【解決手段】半導体ウエハの表面を洗浄するための方法が開示される。ウエハ表面上の汚染物質を除去するために、ウエハ表面に第１の洗浄溶液が適用される。第１の洗浄溶液は、ウエハ表面上の汚染物質の一部とともに除去される。次に、ウエハ表面に酸化剤溶液が適用される。酸化剤溶液は、残る汚染物質上に酸化層を形成する。酸化剤溶液は除去され、次いで、ウエハ表面に第２の洗浄溶液が適用される。第２の洗浄溶液は、ウエハ表面から除去される。この洗浄溶液は、酸化層を残る汚染物質とともに実質的に除去するように構成される。 （もっと読む）

基板を洗浄する方法が提供される。方法は、活性化溶液を基板の表面に塗布することから始まる。活性化溶液および基板の表面は、固体の洗浄表面の表面と接触する。活性化溶液は固体の洗浄要素の一部分の中に吸収され、次にダイ基板または固体の洗浄表面は、互いに対して動かされ、基板の表面を洗浄する。塑性変形を受ける固体の洗浄要素によって、基板の表面を洗浄する方法も提供される。対応する洗浄装置も提供され、より効果的でより摩耗の少ない洗浄技術を提供する。
（もっと読む）

アニオンＮ−置換フッ素化スルホンアミド界面活性剤ならびにクリーニング溶液および酸エッチング溶液中での該界面活性剤の使用が記載されている。クリーニング溶液およびエッチング溶液は、例えば、酸化シリコン含有基材のクリーニングおよびエッチングにおいて多様な基材と合わせて用いられる。 （もっと読む）