【課題】特定方向の基板反りを抑制できる半導体装置基板の製造方法を実現する。
【解決手段】ガラス基板１１の裏面に、ストライプ形状にパターニングされた応力制御層５１を形成する。応力制御層５１の形成後に、ガラス基板１１のおもて面にＣＬＣ技術を用いて多結晶シリコン膜を形成する。応力制御層５１のストライプの長手方向は、ＣＬＣ技術において使用される連続波レーザの走査方向と垂直な方向に一致させる。 （もっと読む）

【課題】シリコン層又はシリコン基板上に、欠陥密度が低く高品質なエピタキシャル層を、少ない工程で低コストに形成することが可能な半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウエーハ１１の一面１１ａに対して、ウエットエッチング法によって異方性エッチングを行う。シリコンウエーハ１１の一面１１ａに対して、異方性エッチングを行うと、シリコンウエーハ１１の一面１１ａに微細な凹凸１２が形成される。この微細な凹凸１２は、例えば（１１１）面からなる傾斜面１２ａ，１２ｂで構成された溝１４が、周期的に多数形成されたものであればよい。 （もっと読む）

【課題】ＭＩＳトランジスタを備える半導体装置の性能を向上させる。
【解決手段】シリコン基板１の主面ｓ１上のうち、ｎＭＩＳ領域ＲｎにｎＭＩＳ用ゲート電極ＧＥｎを形成し、ｐＭＩＳ領域ＲｐにｐＭＩＳ用ゲート電極ＧＥｐを形成し、それらの側方下部に、それぞれ、ｎ型ソース・ドレイン領域ｓｄｎおよびｐ型ソース・ドレイン領域ｓｄｐを形成する。続いて、シリコン基板１の主面ｓ１と両ゲート電極ＧＥｎ，ＧＥｐとを覆うようにして、引張応力を持つ第１応力膜Ｎ１ａを形成する。その後、ｐＭＩＳ領域Ｒｐの第１応力膜Ｎ１ａにイオン注入３００を施すことで応力を緩和させる。その後、熱処理を施すことで両ゲート電極ＧＥｎ，ＧＥｐを結晶化してから、第１応力膜Ｎ１ａを除去する。両ゲート電極ＧＥｎ，ＧＥｐを結晶化する工程では、第１応力膜Ｎ１ａの引張応力をｎＭＩＳ用ゲート電極ＧＥｎに記憶させる。 （もっと読む）

【課題】歪み緩和バッファ層を設けることなく、結晶構造を有する半導体基板の表面に歪み半導体層を形成でき、したがって、簡単かつ低コストで歪み半導体基板を作製できる歪み半導体基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】結晶構造を有する半導体基板の表面に絶縁膜を形成する（Ｓ１）。半導体基板の材料とは格子定数が異なる元素をその絶縁膜中にイオン注入する（Ｓ２）。その元素が絶縁膜中からはじき出されて半導体基板中に拡散して、その元素を要因とした歪みが半導体基板に生じるように熱処理を行う（Ｓ３）。 （もっと読む）

【課題】
埋め込み絶縁（BOX）膜の薄い完全空乏型シリコンオンインシュレータ(FDSOI)型トランジスタで、トランジスタの性能向上を図る歪印加手法の効果の増大を図る。
【解決手段】
極薄のSOI構造６を有するFDSOI型トランジスタで、極薄のBOX層４の裏側５に応力発生領域を設けてチャネル形成部分に歪を印加する。応力発生領域は、BOX裏側の所望の領域をイオン注入により非晶質化させ、しかる後に応力印加膜３を形成した状態において熱処理再結晶化を行うことにより、応力印加膜３からの応力をチャネル形成部分に転写させることで形成する。 （もっと読む）

本発明は、複合マイクロエレクトロニック構造体の作製方法に関し、２つの基本マイクロエレクトロニック構造体１、３が、その２つの結合面で組み立てられる。本発明は、組立前に、接線応力状態における差が組み立てられる２つの面間で引き起こされ、この差が、組立条件に対する所与の条件下で、組立構造体内で所定の応力状態を得るように選択されることを特徴とする。
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【課題】ウエハ・ボンディングを回避し、歪み半導体オン・インシュレータ（ＳＳＯＩ）基板を製造する、コスト効率がよく製造実施可能な方法と、この方法によって製造されたＳＳＯＩ基板とを提供する。
【解決手段】本方法は、基板の上にさまざまなエピタキシャル半導体層を成長させる工程であって、半導体層の少なくとも一つはひずみ半導体層の下にあるドープされた緩和半導体層である工程と、ドープされた緩和半導体層を電解陽極酸化プロセスによって多孔質半導体に変換する工程と、酸化して多孔質半導体層を埋め込み酸化物層に変換する工程と、を含む。本方法は、基板の上の緩和半導体層と、緩和半導体層の上の高品質埋め込み酸化物層と、高品質埋め込み酸化物層の上の歪み半導体層と、を備えるＳＳＯＩ基板を提供する。本発明によれば、緩和半導体層と歪み半導体層とは同一の結晶配向を有する。 （もっと読む）

ＭＩＳＦＥＴの高性能化を実現する高移動度歪みシリコン構造に、低欠陥かつ低コストで移動度を向上した半導体装置を提供する。ＭＩＳＦＥＴの高性能化を実現する高移動度歪みシリコン構造として、空洞を有するシリコン基板上に、格子緩和シリコン・ゲルマニウム膜／濃度傾斜シリコン・ゲルマニウム膜を形成し、さらにその上に歪みシリコン膜を形成する。これにより、空洞近傍の格子の束縛が緩み、自由度が増すことにより、シリコン・ゲルマニウム膜の薄膜化が実現できるため、低欠陥かつ低コストで移動度を向上した半導体装置を提供できる。 （もっと読む）