【課題】 アルミニウムを腐食させることなく、レジスト除去ができる洗浄液を提供する。
【解決手段】 苛性ソーダ等の塩基性物質、塩化カルシウム等のアルカリ土類金属塩、ポリアクリル酸類及び水を含んでなる成分の組合せによる洗浄液ではアルミニウムを腐食させることなく、さらにアルミニウムの腐食を防止するアルカリ土類金属塩の水酸化物が沈殿として析出することなく用いることができる。さらに必要に応じてアルコール系、エーテル系、アミド系、含硫黄系、イミダゾリジノン系、ラクトン系の水溶性有機溶媒を用いることができる。洗浄液全体に対して、塩基性物質が０．０１〜２０重量％の範囲、アルカリ土類金属塩が０．００１〜５重量％の範囲、ポリアクリル酸類が０．００１〜５重量％の範囲、水が５０〜９９．９９重量％の範囲、水溶性有機溶媒が５０重量％以下の範囲であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング後のフォトレジスト残渣、及びポリマーの除去が容易で、しかも低誘電率絶縁膜を浸食、酸化しない成分組成のレジスト用剥離剤組成物を提供する。
【解決手段】少なくともホスホン酸（Ｈ_２ＰＨＯ_３）と水溶性有機溶媒とを含有する水溶液であるレジスト用剥離剤組成物を提供する。そして、（ａ）このレジスト用剥離剤組成物を用いて、灰化処理を施してレジストマスク２２を除去した後に、（ｂ）前記レジストマスクの残渣及び副生ポリマーの少なくともいずれかを剥離、除去する。 （もっと読む）

半導体集積回路用の半導体デバイス上に回路を製作及び／又は電極を形成するのに有用な、低減された金属エッチレート、特に低減された銅エッチレートを有するレジスト剥離剤を、それらの使用法とともに提供する。好適な剥離剤は、低濃度の銅塩又はコバルト塩を、銅塩又はコバルト塩の溶解度を改良するためのアミンと共に又はアミンなしで含有する。さらに、これらの方法に従って製造された集積回路デバイス及び電子相互接続構造も提供する。 （もっと読む）

【課題】洗浄性に優れた電子材料用洗浄剤組成物、及び該洗浄剤組成物を用いた電子材料の洗浄方法を提供する。
【解決手段】本発明の電子材料用洗浄剤組成物は、（Ａ）炭素数が８〜２２の脂肪酸の塩を０．５〜３０質量％、並びに（Ｂ）オキシカルボン酸及びポリカルボン酸の塩（但し、アンモニウム塩を除く。）の少なくとも一方を１〜５０質量％含有することを特徴とする。本発明の電子材料の洗浄方法は、被加工材を加工して電子材料を得て、次いで、本発明の電子材料用洗浄剤組成物を用い、加工後の電子材料を洗浄することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 CMP処理に続いて半導体基材から処理残留物を除去するためのプロセス溶液、及び該プロセス溶液を使用する方法を提供すること。
【解決手段】 1つ又は複数の界面活性剤を含むプロセス溶液を用いて半導体デバイスの製造における欠陥の数を低減する。いくつかの好ましい実施態様においては、本発明のプロセス溶液は、CMP処理の間又はその後にすすぎ溶液として用いた場合、欠陥を低減することができる。さらに、本発明のプロセス溶液を用いて、複数のCMP処理後の基材上にある欠陥の数を低減する方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】 配線層や絶縁膜表面の付着物質を効率よく除去することができるポストＣＭＰ処理液を提供する。
【解決手段】 水と、ポリフェノールと、陰イオン性界面活性剤と、エチレンジアミン四酢酸と、表面にカルボキシル基およびスルホニル基を有し、一次粒子径が１０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の樹脂粒子と、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドとを含有する処理液である。ｐＨが４以上９以下であり、絶縁膜および導電膜の研磨速度が１０ｎｍ／ｍｉｎ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レジスト、エッチング残渣、平坦化残渣、及び金属酸化物の一種以上をアルミニウム又はアルミニウム銅合金を含む基板から除去するための組成物及び方法を提供すること。
【解決手段】レジスト、エッチング残渣、平坦化残渣、及び金属酸化物の一種以上をアルミニウム又はアルミニウム銅合金を含む基板から除去するための組成物であって、約0.005重量％から約５重量％までのフッ化物を与える成分、約１重量％から約50重量％までのグリコール溶媒、リン含有酸、及び水を含む組成物；該組成物と基板を接触させることを特徴とする方法。 （もっと読む）

本発明は、半導体ウェハの処理のための、特に半導体ウェハの洗浄および化学機械研磨のための組成物中での、過酸から選択された少なくとも１種の酸化剤の使用に関する。本発明はまた、組成物の使用およびそのための組成物に関する。本発明の酸化剤の使用は、基板の腐食を制限／回避しながら良好な効果をもたらす。 （もっと読む）

【課題】環状オレフィン系重合体を含有してなる組成物に対し非常に優れた除去性を発揮し、絶縁基板を充分に洗浄することができるシンナー組成物を提供すること。
【解決手段】１−メトキシ−２−プロパノール及びＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドからなる群より選ばれる少なくとも１種を含有してなる、環状オレフィン系重合体含有組成物除去用シンナー組成物。 （もっと読む）

【課題】アミン系のレジスト除去用組成物では、レジスト剥離能力が十分でなく、溶媒、特に有機溶媒と反応して溶媒を分解しやすく、しかも半導体、フラットパネルディスプレー材料へのダメージが大きかった。
【解決手段】ポリ（シアノアルキル）エチレンアミンを含んでなるレジスト剥離剤を用いる。ポリ（シアノアルキル）エチレンアミンとして、Ｎ，Ｎ’−ビス（２−シアノエチル）−エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリス（２−シアノエチル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−シアノエチル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（２−シアノエチル）ピペラジン、Ｎ，Ｎ'−ビス（２−シアノエチル）−Ｎ’'−（２−アミノエチル）ピペラジン、Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−トリス（２−シアノエチル）−Ｎ’'−（２−アミノエチル）ピペラジン等の１種以上を用いる。 （もっと読む）

プラズマエッチング後残留物をその上に有するマイクロ電子デバイスから前記残留物を洗浄するための洗浄組成物および方法。組成物は、チタン含有、銅含有、タングステン含有、および／またはコバルト含有のエッチング後残留物を含む残留材料の、マイクロ電子デバイスからの非常に有効な洗浄を達成するが、同時に、マイクロ電子デバイス上に同様に存在する層間誘電体、金属相互接続材料、および／またはキャッピング層に損傷を与えない。さらに、組成物は、窒化チタン層をその上に有するマイクロ電子デバイスからそれを除去するためにも有用であり得る。 （もっと読む）

基板から１、２またはそれより多くのフォトレジスト層を除去するための改善された乾性剥離液を提供する。本剥離液は、ジメチルスルホキシド、水酸化第四級アンモニウム、および、アルカノールアミン、任意の第二の溶媒を含み、含水量は約３重量％未満であり、および／または、乾燥係数が少なくとも約１である。さらに、改善された乾性剥離液の製造および使用方法も提供する。複数のレジスト層を、その下に存在する構造のどれにもダメージを与えることなく除去し、その下に存在する誘電性の関連基板を露出させることによって、電気的相互接続構造を製造するためのこのような新規の剥離液を使用した有利な溶液方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】レジストアッシング工程に続いて残留物を効果的に除去する化学処方物であって、ウエハ上に残ることになる脆い構造を攻撃せずかつ分解するおそれのないものを提供すること。
【解決手段】以下に示した重量パーセント範囲で、以下の成分を含有する、プラズマアッシング後の半導体製造で使用する半導体ウエハ洗浄処方物：フッ化アンモニウムおよび/またはそれらの誘導体１〜21％；有機アミンまたは２種のアミンの混合物20〜55％；水23〜50％；金属キレート化剤またはキレート化剤の混合物０〜21％。 （もっと読む）

【解決手段】半導体ウエハの表面を洗浄するための方法が開示される。ウエハ表面上の汚染物質を除去するために、ウエハ表面に第１の洗浄溶液が適用される。第１の洗浄溶液は、ウエハ表面上の汚染物質の一部とともに除去される。次に、ウエハ表面に酸化剤溶液が適用される。酸化剤溶液は、残る汚染物質上に酸化層を形成する。酸化剤溶液は除去され、次いで、ウエハ表面に第２の洗浄溶液が適用される。第２の洗浄溶液は、ウエハ表面から除去される。この洗浄溶液は、酸化層を残る汚染物質とともに実質的に除去するように構成される。 （もっと読む）

【課題】 実質的にアルカリ金属原子を含有せず、洗浄時において微細化したパーティクルの再付着防止性に優れ、効率的な高度洗浄を可能にするエレクトロニクス材料用洗浄剤を提供することにある。
【解決手段】 有機酸（Ａ）の第４級アンモニウム塩（Ｂ）を含有してなるエレクトロニクス材料用洗浄剤であって、アルカリ金属原子およびアルカリ土類金属原子の合計含有量が洗浄剤の重量に基づいて０．０１重量％以下あり、第４級アンモニウム塩（Ｂ）が、ｐＫａが１１〜４０の第３級アミン（Ｃ）と炭酸ジメチルとの反応で得られた第４級アンモニウム炭酸塩と、有機酸（Ａ）とのアニオン交換反応によって得られた第４級アンモニウム塩であることが好ましい。また、第４級アンモニウム塩（Ｂ）の重量平均分子量は１，０００〜１，０００，０００であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は電子デバイス基板上のフォトレジストの再加工のために該基板上の多重層フォトレジスト層を除去する組成物。
【解決手段】該組成物は（ｉ）少なくとも三つの別個の溶媒、（ｉｉ）少なくとも一つの有機スルホン酸、及び（ｉｉｉ）少なくとも一つの腐食防止剤を含む。本発明はまた該組成物を使用する方法にも関係する。該組成物及び方法は３分未満の接触時間で且つ６５℃未満の温度でそのような多重層フォトレジストを除去することに成功し、これにより枚葉式ウェハーツールにおける高い処理能力をもたらした。 （もっと読む）

【課題】
洗浄力が優れており、金属膜質の腐蝕を防止し、引火性物質であるアルコール類化学物質に代わって使用でき、効果的に基板上の有機異物及び埃などの無機異物を洗浄することができるレジストッパー洗浄用ケミカルリンス組成物。
【解決手段】
ａ）有機アミン系化合物０．０５乃至１０重量部、ｂ）有機溶剤０．０５乃至３０重量部、ｃ）トリアゾール系腐蝕防止剤０．００５乃至５重量部、ｄ）ヒドロキシフェノール類、アルキルガレート類、及び還元剤類からなる群より選択される腐蝕防止剤０．００５乃至５重量部、及びｅ）残量の水を含むケミカルリンス組成物。 （もっと読む）

本発明は、フッ素化オレフィンと、少なくとも１つのアルコール、ハロカーボン、ハイドロフルオロカーボン、またはフルオロエーテルおよびそれらの組み合わせとを含む組成物に関する。一実施形態では、これらの組成物は共沸または共沸様である。別の実施形態では、これらの組成物は、オイルおよび／または他の残渣を表面から除去するための脱脂剤またはフラックス除去剤としてクリーニング用途に有用である。 （もっと読む）

（ａ）選択された１種以上のフッ素化物類と（ｂ）選択された１種以上の有機試薬とを混合することによって得られる反応生成物（未反応構成成分を包含するもの）から本質的に成る組成物であって、その場でのフッ化物イオン類の発生を提供する、前記組成物。更には、かかる組成物を形成するためのキット類、およびかかる組成物の使用方法。 （もっと読む）

洗浄液で円盤状物品の表面を覆い、これにより閉じられた液体層（Ｌ）が形成され、更に前記洗浄液を除去することを含んだ前記表面の乾燥方法であって、前記洗浄液が少なくも５０重量％の水と少なくも５重量％の物質とを含み、この物質は水の表面エネルギーを低下させ、前記液体の除去が前記液体層の上への気体の吹き付けにより開始され、これにより閉じられた液体層が孤立した区域（Ａ）において開かれる前記方法が開示される。
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