【課題】 生産性の高い複合処理を行う。
【解決手段】 一方向に長いフィルム状基板を、フィルム状基板の長さ方向に搬送する搬送装置と、フィルム状基板上に、成膜を行う成膜装置と、成膜装置で成膜が行われ、搬送装置で搬送されたフィルム状基板にレーザビームを入射させて、フィルム状基板上に成膜された膜のアニールを行う第１のレーザ処理装置と、第１のレーザ処理装置でアニールが行われ、搬送装置で搬送されたフィルム状基板にレーザビームを入射させて、フィルム状基板上に成膜された膜の一部を除去する第２のレーザ処理装置とを有する複合処理装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 アニール対象物のレーザビーム入射位置の溶融部分の表面温度を計測する技術を提供する。
【解決手段】 放射光検出器が、アニール対象物の表面のうち、パルスレーザビームが入射した領域内の被測定領域からの放射光の強度を検出する。反射率測定器が、被測定領域の反射率を測定する。制御装置が、反射率測定器による反射率の測定結果、及び放射光検出器による放射光の強度の測定結果に基づいて、アニール対象物の表面の温度を算出する。 （もっと読む）

【課題】 アニール対象物のレーザビーム入射位置の溶融部分の深さを、非接触で計測する技術を提供する。
【解決手段】 アニール用レーザ光源が、ステージに保持されたアニール対象物にアニール用パルスレーザビームを入射させる。アニール対象物の表面のうち、アニール用パルスレーザビームが入射した領域に、測定用光源から測定用レーザビームが入射される。反射光検出器が、測定用レーザビームの反射光の強度を検出する。制御装置が、反射光検出器で検出された反射光の強度の時間変化に基づいて、アニール対象物が、アニール用パルスレーザビームの入射によって一時的に溶融した部分の溶融深さを算出する。 （もっと読む）

【課題】低コストなＴＦＴ基板の製造方法、及びこれを用いた表示装置の製造方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかるＴＦＴ基板の製造方法は、基板１上にアモルファスシリコン膜４を形成するアモルファスシリコン膜形成工程と、アモルファスシリコン膜４上に屈折率が１．５５以上１．８０以下のシリコン酸窒化膜からなる反射防止膜６を形成する反射防止膜形成工程と、反射防止膜６が形成された基板に反射防止膜６を介してレーザアニールを行ない、アモルファスシリコン膜４を結晶化してポリシリコン膜５を形成するポリシリコン膜形成工程と、ポリシリコン膜５形成後に反射防止膜６を除去する反射防止膜除去工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射を行う際に、レーザ光の長軸方向の端部領域におけるエネルギー強度分布の低い領域の、エネルギー強度分布を高くするレーザ照射装置およびレーザ照射方法の提供を目的とする。
【解決手段】レーザ光を照射面に照射させる際に、レーザ発振器から発振されたレーザ光を、光学素子を介して一方向に集光する。光学素子を通過し、一方向に集光されたレーザ光を、レーザ光の長軸方向における端部領域を遮光する手段を通過させることにより、照射面においてレーザの長軸方向の端部領域にエネルギー強度分布が急峻に高くなる領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】非単結晶半導体の結晶化を安全かつ高効率に行なうことが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】円柱または円筒の形状の回転ステージを有するローラーと、エネルギービームを出射するエネルギービーム照射機構と、ローラーおよびエネルギービーム照射機構を収容するチャンバーと、ローラーとエネルギービームの光軸との相対的な位置関係を変化させるための照射位置移動機構とを備え、該回転ステージは、円柱または円筒の底面の中心を通り底面と垂直をなす回転軸を中心に回転可能であり、回転ステージの側面の少なくとも一部の領域に基板ステージが設けられ、照射位置移動機構は、上記側面に対してエネルギービームが螺旋状に走査されるように上記の位置関係を回転軸の方向に変化させる機構であり、チャンバーはエネルギービームを遮蔽する材質からなる、半導体製造装置に関する。 （もっと読む）

【課題】ビームエキスパンダー光学系を介して被照射物にレーザ光の照射を行う場合に、被照射物へのレーザ光の照射位置の誤差を低減させ、かつ、ビームエキスパンダー光学系を作り替えることなく任意の大きさのレーザ光を照射することができるレーザ光照射装置およびレーザ光の照射方法の提供を目的とする。
【解決手段】レーザ発振器と、ズーム機能を具備するビームエキスパンダー光学系と、レーザ発振器とビームエキスパンダー光学系とを共役にする位置に配置された補正レンズとを有するレーザ光照射装置であって、ビームエキスパンダー光学系は、少なくとも３枚のレンズを有し、レーザ光の進行方向において順に第１のレンズ、第２のレンズ、第３のレンズとすると、第２のレンズおよび第３のレンズはレーザ光の倍率にあわせて連動する。 （もっと読む）

【課題】溶融・再結晶化プロセスが結晶粒径に対して飽和することがなく、パルスレーザ光の照射回数に応じて所望の結晶粒径まで成長させることができるレーザアニール方法及びレーザアニール装置を提供する。
【解決手段】矩形状ビームの短軸方向のエネルギープロファイルを、ガウシアン形状と比較して短軸方向に均一化し、エネルギー密度がビーム走査方向前方から後方に向って連続的又は段階的に増大する領域を有するものとする。 （もっと読む）

【課題】非結晶半導体膜を全面高結晶化することができ、非結晶半導体膜を略全面において、粒状結晶部分がほとんどなく、しかもつなぎ目のないラテラル結晶膜とすることも可能なレーザアニール技術を提供する。
【解決手段】粒状結晶部分及び非結晶部分が融解し、ラテラル結晶部分が融解しない条件でレーザアニールを実施し、かつ、下記式（１）を充足するよう、粒状結晶部分におけるレーザ光照射時間を非結晶部分におけるレーザ光照射時間より長くして、レーザアニールを実施する。
｜ＥＡ−ＥＰ｜＜｜ＥＡ−ＥＰｓ｜・・・（１）
（ＥＡ：非結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの吸収光エネルギー。ＥＰｓ：非結晶部分と同一のレーザ光照射条件でレーザ光を照射したときの、粒状結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの吸収光エネルギー。ＥＰ：粒状結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの実際の吸収光エネルギー。） （もっと読む）

【課題】非結晶半導体膜を全面高結晶化することができ、非結晶半導体膜を略全面において、粒状結晶部分がほとんどなく、しかもつなぎ目のないラテラル結晶膜とすることも可能なレーザアニール技術を提供する。
【解決手段】被アニール半導体膜の表面に、ラテラル結晶部分、粒状結晶部分、及び非結晶部分におけるレーザ光の反射率が下記式（１）又は（２）を充足する反射制御膜を成膜し、この反射制御膜の上から、粒状結晶部分及び非結晶部分が融解し、かつラテラル結晶部分が融解しない条件で、レーザアニールを実施する。
ＲＰ≦ＲＡ≦ＲＬ・・・（１）、ＲＰ≦ＲＬ≦ＲＡ・・・（２）
（ＲＡ：非結晶部分におけるレーザ光の反射率、ＲＰ：粒状結晶部分におけるレーザ光の反射率、ＲＬ：ラテラル結晶部分におけるレーザ光の反射率。） （もっと読む）

【課題】レーザー結晶化法により、粒界が一方向に揃った結晶質半導体膜と、その作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成した半導体膜を線状レーザー光により結晶化するに際して、ストライプ状に凹凸が形成された位相シフトマスクを用いる。位相シフトマスクに形成されたストライプ状の凹凸は線状レーザー光の長軸方向と垂直に近い角度をなすように形成されている。レーザー光には連続発振のレーザー光を用い、該レーザー光の走査方向はストライプ状の凹凸（溝）の方向とほぼ平行である。長軸方向に周期的にレーザー光の輝度を変化させることによって、完全溶融した半導体膜の結晶核生成位置を制御することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶粒の幅を制御することが可能な結晶性半導体膜の作製方法、さらには、特定の結晶構造を有し、且つ結晶粒の幅を制御することが可能な結晶性半導体膜の作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、非晶質半導体膜上に、キャップ膜を形成し、キャップ膜を透過する連続発振又は繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のレーザビームが非晶質半導体膜に照射されるように走査して非晶質半導体膜を溶融させた後結晶化する。このとき、レーザビームのビームスポットにおける長さ方向及び幅方向のエネルギー分布はガウス分布であり、非晶質半導体膜の一領域あたりにレーザビームを５マイクロ秒以上１００マイクロ秒以下照射するようにレーザビームを走査する。 （もっと読む）

【課題】結晶粒界の方向や結晶粒の幅を制御することが可能な結晶性半導体膜の作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、非晶質半導体膜上に、キャップ膜を形成し、キャップ膜を透過する連続発振又は繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のレーザビームが非晶質半導体膜に照射されるように走査して非晶質半導体膜を溶融させた後結晶化する。このとき、レーザビームのビームスポットにおける長さ方向のエネルギーの周期が０．５μｍ以上１０μｍ以下、好ましくは１μｍ以上５μｍ以下であり、レーザビームのビームスポットにおける幅方向のエネルギー分布はガウス分布であり、非晶質珪素膜の一領域あたりにレーザビームを５マイクロ秒以上１００マイクロ秒以下照射するようにレーザビームを走査する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は格別の工程の増加を伴うことなく、トランジスタの性能を飛躍的に改良するとともに小型化・高集積化した薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供することを課題とするものである。
【解決手段】 基板上に形成された絶縁膜の側壁又は基板段差部の側壁を覆う絶縁膜に接して形成された半導体結晶化薄膜をチャネルの一部とすることを特徴とする薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】固体レーザの波長変換光を用いた半導体膜のレーザアニールにおいて、レーザビームの吸収率を高め、かつ膜厚の影響を低減することができるレーザアニール方法および装置を提供する。
【解決手段】半導体膜１ａの入射面に対して電場ベクトルが平行なｐ偏光のレーザビーム４を発生させ、ｐ偏光のレーザビーム４を、レーザビームの吸収率が５０％を超える入射角度θで半導体膜に照射する。 （もっと読む）

【課題】 レーザビームのエネルギの利用効率を向上させることが可能なレーザアニール装置を提供する。
【解決手段】 レーザアニール装置は、レーザ光源と、レーザビームを複数本に分岐する分岐光学系と、分岐された複数本のレーザビームが入射する第１のズーム光学系と、第１のズーム光学系から出射した複数本のレーザビームが入射する加工対象物を保持する保持台と、加工対象物の表面と平行な方向に保持台を移動させる移動機構と、加工対象物の表面上で複数本のレーザビームが第１の方向に走査されるように移動機構を制御する制御装置とを有し、分岐光学系が、加工対象物の表面上で複数本のレーザビームの断面が第１の方向と交差する第２の方向に並ぶようにレーザビームを分岐させ、第１のズーム光学系が、加工対象物の表面で複数本のレーザビームの断面が第２の方向に並んで形成されるパタンの大きさを変化させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結晶粒径が小さく、かつ等間隔で格子状に整列した結晶粒を有する半導体薄膜、薄膜トランジスタ、それらの製造方法、及び半導体薄膜の製造装置を得ることを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる半導体薄膜は、非晶質の半導体薄膜にレーザー光１２を照射することにより多結晶化されたものである。そして、本発明にかかる半導体薄膜は、結晶粒６が格子状に整列している。また、結晶粒６の大きさは、レーザー光１２の発振波長の略半分となっている。 （もっと読む）

【課題】
コンパクトな構成で、複数のレーザビームを合成し、長尺方向で均一化した強度分布を有する長尺ビームを照射する。
【解決手段】
複数のレーザ光源の各々から出射したレーザビームを光ファイバに結合し、光ファイバの出射面を第１の方向に並んで配列する。複数の光ファイバの出射面から出射する複数の光ビームをＮＡ変換光学系に導入し、第１の方向のＮＡを変換する。ＮＡを変換した光ビームをカレイドスコープに導入し、第１の方向に関して複数回反射させる。第１の方向の光強度分布を平均化した合成光ビームをカレイドスコープから出射する。直交方向に関して異なる焦点距離を有する結像光学系で、長尺方向はカレイドスコープの出射面の像を、短尺方向は光ファイバの出射面の像を、それぞれ照射面上に結像する。 （もっと読む）

【課題】基板、下地保護膜、及び結晶性珪素膜に亀裂が入ることを抑制することが可能な結晶性珪素膜の作製方法、及び半導体装置の作製方法を提案することを課題とする。
【解決手段】熱膨張率が６×１０^−７／℃より大きく３８×１０^−７／℃以下、好ましくは６×１０^−７／℃より大きく３１．８×１０^−７／℃以下の基板上に、半導体膜を含む層を形成し、当該層を加熱する。次に、加熱された層にレーザビームを照射して、半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を形成する。基板上に形成する半導体膜を含む層は、上記加熱後においては、半導体膜を含む層の全応力が−５００Ｎ／ｍ以上＋５０Ｎ／ｍ以下、好ましくは−１５０Ｎ／ｍ以上０Ｎ／ｍ以下となるような層を形成する。 （もっと読む）

【課題】
複数に分割した領域に、直交する２方向のいずれかの方向に横方向成長した半導体結晶薄膜あるいはレーザ非照射部を任意の配置で形成する。
【解決手段】
基板表面にバリア膜を介して非晶質半導体膜を形成し、全面をエキシマレーザアニールで多結晶化した後、線状に整形した連続発振レーザ光を連続配置した光スイッチを個別にＯＮ／ＯＦＦすることで任意の空間プロファイルを形成しながら第一の方向に走査し、任意の領域をラテラル成長多結晶膜とする。次いで、線状に整形した連続発振レーザ光を連続配置した光スイッチを個別にＯＮ／ＯＦＦしながら第二の方向に走査し、任意の領域をラテラル成長多結晶膜とする。この時、任意の領域にレーザを照射しなくても良い。これにより、第一の方向にラテラル成長した多結晶膜、第二の方向にラテラル成長した多結晶膜、連続発振レーザ非照射膜（エキシマレーザアニール多結晶膜）を任意の領域に形成する。 （もっと読む）