本発明は、半導体素子類を製造する工程中に感光性樹脂を除去するために使用される感光性樹脂除去剤組成物を開示する。より詳細には、ヒドラジン水和物またはアミン化合物３〜２０重量％と、 極性溶剤２０〜４０重量％と、イミダゾリン誘導体、サルファイド誘導体、スルホキシド誘導体、芳香族系化合物、またはヒドロキシル基を有する芳香族系化合物から選択される腐食防止剤０．０１〜３重量％と、Ｃ_２〜Ｃ_１０のモノアルコール化合物０．０１〜５重量％と、脱イオン水４０〜７０重量％とからなることを特徴とする。
本発明による半導体用感光性樹脂除去剤組成物は、ハードベイク、ドライエッチング、アッシング(ashing)、またはイオン注入工程により硬化された感光性樹脂膜及び前記工程中に下部の金属膜質からエッチングされて出てくる金属性副産物により変質された感光性樹脂膜を、低温で短時間内に容易に除去することができ、また感光性樹脂除去工程の中、下部の金属配線の腐食を最少化することができる。
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硬化フォトレジスト、エッチング後フォトレジスト、および／または下層反射防止コーティングをマイクロエレクトロニクス素子から除去するための方法および組成物が記載される。組成物は、濃厚流体、例えば、超臨界流体と、補助溶媒と、任意にフッ化物供給源と、任意に酸を含有する濃厚流体濃縮物とを含有することができる。濃厚流体組成物は、後続の加工前に汚染残渣および／または層を前記マイクロエレクトロニクス素子から実質的に除去し、したがって前記マイクロエレクトロニクス素子のモルフォロジー、性能、信頼性および収量を改善する。
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本発明は、一般に流体を混合するための方法および機器に関する。より詳細には、本発明は、流体流を形成する近臨界および超臨界の流体へ導入された流体を混合するための方法および機器に関する。流体流中では密度勾配が生成され、それが迅速な混合をもたらす対流速度を誘起する。本発明は、流体の迅速なサイクル時間または迅速な混合が必要でありかつ残渣に対して低い許容度しか許されない、半導体およびウェハー製造のような商業用途などにおいて適用される。

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本発明のフォトレジスト剥離剤および洗浄組成物は、電子デバイスの表面の異なるタイプの金属の重層構造に使用したときに電気化学的腐食に耐性である、非水性かつ非腐食性の洗浄組成物により提供される。そのような非水性フォトレジスト剥離剤および洗浄組成物は、（ａ）少なくとも１種の極性有機溶媒、（ｂ）少なくとも１個の第一級アミン基および１個またはそれ以上の第二級および／または第三級アミン基の両方を有し、下式［式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_４およびＲ_５は、Ｈ、ＯＨ、ヒドロキシアルキルおよびアミノアルキル基から独立して選択されてよく；Ｒ_６およびＲ_７は、各々独立してＨまたはアルキル基であり、ｍおよびｎは、各々独立して１またはそれ以上の整数であり、但し、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_４およびＲ_５は、少なくとも１個の第一級アミン基および少なくとも１個の第二級または第三級アミン基が化合物中に存在するように選択される］を有する少なくとも１種のジまたはポリアミン、および、（ｃ）８−ヒドロキシキノリンおよびその異性体、ベンゾトリアゾール、カテコール、単糖、並びに、マンニトール、ソルビトール、アラビトール、キシリトール、エリスリトール、アルカンジオールおよびシクロアルカンジオールから選択される多価アルコールから選択される少なくとも１種の腐食阻害剤を含む。
【化１】

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シリル化剤を含む超臨界二酸化炭素不動態化溶液を用いたシリコンオキサイドベースの低ｋ材料の不動態化の方法が開示されている。シリル化剤は、好ましくはヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、クロロトリメチルシラン（ＴＭＣＳ）、トリクロロメチルシラン（ＴＣＭＳ）およびそれらの組み合わせなど、５炭素原子を含む有機基を含む有機シリコン化合物である。本発明の更なる実施態様によれば、誘電体を含むポストアッシュ基材は超臨界二酸化炭素洗浄溶液を用いて同時に洗浄および不動態化される。
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配線、ウェーハレベルパッケージング、及びプリント回路基板からフォトレジスト、ポリマー、エッチング後残渣、及び酸素アッシング後残渣を除去するための改良された組成物と方法を開示する。一方法は、有効量の有機アンモニウム化合物と、約２〜約２０質量％のオキソアンモニウム化合物と、任意的な有機溶媒と、水とを含有する混合物と前記基板を接触させる工程を含む。 （もっと読む）

本発明は一般的には、基板を洗浄するためのシステムに関する。より特定的には、本発明は、シリコンウエハを含む半導体基板から、高密度二酸化炭素マトリクスに含まれる反応性逆ミセルまたはマイクロマルジョンのシステムを用いて、残留物を化学的に除去するための方法に関する。反応性ミセル系中の様々な反応性化学薬品を使用して、エッチング残留物および金属残留物を、商業的なウエハ製造および処理に対し十分なレベルまで洗浄し、除去してもよい。

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