【課題】処理槽に貯留される処理液から基板を直立姿勢で当該処理槽に貯留される処理液の液面より鉛直方向の上方の待機位置まで引き上げる際に、基板を自然乾燥させることなく、基板に付着している処理液の量を効率的に削減する。
【解決手段】処理槽１内でのリンス処理が完了した後に待機位置ＷＰで置換処理を行うために、単に基板Ｗを待機位置ＷＰに引き上げるのではなく、その引き上げ処理中にリンス処理で使用した処理液と同じ成分の蒸気、つまりＤＩＷ蒸気が基板Ｗに対して水平方向よりも下方向きに向けて供給される。このため、ＤＩＷ蒸気の動圧によって基板Ｗに付着しているＤＩＷが下方へ押し流されて基板Ｗに残存するＤＩＷ量が低下する。また、基板ＷのうちＤＩＷ蒸気供給を直接受ける領域では水蒸気の凝集によってＤＩＷの凝集膜が形成されて当該表面領域の自然乾燥が防止される。 （もっと読む）

【課題】基板を効率よく撥水化することが可能な液処理方法及び液処理装置を提供する。
【解決手段】撥水化剤溶液を加温する溶液加温工程と、加温された前記撥水化剤溶液を基板に対して供給する撥水化処理工程と、前記撥水化処理工程後の前記基板に対し、リンス液を供給するリンス工程と、前記基板を回転させて、前記リンス液を除去する乾燥工程と、を含む液処理方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】電子材料上のレジストを短時間で確実に剥離除去する。
【解決手段】電子材料を過硫酸含有硫酸溶液で洗浄してレジストを剥離洗浄し、その後ガス溶解水でウェット洗浄する。過硫酸含有硫酸溶液によるレジスト剥離後のウェット洗浄を、ガス溶解水を用いて行うことにより、洗浄に要する時間を従来法に比べて大幅に短縮することができる。過硫酸含有硫酸溶液は、硫酸溶液を電気分解することによって製造されたものであることが好ましく、レジストの剥離洗浄装置からの過硫酸濃度が低下した硫酸溶液を電解反応装置に送給して再生し、過硫酸濃度を十分に高めた硫酸溶液を洗浄装置に循環することにより、高濃度の過硫酸によりレジストを効率的に剥離除去すると共に、硫酸溶液を繰り返し使用することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】純水の表面張力を低減することにより、微細パターン倒れを防止する基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】制御部５９は、処理槽１に疎水化溶液を供給させて、処理槽１内の純水を置換させるとともに、疎水化溶液により基板Ｗの改質処理を行わせる。改質処理により基板Ｗの表面全体が疎水化される。制御部５９は、純水を処理槽１に供給させて基板Ｗをリンス処理させた後、保持機構３９を上方位置に移動させるが、基板Ｗは疎水化されているので、純水の液残りを少なくすることができるともに、純水により基板Ｗの微細パターンにかかる表面張力を非常に小さくできる。したがって、純水から上方へ基板Ｗを持ち上げても、基板Ｗの微細パターンが純水の表面張力により受ける力を低減でき、基板Ｗの微細パターンが倒れるのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】多結晶のＧａＮ結晶の成長を抑制できるＧａＮ結晶の成長方法およびＧａＮ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ結晶の成長方法は、以下の工程が実施される。まず、下地基板が準備される（ステップＳ１）。そして、下地基板上に、開口部を有し、かつＳｉＯ₂よりなるマスク層が形成される（ステップＳ２）。そして、下地基板およびマスク層上に、ＧａＮ結晶が成長される（ステップＳ５）。マスク層の曲率半径が８ｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】半導体基板等の基板の洗浄には、少なくとも５工程からなる洗浄を行う必要があった。
【解決手段】オゾンを含有する超純水によって洗浄する第１工程、界面活性剤を含む超純水によって洗浄する第２工程、及び、超純水と２−プロパノールを含む洗浄液によって界面活性剤由来の有機物を除去する第３工程とを含む洗浄方法が得られる。第３工程後、クリプトン等の希ガスのプラズマを照射して、界面活性剤由来の有機物を更に除去する。 （もっと読む）

【課題】より円滑に剥離液を流通させる。
【解決手段】剥離装置は、第１処理部１Ａ及び第２処理部１Ｂから構成される。第１処理部１Ａの処理槽１０Ａ内には、傾斜姿勢の基板Ｓに剥離液を供給するノズル１２と、基板Ｓに沿って流下する剥離液を受けて排液する樋部材２２とが設けられる。樋部材２２の内底面は、その長手方向中間部に向かって先下がりに形成され、当該中間部には排液口が形成されている。また、樋部材２２の内底面には、剥離液中に含まれる被膜を絡ませることにより排液口側への被膜の流動を抑制する複数のピンが立設されている。 （もっと読む）