【課題】エネルギービームを用いた半導体膜の熱処理によって半導体素子を形成するにあたり、スループットを向上する。
【解決手段】本発明は、処理対象となる半導体膜１１を備えた基板１０を載置するステージ２０と、ステージ２０に載置された基板１０の半導体膜１１上に、複数のエネルギービームの照射点が一定間隔で並ぶようエネルギービームＢを供給する供給部３０と、供給部３０によって供給される複数のエネルギービームＢの照射点の並びと平行とならない方向に複数のエネルギービームＢと基板１０とを相対移動させ、複数のエネルギービームＢの照射点を半導体膜１１上で並列に走査し、半導体膜１１の熱処理を制御する制御部４０とを有する半導体処理装置である。 （もっと読む）

【課題】 表面酸化膜除去から表面酸化膜形成までの前処理工程を速やかに行うことができ、均一な多結晶シリコン膜の作成が可能なレーザアニール装置を提供する。
【解決手段】 アモルファスシリコン薄膜に対して固体レーザアニール法により結晶化を行うレーザアニール装置である。アモルファスシリコン薄膜の表面酸化膜を除去する表面酸化膜除去装置１と、アモルファスシリコン薄膜の表面に所定の厚さの酸化膜を形成する表面酸化膜形成装置２とを前処理装置として有する。表面酸化膜除去装置１と表面酸化膜形成装置２は、連続処理可能な状態に配置されている。例えば、表面酸化膜除去装置１と表面酸化膜形成装置２は同一の搬送ロボット４の周囲に配置されている。あるいは、表面酸化膜除去装置１と表面酸化膜形成装置２が連結されている。 （もっと読む）

【課題】基板が設置されたステージをＸ方向やＹ方向に移動させるレーザー照射装置は、基板が大型化した場合、比例してフットプリント（処理に必要とされる平面での面積）が格段に大きくなり、装置全体の巨大化を招く問題が生じてしまう。
【解決手段】本発明のレーザ照射装置は、ガルバノミラーやポリゴンミラーによりレーザー光を半導体膜に照射して走査させ、さらにレーザー光照射の際は、常に半導体膜への入射角度θをある角度に一定に保つ。 （もっと読む）

【課題】安定で均一なビーム形状と強度をもち、干渉性が低く、小型で高効率なレーザ光源装置を提供する。
【解決手段】横マルチモードの光を出射する励起光源１と、共振器を構成し、少なくとも一部から異なる波長の光を外部に出力する共振器ミラー５，８，１２と、励起光源１から出射される横マルチモードパターンの光で励起されるレーザ媒質６と、レーザ媒質６での発振により得られる横マルチモードの線状の基本波が照射されて、線状の変換波を出力する波長変換素子１０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】定常運転時とメンテナンス時とにかかわらずレーザが発振しているか否かを常に明示して作業者が現場で直接的に安全確認をすることができる発振レーザ明示機能を有する結晶化装置及び結晶化装置における発振レーザ明示方法を提供する。
【解決手段】レーザ光路を取り囲む周囲部材の表面にレーザ光またはレーザ光からの散乱光を受けて発光する蛍光体を有する。 （もっと読む）

【課題】高集積化を妨げずに、多結晶ＴＦＴのオン電流及び移動度を高めることができる半導体装置の作製方法と、それによって得られる半導体装置の提供を課題とする。
【解決手段】半導体膜に触媒元素を添加して加熱することで、結晶性が高められた第１の領域と、第１の領域と比較して結晶性が劣っている第２の領域とを形成し、第１の領域に第１のレーザー光を照射することで、第１の領域よりも結晶性が高められた第３の領域を形成し、第２の領域に第２のレーザー光を照射することで、第２の領域よりも結晶性が高められた第４の領域を形成し、第３の領域と第４の領域をパターニングして、第１の島状の半導体膜と、第２の島状の半導体膜をそれぞれ形成し、第１と第２のレーザー光は、互いにエネルギー密度が同じであり、第１のレーザー光の走査速度は第２のレーザー光の走査速度より速い半導体装置の作製方法。 （もっと読む）

【課題】歩留まり向上が可能で、かつ品質向上につながる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ基板、及びそれらの製造方法、並びに表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法は、基板１上にゲート電極２を形成する工程と、ゲート電極２上にゲート絶縁膜３を形成する工程と、ゲート絶縁膜３上に、ゲート電極２の少なくとも一部と対向配置する半導体層１０のパターン形成する工程と、半導体層１０上にソース電極５、及びドレイン電極６を形成する工程と、ソース電極５、及びドレイン電極６をマスクとして、チャネル領域１０Ｃに相当する半導体層１０を所望の膜厚までエッチングする工程と、露出した半導体層１０にレーザ光を照射する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】保護膜や層間絶縁膜を形成する際に、島状半導体層の段差によるカバレッジ不良を低減する半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】リンを含む層は真性または実質的に真性な層上の一部に形成され、金属膜はリンを含む層上に形成され、半導体膜は、四方の周辺部の領域において真性または実質的に真性な層から形成された１μｍ以上３００μｍ以下の突出部を有し、ゲイト電極と重なり、かつ金属膜と重ならない真性または実質的に真性な層と突出部は金属膜と重なる真性または実質的に真性な層より厚さが薄く、保護膜はゲイト電極と重なり、かつ金属膜と重ならない真性または実質的に真性な層と突出部とを覆っている半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 良質な単結晶シリコン膜を製造する。
【解決手段】 （ａ）単結晶シリコン基板表面の一部に、長さ方向に長く、幅方向に短い凹部を形成する。（ｂ）凹部に、シリコン基板より熱伝導係数の小さい絶縁性の膜を埋め込む。（ｃ）工程（ｂ）で埋め込まれた絶縁性の膜の長さ方向と平行な方向に長く、長さ方向に平行な一方の縁が絶縁性の膜上にあり、長さ方向に平行な他方の縁がシリコン基板表面が露出した領域上にあるシリコン膜を形成する。（ｄ）シリコン膜にレーザビームを照射して、シリコン基板に接触している部分から絶縁性の膜上の部分に向かって結晶成長させることにより、シリコン膜を結晶化する。 （もっと読む）

【課題】生産性及びトランジスタ特性が向上するＴＦＴの製造方法及びＴＦＴを提供すること。
【解決手段】本発明にかかるＴＦＴの製造方法では、レーザー光１０を非晶質半導体膜に対して照射し、ゲート電極２によって反射させて再度非晶質半導体膜に照射する。これにより、ゲート絶縁膜３との界面部の非晶質半導体膜を結晶性を有する微結晶半導体膜４に変換する。そして、不純物濃度がゲート電極２とは反対側からゲート電極２側に向かって連続的に単調減少するように、微結晶半導体膜４に対して不純物元素１１を注入する。 （もっと読む）

【課題】 新規な歪シリコン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）基板表面の一部に、複数の凹部を形成する。（ｂ）複数の凹部の各々に、シリコンとは熱膨張係数の異なる絶縁性の膜を埋め込む。（ｃ）絶縁性の膜、及び基板の表面にシリコン膜を形成する。（ｄ）シリコン膜にレーザビームを照射して、シリコン膜をラテラルエピタキシャル成長させるとともに、ラテラルエピタキシャル成長させたシリコン膜に歪を導入する。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性を有し、Ｓ値において高性能な半導体素子を提供する。
【解決手段】脆化層を有する単結晶半導体基板と、ベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、熱処理によって、脆化層を境として単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層を固定し、単結晶半導体層にレーザ光を照射し、単結晶半導体層を部分溶融状態として再単結晶化し、結晶欠陥を修復する。次いで、ｎ型トランジスタとなる島状単結晶半導体層にフォトマスクを用いてチャネルドープし、次いで該フォトマスクを用いて島状単結晶半導体層をエッチバックし、ｐ型トランジスタとなる島状単結晶半導体層の膜厚より薄くなるようにする。 （もっと読む）

【課題】微結晶半導体膜下部に微結晶を形成可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、（ａ）ガラス基板１０上にゲート電極２０を形成する工程と、（ｂ）ガラス基板１０上およびゲート電極２０上にゲート絶縁膜３０を形成する工程と、（ｃ）ゲート絶縁膜３０上に非晶質シリコン膜４０を成膜する工程とを備える。そして、（ｄ）非晶質シリコン膜４０にパルスレーザ光５０を照射し、当該非晶質シリコン膜４０を結晶化した微結晶シリコン膜４１を形成する工程と、（ｅ）ゲート電極２０上側の微結晶半導体膜４１以外の微結晶半導体膜４１を除去する工程とを備える。そして、（ｆ）工程（ｅ）の後、ゲート電極２０上側の微結晶半導体膜４１と電気的に接続するソース電極７１，ドレイン電極７２を形成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ソース領域及びドレイン領域を含む半導体膜と、半導体膜の側面に接して設けられた第１の絶縁膜と、半導体膜及び第１の絶縁膜上に設けられた第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上に設けられたゲート電極と、ゲート電極上に設けられた第３の絶縁膜と、第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜に設けられ、半導体膜の一部及び前記第１の絶縁膜の一部を露出させる開口と、開口を介して半導体膜に電気的に接続する配線又は電極と、を有し、第１の絶縁膜は、半導体膜の側面に接する部分が一部エッチングされ窪んでおり、配線又は電極は、第１の絶縁膜の窪んだ部分に入り込んでいることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高性能な半導体素子を形成することを可能とする半導体基板および半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】脆化層を有する単結晶半導体基板と、ベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、熱処理によって、脆化層を境として単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層を固定する。次いで、モニタ基板の複数の領域に対して互いに異なるエネルギー密度条件でレーザ光を照射し、レーザ光を照射後の単結晶半導体層のそれぞれの領域の炭素濃度及び水素濃度の深さ方向の濃度分布を測定し、炭素濃度が極大を有し、且つ水素濃度がショルダーピークを有するレーザ光の照射強度を最適なレーザ光の照射強度とする。モニタ基板を用いて検出した最適のエネルギー密度で、単結晶半導体層にレーザ光を照射し、半導体基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】ａ−Ｓｉ膜などの膜厚が変動した場合であっても、一様な結晶化を実現するレーザービーム照射方法を適用すること。
【解決手段】本発明によると、絶縁表面を有する基板上に非単結晶半導体膜を形成し、前記非単結晶半導体膜に３５０ｎｍよりも長い波長を有するレーザービームを照射して前記非単結晶半導体膜を結晶化する、レーザービーム照射方法であって、前記非単結晶半導体膜は面内において膜厚分布を有しており、前記非単結晶半導体膜の膜厚に対する前記レーザービームの吸収率の微分係数は正であることを特徴とするレーザービーム照射方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】外部ストレスによる亀裂、ヒビ、カケなど外観上の不良を低減された半導体装置を提供することを課題の一とする。また、薄型化された半導体装置の製造歩留まりを向上させることを課題の一とする。
【解決手段】複数の半導体集積回路が固着された繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を有する。複数の半導体集積回路はそれぞれ構造体に形成された開口に設けられ、光電変換素子と、側面に段差を有し幅寸法は段差よりも一方の面に向かう先の部分が小さい透光性基板と、透光性基板の他方の面に設けられた半導体素子層と、透光性基板の一方の面及び側面の一部を覆う有彩色の透光性樹脂層とを含む。複数の半導体集積回路において、有彩色の透光性樹脂層の色が異なる。 （もっと読む）

【課題】平均粒径の異なる２つの領域を有する移動度に優れた結晶性半導体膜を備えた半導体基板の製造方法、半導体基板及び表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁性の表面を有する基板上に結晶性半導体膜を備えた半導体基板の製造方法であって、上記製造方法は、絶縁性の表面を有する基板上に非晶質半導体膜を成膜する工程と、非晶質半導体膜の一部を結晶化し、第一結晶性半導体膜を形成する第一結晶化工程と、非晶質半導体膜の残部を溶融固化し、第一結晶性半導体膜よりも平均粒径の小さい第二結晶性半導体膜を形成する第二結晶化工程と、第一結晶性半導体膜の平均粒径が第二結晶性半導体膜の平均粒径よりも大きい状態を維持しながら第一結晶性半導体膜及び第二結晶性半導体膜を溶融固化する第三結晶化工程とを含む半導体基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を向上させることができる連続発振のレーザ装置を用いた半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】絶縁表面上に半導体膜を形成し、半導体膜に希ガスを添加し、希ガス雰囲気中で希ガスが添加された半導体膜にレーザ光を照射し、レーザ光の照射の際に半導体膜に磁場を印加し、半導体膜は数μｓ以上数十μｓ以下の間溶融している半導体装置の作製方法を提供する。なお、レーザ光は基本波と高調波を合わせることで効率よく半導体膜を結晶化できる。 （もっと読む）

【課題】 帯状の絶縁パターンの中央近傍に結晶粒界が発生することを防止することが可能なレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 単結晶半導体基板と、その半導体基板よりも熱伝導率の低い材料からなり、相互に平行に配置されて前記半導体基板まで達する複数の溝が形成されている第１の膜と、アモルファスまたはマイクロクリスタルの半導体からなり、溝内及び第１の膜の上に配置されている第２の膜とを有する加工対象物を準備する。第２の膜に、第２の膜の表面において溝の長手方向と平行な長尺ビームであるパルスレーザビームを入射させ、パルスレーザビームの入射位置を、第２の膜の表面において、溝の長手方向と交差する方向に、オーバラップさせながら移動させる。第２の膜の表面におけるパルスレーザビームのビームプロファイルの短軸方向の幅が、相互に隣り合う溝の間隔よりも狭い。 （もっと読む）