【課題】 ２本のレーザビームを斜め入射させる場合でも、高品質の多結晶膜を製造することが可能な多結晶膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 表面にシリコン膜が形成された加工対象物(30)の該表面をｘｙ面とするｘｙｚ直交座標系を定義したとき、該加工対象物の表面上のｙ方向に長い被照射領域に、該加工対象物の表面におけるパワー密度が相対的に大きく、かつｙ方向に関する光強度分布が均一化された第１のレーザビーム(L1)を、ｘ軸の正の向きに傾けた方向に沿って入射させると同時に、該加工対象物の表面におけるパワー密度が相対的に小さく、かつｙ方向に関する光強度分布が均一化された第２のレーザビーム(L2)を、ｘ軸の負の向きに傾けた方向に沿って入射させながら、前記加工対象物をｘ軸の正の向きに移動させることにより、前記シリコン膜を多結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】巨大結晶を安定して作製する、レーザ照射装置、レーザ照射方法を提供する。
【解決手段】本発明のレーザ照射装置３０は、第1レーザ照射手段１０と、第２レーザ照射手段２０と、被照射物８０に対して、第1照射領域２および第２照射領域２２からなる一組の照射領域を相対的に移動させる移動手段１８とを備え、第２照射領域２は、第１照射領域２と重複する部分を含む重複部２２ｂと、一組の照射領域の相対移動方向における重複部２２ｂよりも先頭側において、第１照射領域２と重複しない未重複部２２ａとを有している。 （もっと読む）

【課題】 入射光の光軸を入れ替えて出射する。
【解決手段】 第１レーザビーム（ＬＢ）の光路に配置された第１偏光ビームスプリッタ（ＢＳ）と、第１ＢＳを透過した第１ＬＢが入射する位置に配置された第２ＢＳと、第２ＢＳで反射された第１ＬＢが入射する位置に配置された第３ＢＳと、第２ＬＢの光路に配置された第４ＢＳであって、第４ＢＳを透過した第２ＬＢは第３ＢＳに入射し、第４ＢＳで反射された第２ＬＢは第１ＢＳに入射するように配置された第４ＢＳと、第１ＢＳと第２ＢＳの間の第１ＬＢの光路でＬＢの偏光面を回転させないまたは９０°回転する第１偏光面回転器と、第４ＢＳに入射する第２ＬＢの光路でＬＢの偏光面を回転させないまたは９０°回転する第２偏光面回転器とを有し、第１ＢＳを透過する第１ＬＢの出射経路と、第１ＢＳで反射される第２ＬＢの出射経路が等しく、第３ＢＳを透過する第２ＬＢの出射経路と、第３ＢＳで反射される第１ＬＢの出射経路が等しい光軸入替装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えたＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的の一とする。また、そのようなＳＯＩ基板を用いた信頼性の高い半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板より分離され、絶縁表面を有する支持基板に接合された半導体層に電磁波を照射し、電磁波の照射された半導体層表面に研磨処理を行う。電磁波の照射により半導体層の少なくとも一部の領域を溶融させ、半導体層中の結晶欠陥を低減させることができる。さらに、研磨処理によって半導体層表面を研磨し、平坦化することができる。従って、電磁波の照射と研磨処理によって、結晶欠陥が低減され、かつ平坦性も高い半導体層を有するＳＯＩ基板を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】最終結晶においてリッジ高さが高い結晶が含まれないように半導体薄膜を形成することが可能な半導体薄膜の製造装置を提供すること。
【解決手段】制御部８は、移動部７により被照射物８０を相対的に移動させながら第１レーザ出力部４および第２レーザ出力部６５に対して複数回の照射を行なわせることにより、重複する照射領域内で結晶の引継ぎ成長を行なわせる。このとき、あるスリットに対応する照射領域の両端部から成長する結晶が衝突しないように第１レーザ出力部４および第２レーザ出力部６５の照射タイミングを制御した後、移動部７により被照射物を相対的に移動させ、他のスリットに対応する照射領域の両端部から成長する結晶が衝突するように第１レーザ出力部４および第２レーザ出力部６５の照射タイミングを制御する。したがって、リッジ高さが高い結晶が含まれないように半導体薄膜を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】くびれ等のない均一な巨大結晶を作製するための、レーザ照射装置、レーザ照射方法を提供する。
【解決手段】レーザ照射装置１０は、第１〜第ｎの照射領域が第１の方向（Ｙ１）に順次重なってなる最終照射領域を複数組形成するとともに、一つの最終照射領域における第ｎ照射領域が、隣接する他の最終照射領域における第ｍ照射領域（ｍは、２≦ｍ≦ｎを満たす整数）に対して、第１の方向とは逆の第２の方向側（Ｙ２）において部分的に重なるように、制御手段８が構成されるとともに第１マスク群１の各マスクにおける開口部が配置されている。 （もっと読む）

【課題】表示ムラが少ない表示装置を量産性高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】ゲート絶縁膜または下地膜として機能する絶縁膜上に微結晶半導体膜を成膜し、微結晶半導体膜上に非晶質半導体膜を成膜する。次に、エネルギー分布のプロファイルがなだらかなレーザビーム、即ち単位面積当たりのエネルギーが低いレーザビームを非晶質半導体膜に照射して、非晶質半導体膜を微結晶化させて、ゲート絶縁膜または下地膜として機能する絶縁膜上に微結晶半導体膜を形成する。次に、当該微結晶半導体膜をチャネル形成領域用いて薄膜トランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】下部ゲート電極に影響を受けることなく半導体膜を結晶化できる半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の作製方法は、基板上に剥離層を形成し、前記剥離層上に絶縁膜１０７を形成し、絶縁膜１０７上に下部ゲート絶縁膜１０３を形成し、下部ゲート絶縁膜１０３上に非晶質半導体膜を形成し、前記非晶質半導体膜を結晶化することにより下部ゲート絶縁膜１０３上に結晶質半導体膜を形成し、前記結晶質半導体膜上に上部ゲート絶縁膜１０５を形成し、上部ゲート絶縁膜１０５上に上部ゲート電極１０６ａ，１０６ｂを形成し、前記剥離層を絶縁膜１０７から剥離し、絶縁膜１０７を加工することにより下部ゲート絶縁膜１０３を露出させ、前記露出した下部ゲート絶縁膜１０３に接する下部ゲート電極１１５ａ、１１５ｂを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レーザー光導入窓の透過率変化によらず均一な強度分布のレーザー光を照射可能な薄膜半導体の製造装置及び薄膜半導体の製造方法を提供すること。
【解決手段】薄膜半導体の製造装置は、基板の表面に形成された薄膜半導体にレーザー光５０を照射することにより薄膜半導体のアニール処理を行う。当該装置は、内部に基板が設置されるアニール処理室と、アニール処理室に設けられたレーザー光導入窓と、アニール処理室の外部に配置されたレーザー光源と、レーザー光５０の光路に配置され、レーザー光５０の一部を遮光するスリット１０と、当該光路に配置され、レーザー光５０を少なくとも短軸方向に集光する集光レンズ４２とを備える。レーザー光５０は、スリット１０により一部が遮光され、集光レンズ４２によって略線状に集光された結果、長軸方向の強度分布が調整される。 （もっと読む）

【課題】Ｓ値が小さくオン電流の低下が抑えられた応答性のよい半導体装置を作製する。
【解決手段】ソース領域又はドレイン領域の膜厚がチャネル形成領域の膜厚よりも厚い半導体層を形成する。このような半導体層を用いた半導体装置の作製方法としては、基板上に第１の半導体層を形成し、第１の半導体層上に第１の絶縁層と導電層とを形成し、導電層の側面に第２の絶縁層を形成し、第１の絶縁層と導電層と第２の絶縁層の上に第２の半導体層を形成し、部分的に設けたレジストをマスクとして第２の半導体層をエッチングし、第１の半導体層と第２の半導体層とを加熱処理することにより、凹凸形状を有する半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に設けられたゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた酸化物半導体膜と、を備えるトランジスタを有し、酸化物半導体膜の少なくともチャネル形成領域となる領域に対して加熱処理が行われている。 （もっと読む）

【課題】固体レーザを用いながらも、線状ビームの短軸方向のエネルギー分布を、傾斜した裾部がない理想的なフラットトップ形状に変形するができ、これにより、等方的で均一な結晶粒を得ることができるレーザアニール装置及びレーザアニール方法を提供する。
【解決手段】固体レーザ光源１２からレーザ光１を発振し、線状ビームの短軸方向のエネルギー分布を均一化し、遮蔽機構３２により、エネルギー分布を均一化したレーザ光１の一部を遮蔽して短軸方向のエネルギー分布における傾斜した両裾部を除去する。 （もっと読む）

【課題】レーザアニールでラテラル結晶成長を引き起し、均一な結晶構造の半導体薄膜を形成する。
【解決手段】基板上に光吸収層１０２を形成する工程と、光吸収層を所定の形状にパターニングする工程と、パターニングされた光吸収層を絶縁膜１０３で覆う工程と、絶縁膜上に半導体薄膜１０４を形成する工程と、パルス発振されたレーザ光を照射し半導体薄膜を結晶化するレーザアニール工程とを行う。絶縁膜１０３の厚さを１５０ｎｍ以下とすることにより、レーザアニール工程において、光吸収層１０２のパターンより内側に位置する半導体薄膜１０４の内部領域１０６においては、光吸収層からの熱伝導により半導体薄膜が融解するようにレーザ光でパルス加熱する加熱過程と、内部領域が融解した後、外部領域１０７との境界から内側に向かってラテラル成長が進行し、多結晶粒Ｌが生成する冷却過程が行われる。 （もっと読む）

【課題】微細構造のトランジスタにおいて、ゲート電極及び半導体層へダメージを与えることなく、レーザアニールを行う。
【解決手段】絶縁基板上に形成された半導体膜の、ソース領域またはドレイン領域として機能する一対の不純物領域上に、第１の層間絶縁膜を形成し、ゲート電極上に第１の層間絶縁膜及び第２の層間絶縁膜を形成する。第１の層間絶縁膜は、一対の不純物領域に照射される特定波長領域の光の反射率を減少させる光学膜厚で成膜され、第２の層間絶縁膜は、ゲート電極に照射される、特定波長領域の光の反射率を増大させる光学膜厚で成膜されている。 （もっと読む）

【課題】多結晶膜の結晶状態に関する面内ばらつきを迅速かつ正確に評価することができる多結晶膜の評価方法を提供する。
【解決手段】ｘ方向に沿った線状のレーザ光を、ｘ方向と交差するｙ方向に走査し、該レーザ光の照射によって非晶質膜を加熱して得られる多結晶膜の評価方法であって、エネルギー密度を段階的に変化させたレーザ光で非晶質膜を照射し、多結晶膜からなる複数のサンプル領域２３〜２６を形成するステップと、各サンプル領域２３〜２６に向けて測定光を照射し、各サンプル領域２３〜２６からの散乱光の強度分布を計測するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】耐圧性が高く、かつ、領域間で特性のばらつきが少ない結晶性半導体膜の製造方法、及び、その製造方法に好適に用いられるレーザー装置を提供する。
【解決手段】レーザー光の照射及び移動を交互に繰り返して非晶質半導体膜を溶融し、結晶化して形成される結晶性半導体膜の製造方法であって、上記レーザー光は、直前の照射によって形成された結晶性半導体膜の隆起部を含む領域に、該隆起部の下に位置する結晶性半導体膜を一部残す強度で照射される結晶性半導体膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】作製コストを低減しつつ、高速動作が可能な回路を設けた半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】単結晶半導体基板の表面から所定の深さにイオンドーピング層を形成し、単結晶半導体基板上に第１の絶縁層を形成し、絶縁性基板上の一部に第２の絶縁層を形成し、第２の絶縁層上に非単結晶半導体層を形成し、第１の絶縁層を介して、単結晶半導体基板を絶縁性基板の第２の絶縁層が形成されていない領域に接合させ、単結晶半導体基板を、イオンドーピング層において分離させることにより、絶縁性基板上に単結晶半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】製品の生産に使用可能な量産性の優れた方法でかつ安価なコストにより、半導体薄膜の結晶粒径の拡大を可能とすることを目的とする。
【解決手段】絶縁性基板１０１上に導電性薄膜１０３を形成し、導電性薄膜１０３をパターニングしてから半導体薄膜１０４を形成し、レーザ光を照射して半導体薄膜１０４を溶融し固化して再結晶化する半導体薄膜の製造方法において、導電性薄膜１０３は面方向に突端部を有するようにパターニングされることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】直線偏光のレーザ光を出射するレーザ発振器を用いても、多数の方向に結晶成長させて等方的な結晶粒を得る。
【解決手段】直線偏光で出射されたパルスレーザ光１の偏光方向をパルス毎に変更して、異なる３方向以上の偏光方向をもつパルスレーザ光１を、単位領域あたりの照射回数が３回以上となるように半導体膜２に照射する。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜のレーザ結晶化において、レーザ光を効率的に利用し、さらに、装置のコスト増や、スループットの悪化等を抑制して生産性を向上させる。
【解決手段】半導体薄膜の結晶化方法は、半導体薄膜を準備するステップと、半導体薄膜に対し、レーザ光を照射しつつレーザ光を走査するステップと、レーザ光の照射によって形成された照射領域の側縁部分に所定幅だけ重なるようにレーザ光を半導体薄膜に照射しつつレーザ光を走査するステップと、を備える。 （もっと読む）