【課題】高配向性シリコン薄膜の形成方法、３次元半導体素子の製造方法及び３次元半導体素子を提供する。
【解決手段】基板上に一定の方向に配向された高配向性ＡｌＮ薄膜を形成する段階と、高配向性ＡｌＮ薄膜を酸化させ、ＡｌＮ薄膜の表面に、高配向性Ａｌ_２Ｏ_３層を形成する段階と、高配向性Ａｌ_２Ｏ_３層上に、シリコン薄膜を成長させる段階とを含むことを特徴とする高配向性シリコン薄膜を形成する方法である。 （もっと読む）

本発明は、歪み薄膜を緩和するための方法に関する。歪み薄膜は、初期支持体の第一の主面によって固定され、薄膜の第二の主面は接触面として知られ、この方法は、以下の連続するステップを有している：
---接触面として知られている主自由面を具備し、ポリマーの熱膨張率が薄膜のそれよりも大きいポリマー層を有する中間支持体を提供するステップと、
---歪み薄膜の接触面とポリマー層の接触面とを接着して接触させるステップと、
---初期支持体（９）を取り除くことによって、しわの形成によって薄膜（８）の緩和を引き起こし、薄膜の第一の主面を露呈させるステップと、
---緩和させられた薄膜（８）を伸ばして、しわを取り除くために、ポリマー層（２）の温度を増加させるステップと、
---受け入れ基板（１０）の一つの面で薄膜（８）の第一の主面を固定するステップと、
---受け入れ基板と一体になった緩和させられた薄膜を得るために、中間支持体を取り除くステップ。
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【課題】ガリウム酸化物基板を用い、このガリウム酸化物基板上に窒化物半導体を成長させるのに好ましいバッファ層として、（０００１）の面方位以外の面方位に形成した窒化物半導体成長基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ガリウム酸化物基板と、ガリウム酸化物基板上に６００℃以下の成長温度条件で、水素キャリアにより所定の面方位に形成された窒化物半導体のバッファ層とを有する窒化物半導体成長基板とする。これにより、バッファ層の上に成長させた窒化物半導体は分極が小さく、あるいは、分極なしに形成できるので、発光効率の高い発光素子を形成するのに適した窒化物半導体成長基板及びその製造方法が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 熱伝導性が改善された、メタモルフィックバッファ層を有するヘテロ接合半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 半絶縁性基板１の上にエピタキシャル成長法によって、メタモルフィックバッファ層２を形成し、その上にコレクタ層３、ベース層４、エミッタ層５、およびエミッタキャップ層６を順次積層し、コレクタ電極７をメタモルフィックバッファ層２の上部層２ｃに接して設ける。メタモルフィックバッファ層２には、結晶成長中における不純物ドープ法によって、従来のサブコレクタ層と同等またはそれ以上の不純物を導入し、メタモルフィックバッファ層２がコレクタ電流をコレクタ電極７へ導く役割を果たすことができるようにする。熱抵抗の大きい三元混晶などで形成されることの多いサブコレクタ層を省略できるので、半導体装置内で発生した熱を速やかに基板１へ放熱することができる。 （もっと読む）

【課題】多孔質層或いは多孔質領域上に良質の半導体層を形成することを目的とする。
【解決手段】半導体基板の製造方法は、第１材料で構成される基板１１上に、基板１１の格子定数と異なる格子定数を有する第２材料からなる層を含む第１半導体層１２を形成する工程と、少なくも第１半導体層１１の表面を多孔質化して多孔質層１２”を形成する工程と、多孔質層１２”上に第１材料で構成される第２半導体層１４を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】リーク電流を減少させ、リーク電流による接合降伏電圧を減少させて動作電源が高電圧でも投入が可能な半導体素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】歪み絶縁層の下部に絶縁膜を形成することにより、素子動作の際、チャンネル減少による問題点を解決する。製造方法は、第１シリコン層上にゲルマニウムを成長させ、その上に第１絶縁膜を堆積させ、第１絶縁膜の上に所定部分が開放される第１感光膜を形成し、それをマスクとして第１絶縁膜とゲルマニウム層の所定厚さを除去してトレンチを形成し、第１絶縁膜と第１感光膜を除去し、トレンチの内壁に第２絶縁膜を形成し、トレンチの下部の第２絶縁膜が露出するようにゲルマニウム層を除去し、ゲルマニウム層上にゲルマニウムを成長させ、その第３シリコン層を形成し、それらを選択的に除去して素子隔離膜を形成し、第３シリコン層の上部の所定部分にゲート絶縁膜とゲート電極を形成する。 （もっと読む）

レアアース・スカンデートのようなペロブスカイト格子構造を有する絶縁材料の層を含むＳＯＩ（semiconductor on insulator）デバイスである。この絶縁材料（５２）は、この絶縁材料（５２）のすぐ上にダイヤモンド格子を有する半導体材料（５４）を成長させることができる、有効な格子定数を有するように選択される。レアアース・スカンデート絶縁体の例としては、ガドリニウム・スカンデート（GdScO₃）、ジスプロシウム・スカンデート（DyScO₃）、およびガドリニウムとジスプロシウム・スカンデートの合金（Gd_1-xDy_XScO₃）が含まれる。
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