体層のソース／ドレイン領域と電気的に連結されているソース／ドレイン電極とを含み、前記多結晶シリコーン層は相異なるラマンスペクトラムのピーク値を有する複数個の領域を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属触媒の拡散が困難な酸化膜と容易な窒化膜で二重キャッピング膜を形成し、その上に金属触媒層を形成した後に結晶化することにより、金属触媒が酸化膜を容易に通過できず、少ない量の金属触媒のみが結晶化に寄与する。これによって結晶粒の大きさが大きい多結晶シリコン層を形成し、特性が優れた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】絶縁基板、及び基板上に形成された半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極、層間絶縁膜、ソース／ドレーン電極を含み、ゲート絶縁膜は１乃至２０Åの厚さのフィルターリング酸化膜からなる薄膜トランジスタである。金属触媒の拡散が困難なフィルターリング酸化膜を用いて結晶化に寄与する金属触媒の量を調節し、調節された金属触媒によって多結晶シリコン層の結晶粒の大きさを大きく形成し、多結晶シリコン層に残留する金属触媒の量を最小化する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板、下地保護膜、及び結晶性珪素膜に亀裂が入ることを抑制することが可能な結晶性珪素膜の作製方法、及び半導体装置の作製方法を提案することを課題とする。
【解決手段】熱膨張率が６×１０^−７／℃より大きく３８×１０^−７／℃以下のガラス基板上に、半導体膜を含む層を形成し、当該層を加熱する。次に、加熱された層に、紫外光であって、レーザビームの幅が１００μｍ以下で、レーザビームの幅に対するレーザビームの長さの比が１対５００以上であり、レーザビームのプロファイルの半値幅が５０μｍ以下であるパルス発振のレーザビームを照射して、結晶性半導体膜を形成する。ガラス基板上に形成する半導体膜を含む層は、上記加熱後において全応力が−５００Ｎ／ｍ以上＋５０Ｎ／ｍ以下、好ましくは−１５０Ｎ／ｍ以上０Ｎ／ｍ以下となるような層を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明はより剥がれやすく、製造工程におけるコストをより低減可能な剥離方法を提供する。
【解決手段】本発明の剥離方法は、基板上（１００）に剥離層（１２０）を介して存在する被剥離物（１４０）を上記基板から剥離する方法であって、上記剥離層（１２０）の全部又は一部をシリサイド層によって形成し、上記剥離層に光を照射して上記基板と上記被剥離物の間に剥離を生ぜしめることを特徴する。シリサイド層としては遷移金属シリサイドが望ましい。 （もっと読む）

【課題】シリコン膜にエネルギーを印加して第１ポリシリコン膜に改質した後、さらにレーザーアニールを行い、結晶粒径の大きい第２ポリシリコン膜に改質する方法が用いられている。この際レーザー光強度が少なすぎると残留する粒径が小さい第１ポリシリコンの影響が大きくなる。逆に大きすぎると種結晶が失われ第２ポリシリコンが微結晶化する。このようにレーザ光強度に対して膜質が敏感に変動するという課題がある。
【解決手段】島状の構造を持つシリコン膜の周辺部の膜厚を厚膜化する。その後第１のポリシリコン膜に改質した後、第１のポリシリコン膜中央部をレーザー光で溶融させ、周辺部の厚膜化した領域に残された第１のポリシリコンを種として再結晶化する。レーザー光強度を中央部が溶融し、厚膜部に種が残る範囲に設定することで再現性の高いレーザーアニール工程を有する半導体装置の製造方法が提供できる。 （もっと読む）

【課題】赤色から近赤外線領域の連続発振レーザビームと可視光線から紫外線領域のパルスレーザビームを組み合わせ、基板上に蒸着された非晶質状態のシリコン薄膜を多結晶状態のシリコン薄膜に変換するＴＦＴ用多結晶シリコン薄膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明によるレーザアニール方法は、赤色から近赤外線領域（６００〜９００ｎｍ）の連続発振レーザビームと、可視光線から紫外線領域（５５０〜１００ｎｍ）のパルスレーザビームを重畳走査し、基板上に形成された非晶質状態のシリコン薄膜を多結晶状態のシリコン薄膜に変換する。このような方法により、低温多結晶化工程の結晶化効率を向上させることができ、結晶の均一度が高く、さらに結晶の大きさを従来の方法より大きく形成することができる。 （もっと読む）

【課題】非結晶半導体膜を全面高結晶化することができ、非結晶半導体膜を略全面において、粒状結晶部分がほとんどなく、しかもつなぎ目のないラテラル結晶膜とすることも可能なレーザアニール技術を提供する。
【解決手段】非結晶半導体からなる被アニール半導体膜に対して、ラテラル結晶が成長する条件でレーザ光を照射するレーザアニールを実施してラテラル結晶を成長させ、さらに、アニール領域をずらして、ラテラル結晶の外側に生成された粒状結晶の少なくとも一部及び結晶化されずに残っている非結晶の少なくとも一部を含む領域に対して、レーザアニールを再度実施して、該部分をラテラル結晶化させる操作を１回以上実施する。このとき、被アニール半導体膜の粒状結晶部分及び非結晶部分が融解し、かつ被アニール半導体膜のラテラル結晶部分が融解しない条件で、レーザアニールを実施する。 （もっと読む）

【課題】非結晶半導体膜を全面高結晶化することができ、非結晶半導体膜を、略全面において、粒状結晶部分がほとんどなく、しかもつなぎ目のないラテラル結晶膜とすることも可能なレーザアニール技術を提供する。
【解決手段】粒状結晶部分及び非結晶部分が融解し、ラテラル結晶部分が融解しない条件でレーザアニールを実施し、かつ、下記式（１）を充足するよう、粒状結晶部分におけるレーザ光照射条件を非結晶部分におけるレーザ光照射条件とは変えて、レーザアニールを実施する。
｜ＥＡ−ＥＰ｜＜｜ＥＡ−ＥＰｓ｜・・・（１）
（ＥＡ：非結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの吸収光エネルギー。ＥＰｓ：非結晶部分と同一のレーザ光照射条件でレーザ光を照射したときの、粒状結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの吸収光エネルギー。ＥＰ：粒状結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの実際の吸収光エネルギー。） （もっと読む）

【課題】低コスト／高品位化が可能なレーザアニール装置の提供。
【解決手段】被対象物をレーザ照射により改質するレーザアニール装置であって、レーザ波長を３７０ｎｍ〜４８０ｎｍとする第１レーザ光源と、レーザ波長を６４０ｎｍ〜８４０ｎｍとする第２レーザ光源と、第１光源から照射されたレーザビームを所定のスポットサイズをもつ短波長ビームスポットに形成する第１手段と、前記第２光源から照射されたレーザビームを所定のスポットサイズをもつ長波長ビームスポットに形成する第２手段と、前記形成した短波長及び長波長ビームスポットのピーク間隔を例えば１ｕｍ〜１０ｕｍだけ重ね合わせる第３手段と、第３手段により重ね合わせた２波長ビームスポットの内、前記短波長ビームスポットに連続して長波長ビームスポットを被対象物に照射する第４手段を備えた。 （もっと読む）

【課題】表示装置を含む絶縁基板上に、ＭＯＳトランジスタとバイポーラトランジスタを同時に集積してなる画素制御回路を形成する。
【解決手段】絶縁基板（１０１）上に設けられ所定の方向に結晶化された半導体薄膜（１０５）に形成された半導体薄膜を用いて形成された複数の半導体素子を有する電子装置または表示装置であって、複数の半導体素子は、ＭＯＳトランジスタ（３００）と、少なくともラテラルバイポーラ薄膜トランジスタ（１００）またはＭＯＳ−バイポーラハイブリッド薄膜トランジスタ（２００）のいずれかを含む電子装置または表示装置。 （もっと読む）

【課題】画素間の表示バラツキを小さく抑えることが可能なアクティブマトリックス方式の表示装置を提供する。
【解決手段】アクティブマトリックス方式の表示装置１であって、チャネル領域を構成する半導体薄膜の結晶状態が異なる複数の薄膜トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２を用いて画素回路ａが構成されている。薄膜トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２のうち、画素電極に直接接続された駆動トランジスタＴｒ１と比較して、これを制御するスイッチングトランジスタＴｒ２におけるチャネル領域の結晶度が低いことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】
複数に分割した領域に、直交する２方向のいずれかの方向に横方向成長した半導体結晶薄膜あるいはレーザ非照射部を任意の配置で形成する。
【解決手段】
基板表面にバリア膜を介して非晶質半導体膜を形成し、全面をエキシマレーザアニールで多結晶化した後、線状に整形した連続発振レーザ光を連続配置した光スイッチを個別にＯＮ／ＯＦＦすることで任意の空間プロファイルを形成しながら第一の方向に走査し、任意の領域をラテラル成長多結晶膜とする。次いで、線状に整形した連続発振レーザ光を連続配置した光スイッチを個別にＯＮ／ＯＦＦしながら第二の方向に走査し、任意の領域をラテラル成長多結晶膜とする。この時、任意の領域にレーザを照射しなくても良い。これにより、第一の方向にラテラル成長した多結晶膜、第二の方向にラテラル成長した多結晶膜、連続発振レーザ非照射膜（エキシマレーザアニール多結晶膜）を任意の領域に形成する。 （もっと読む）

【課題】液状シリコンを利用して薄膜トランジスタのポリシリコンチャネル層を形成することによって、製造工程を単純化した薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたソース／ドレイン電極と、ソース／ドレイン電極上の全面に形成されたドーピング層と、ソース／ドレイン電極間にゲート絶縁膜とドーピング層上に形成されたポリシリコンチャネル層とを含み、ドーピング層は、チャネル層とオーバーラップする領域に形成された。 （もっと読む）

【課題】高性能のトップゲート型ＴＦＴを印刷方式で製造することを可能にする薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体薄膜層２を形成するステップと、その上に、ＴＦＴのチャネル領域を画成するギャップ５が形成されたドープトガラスパターン４を印刷するステップと、チャネル領域の上又は上方に、ゲート誘電体膜及びこの上のゲート伝導体３を有するゲート電極を形成するステップと、ドープトガラスパターンから半導体薄膜層にドーパントを拡散させるステップとを含む自己整合トップゲート型薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及びそのような薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、半導体膜を大粒径の結晶化が可能な半導体装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、非単結晶半導体膜の結晶化領域に、光変調されて極小光強度線もしくは極小光強度点を有する光強度分布のレーザ光を前記非単結晶半導体膜上に設けられた第１の光吸収層を介して照射して前記結晶化領域を結晶化するレーザ照射工程、即ち結晶化工程（Ａ）と、少なくとも結晶化された前記結晶化領域の上に形成された第２の光吸収層にレーザ光もしくはフラッシュランプ光を照射することにより前記結晶化された領域を第２の光吸収層を介して再加熱する再結晶化工程、即ち加熱工程（Ｃ）とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体層に残っている微量の金属触媒（Ｎｉ等）の残留量を最少にすることで素子特性を向上させたＰ型薄膜トランジスタを製造する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、基板１０１上に非晶質シリコン層を形成し、その上にキャッピング層と金属触媒を蒸着して第１熱処理を実施することにより非晶質シリコン層を多結晶シリコン層に結晶化する段階と、キャッピング層を除去してから多結晶シリコン層をパターニングして半導体層１１０を形成する段階と、基板１０１上にゲート絶縁膜１２０及びゲート電極１３０を形成する段階と、半導体層１１０にｐ型不純物を注入する段階と、半導体層１１０にゲッターリング工程物質を注入して第２熱処理を実施し、半導体層１１０に残留した金属触媒を除去する段階とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体層に残っている金属触媒の残留量を最少にし、マスク数を減少させて工程を単純化したＣＭＯＳ薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＣＭＯＳ薄膜トランジスタの製造方法は、第１熱処理を実施して金属触媒をキャッピング層を介して非晶質シリコン層の界面に拡散させ、拡散した金属触媒によって非晶質シリコン層を多結晶シリコン層に結晶化する段階と、多結晶シリコン層をパターニングして第１及び第２半導体層１３２、１３４を形成する段階と、第１及び第２半導体層１３２、１３４に第１不純物をドーピングする段階と、第１半導体層１３２に第２不純物をドーピングする段階と、第２熱処理を実施して第２不純物がドーピングされた第１半導体層１３２内に残留する金属触媒を除去する段階とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶粒を大きくでき、かつ、その特性向上を図ることができる半導体結晶薄膜の製造方法、およびそれに用いる製造装置、フォトマスクを提供する。
【解決手段】半導体薄膜上にスリットビーム群を形成するようにレーザビームを照射する第１のレーザと、前記スリットビーム群を含む照射領域にレーザビームを照射する第２のレーザとを用いて、半導体薄膜を結晶化させて半導体結晶薄膜を形成する工程と、前記第１のレーザを用いて、前記第２のレーザの照射領域を含む矩形状のレーザビームを照射することによって、半導体結晶薄膜に生じたリッジの高さを低減する工程とを含む半導体結晶薄膜の製造方法、およびそれに用いる装置、フォトマスク。 （もっと読む）

【課題】金属元素を利用して得られた結晶性珪素膜中の当該金属元素の影響を抑え、優れた性能を備えた半導体装置を得ることを目的とする。
【解決手段】結晶化を助長する金属元素を利用して得た結晶性珪素膜で構成された活性層と、前記活性層上に形成されたゲイト絶縁膜と、を有し、前記ゲイト絶縁膜は、ハロゲン元素を含有する絶縁膜を有する。ハロゲン元素を含有する絶縁膜によって、結晶化を助長する金属元素を固定化し、ゲイト絶縁膜の機能低下を防止する。 （もっと読む）

【課題】他の半導体装置と一体形成が可能な不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】不揮発性メモリを構成するメモリ素子、スイッチング素子，および他の周辺回路をＴＦＴでもって基板上に一体形成する。メモリ素子ＴＦＴの半導体活性層の厚さが、他のＴＦＴの半導体活性層の厚さよりも薄いので、メモリ素子ＴＦＴのチャネル領域でインパクトイオン化が起こりやすくなる。こうすることによって、メモリ素子の低電圧書込み／消去を実現することができ、劣化が起こりにくく、小型化が可能な不揮発性メモリが提供される。 （もっと読む）