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Fターム[5F157AC42]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 洗浄、すすぎ、乾燥工程の態様 (3,638) | 多槽(室) (264) | 単一の工程 (58)

Fターム[5F157AC42]の下位に属するFターム

洗浄 (36)
すすぎ (5)
乾燥 (13)

Fターム[5F157AC42]に分類される特許

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【課題】 基板の搬送速度を変更した場合においても、基板を均一に処理することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】 ガラス基板100を水平方向に搬送する搬送ローラ9と、処理液吐出口21が形成され、この処理液吐出口21とガラス基板100の表面との間が処理液の液膜により液密状態となる位置に配置された処理液吐出ノズル2と、処理液保持面31を備え、処理液吐出口21と処理液保持面31との間に処理液の液溜まりを形成可能となる位置に配置された液溜まり保持部材3と、ガラス基板100の表面に供給された処理液がガラス基板100の搬送方向に対して上流側に流出することを防止するためのエアナイフ5と、ガラス基板100の裏面に洗浄液を供給する一対の裏面洗浄部4とを備える。 (もっと読む)


【課題】設備コストを低減しつつ、良好なエッチング特性を得ることができるドライエッチング方法およびドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】本実施形態のドライエッチング方法は、水素を含む第1の反応ガスとフッ素を含む第2の反応ガスとをニッケルで形成された加熱体110に接触させることで、水素ラジカルとフッ素ラジカルとをそれぞれ生成し、前記水素ラジカルおよび前記フッ素ラジカルと、前記第1の反応ガスおよび前記第2の反応ガスとを反応させることでエッチングガスを生成し、前記エッチングガスによって基板上のシリコン酸化物層をエッチングする。これにより、マイクロ波を用いた従来のラジカル源と比較して、ラジカルの生成に必要な設備および電力を低コストに抑えることができる。また、反応ガスに対する加熱体110の耐久性が向上し、安定したエッチング特性を維持できる。 (もっと読む)


【課題】複数の基板処理部が搬送路に沿って配列されている場合でも、基板搬送時間の増加を抑制または回避することができる基板処理装置および基板搬送方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置1は、複数の処理ユニット6と、シャトルSTと、メインロボットMRと、MR移動機構7と、シャトル移動機構とを含む。複数の処理ユニット6は、それぞれ基板Wを1枚ずつ処理するためのものであり、搬送路C1に沿って配列されている。また、シャトルSTは、基板Wを待機させておくためのものであり、搬送路C1に沿って移動可能に設けられている。また、メインロボットMRは、シャトルSTと各処理ユニット6との間で基板Wを搬送するためのものであり、搬送路C1に沿って移動可能に設けられている。シャトル移動機構は、搬送路C1に沿ってシャトルSTを移動させる。また、MR移動機構7は、搬送路C1に沿ってメインロボットMRを移動させる。 (もっと読む)


【課題】境界面の工学設計のための制御雰囲気システム
【解決手段】1つまたは複数の湿式基板処理モジュールに結合された実験室雰囲気制御搬送モジュールを含むクラスタアーキテクチャ。実験室雰囲気制御搬送モジュールと、1つまたは複数の湿式基板処理モジュールとは、第1の雰囲気環境を管理する。クラスタアーキテクチャは、実験室雰囲気制御搬送モジュールおよび1つまたは複数のプラズマ処理モジュールに結合された真空搬送モジュールを有する。真空搬送モジュールと、1つまたは複数のプラズマ処理モジュールとは、第2の雰囲気環境を管理する。真空搬送モジュールおよび1つまたは複数の雰囲気処理モジュールに結合された制御雰囲気搬送モジュールは、第3の雰囲気環境を管理する。クラスタアーキテクチャは、したがって、第1、第2、または第3の雰囲気環境のいずれかにおけるおよび関連の移行の最中における基板の制御式処理を可能にする。実施形態は、また、基板のトレンチを充填するための効率的な方法を提供する。 (もっと読む)


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