【課題】「パターン剥がれ」が生じない条件で、高いパーティクル除去比を期待できる半導体基板等の洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄槽として、主洗浄槽１を用意し、主洗浄槽１内において、洗浄対象となるウェーハ２の表面に、導入口３からエッチング液を供給してエッチングを行い、その後、ｐＨ調整用媒体として、ｐＨが９．５〜１０．５未満に保たれたアルカリイオン水を供給して洗浄を行い、次いで、洗浄媒体として、ｐＨが１０．５〜１２．５に保たれたアルカリイオン水を供給して洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】 ガラス又はシリコン基板表面の平坦性を損ねることなく、優れたパーティクルの除去性を実現し、低起泡性かつ経時安定性に優れた電子材料用洗浄剤及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】アニオン成分が一般式（１）で示されるアニオン性界面活性剤（Ａ）と、炭素数６〜１８のアルケン及び一般式（２）で示される有機溶剤からなる群から選ばれる１種以上の有機溶剤（Ｂ）と、アルカリ成分（Ｃ）とを含有してなり、前記（Ｂ）のＳＰ値が６〜１３であり、有効成分濃度０．１〜１５％における２５℃でのｐＨが１０〜１４であることを特徴とする電子材料用洗浄剤。
Ｒ¹［−（ＯＡ¹）_a−Ｑ^- ］_b （１）
Ｒ³［−（ＯＡ²）_c−ＯＨ］_d （２） （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ法による研磨によりポリシリコン膜等が半導体基板上に表出する場合であっても、信頼性や製造歩留まりの低下を防止し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】化学的機械的研磨法により研磨を行う工程であって、半導体基板上にポリシリコン膜が表出した状態になる工程と；半導体基板を洗浄する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、半導体基板を洗浄する工程は、酸性の第１の洗浄液を用いて洗浄を行う第１の工程Ｓ１０と；第１の工程の後に、第２の洗浄液を用いて超音波洗浄を行う第２の工程Ｓ１２と；第２の工程の後に、アルカリ性の第３の洗浄液を用いて洗浄を行う第３の工程Ｓ１３とを有している。 （もっと読む）

【課題】バンドソーやワイヤーソーなどでシリコンインゴットやシリコンブックなどを切断するなどの機械加工によってシリコン部材の表面に付着した金属成分及び汚れ成分を効果的に除去できるシリコン部材の表面処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明のシリコン部材の表面処理方法は、シリコンインゴット又はシリコンブロックを接着剤によって台座に固定した後、研磨材スラリーを供給しながら切断装置を用いて切断し、この切断されたシリコン部材の表面に付着した汚れ成分を除去するシリコン部材の表面処理方法において、（１）金属成分溶解用処理液で処理した後にシリコン部材の表面溌水性化剤で処理、又は、前記シリコン部材の表面溌水性化剤で処理した後に前記金属成分溶解用処理液で処理する工程、（２）前記シリコン部材をシリコン部材の表面親水性化剤で処理する工程を順に行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】主表面上に少なくとも１層の３種類以上の元素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させても高い特性を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体デバイスが得られるＧａＡｓ半導体基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ半導体基板１０は、主表面１０ｍが（１００）面１０ａに対して６〜１６°の傾斜角θを有し、主表面１０ｍにおける塩素原子濃度が１×１０¹³ｃｍ^-2以下である。また、ＧａＡｓ半導体基板１０の製造方法は、ＧａＡｓ半導体ウエハを研磨する研磨工程と、研磨されたＧａＡｓ半導体ウエハを洗浄する１次洗浄工程と、１次洗浄後のＧａＡｓ半導体ウエハの厚さおよび主表面１０ｍの粗さを検査する検査工程と、検査後のＧａＡｓ半導体ウエハを塩酸以外の酸およびアルカリのいずれかにより洗浄する２次洗浄工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】金属（特にアルミニウムおよびモリブデン）の腐食を抑えつつ、優れた洗浄性を有するポリイミド用剥離剤を提供する。
【解決の手段】水、アルカリ剤［Ｂ］、多価アルコールを除く水溶性有機溶剤［Ｃ］、多価アルコール［Ｄ］、下記一般式（１）で表わされるシラン系化合物［Ａ］を含有し、前記［Ｃ］成分の含有量が３０〜９５重量％であるポリイミド用剥離剤。
[（Ｘ_２Ｎ−（ＣＨ_２）_ｌ−）_ｍＮＨ_２−ｍ−（ＣＨ_２）_ｋ−]_ｎＳｉ（ＯＲ）_４−ｎ （１）
［但し、式中ｋ、ｌは１〜４の整数、ｍは０〜２の整数、ｎは１〜３の整数を表す。Ｒは水素又は炭素数１〜４のアルキル基、Ｘは水素又は炭素１〜４のアルキル基である。］ （もっと読む）

【課題】液体を密閉することなく液体からの気体の気散を抑制することが可能な被処理物の処理装置及び処理方法を提供する。
【解決手段】第２図のように被処理物９を貯留部１内の液体８に浸漬した後、弁３ａ、弁５ａを開とし、弁６ａ、弁４ａを閉とする。これにより、液体供給配管３から貯留部１に供給された液体７は、貯留部１の開放部１ａから溢出して副貯留部２内に貯留され、第３図のように液面が配管５の接続高さまで上昇する。その後、第４図の通り、弁３ａ、弁６ａ、弁４ａを開とする。これにより、副貯留部２内の液体７は、液体排出配管６から排出され、該副貯留部２内の液位が徐々に下降し、該開放部１ａの上方に存在していたボール７は、やがて該貯留部１内に挿入される。この過程において、貯留部１及び副貯留部２の液面にボール７が密に浮くことになり、液面からガスが大気中に気散することが抑制される。 （もっと読む）

【課題】処理精度及び処理能力を著しく向上できる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基板処理方法は、被処理基板の周縁部の一部が挿入される溝を備えた処理部の該溝内に、被処理基板を挿入して相対的に移動させながら該被処理基板の周縁部を処理する基板処理方法において、前記処理部は、前記溝内に流速３０〜１０００ｍ／ｓｅｃの処理液を含む気体の高速気流を発生させて、該高速気流を相対的に移動する前記被処理基板の周縁部に接触させて処理する。 （もっと読む）

【課題】処理精度及び処理能力を著しく向上させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ウェーハＷを回転させながら保持する基板保持機構とウェーハＷの周縁部の一部が挿入される溝を有する処理ヘッド７とを備えており、処理ヘッド７は、一対の第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂと第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂの一端を連結する連結部８Ｃとからなり、第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂと連結部８Ｃとで囲まれた部分が溝（Ｓ）を形成し、第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂの他端間がウェーハＷの周縁部の一部が挿入される開口９Ａを形成し、さらに、供給口１０Ａ及び吸引口１１Ａを設けて、溝内にウェーハＷの周縁部を挿入して処理する基板処理装置１において、処理ヘッド７は、処理液供給装置１５Ａに連結した供給口１０ＡをウェーハＷの周縁部が侵入する侵入側に設け、吸引装置１５Ｂに連結した吸引口１１ＡをウェーハＷの周縁部が脱出する脱出側に設けた。 （もっと読む）

【課題】被処理基板裏面の汚染物質に起因する半導体装置の製造歩留まりの低下を抑制できる。
【解決手段】本発明の例に関わる基板処理方法は、被処理基板の表面に塗布膜を形成する工程（ＳＴ１）と、被処理基板の裏面に対して親水化処理を行う工程（ＳＴ２）と、親水化処理を行った後、被処理基板の裏面に洗浄液を供給し、前記被処理基板の裏面を洗浄する工程（ＳＴ３）とを備える。 （もっと読む）

【課題】処理精度及び処理能力を著しく向上できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】被処理基板を回転させながら保持する基板保持機構と、基板保持機構に保持された被処理基板の周縁部の一部が挿入される溝を有する処理ヘッドと、を備え、溝内に被処理基板の周縁部を挿入して処理する基板処理装置において、処理ヘッドは、所定の隙間をあけて対向する一対の第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂと該第１、第２鍔辺部の一端を連結する奥壁部８Ｃと処理液を供給する処理液供給手段に連結された第１、第２供給口１３Ａ、１４Ａと減圧吸引手段に連結された吸引口１１Ａとを備え、第１供給口及び吸引口は溝内に設けられ、第２供給口は第１、第２鍔辺部の少なくとも一方の鍔辺の開口９Ａ近傍に設けられている。 （もっと読む）

【課題】より円滑に剥離液を流通させる。
【解決手段】剥離装置は、第１処理部１Ａ及び第２処理部１Ｂから構成される。第１処理部１Ａの処理槽１０Ａ内には、傾斜姿勢の基板Ｓに剥離液を供給するノズル１２と、基板Ｓに沿って流下する剥離液を受けて排液する樋部材２２とが設けられる。樋部材２２の内底面は、その長手方向中間部に向かって先下がりに形成され、当該中間部には排液口が形成されている。また、樋部材２２の内底面には、剥離液中に含まれる被膜を絡ませることにより排液口側への被膜の流動を抑制する複数のピンが立設されている。 （もっと読む）

【課題】金属配線における腐食の発生を抑制するとともに、ウェハ上に付着した砥粒や研磨された配線材料などの汚染物質を除去することができる基板洗浄方法、およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明に係る基板洗浄方法は、半導体基板を化学機械研磨した後、洗浄液を用いて前記基板を洗浄する方法であって、前記洗浄液は、水と、アルカリ金属を含有する化合物を含み、前記洗浄液の電気伝導度は、６００〜１５０００ｍＳ／ｍである。 （もっと読む）

【課題】被処理物を液から抜き出すときに、処理装置の外側の雰囲気に気体が気散することを抑制することが可能な被処理物の浸漬型処理装置及び処理方法を提供する。
【解決手段】送風機５から送風されたエアは、第１，第２のガス吹出ノズル４ａ，５ａに送風される。第１のガス吹出ノズル４ａから開放部１ａに吹き出したエアは、第１のガス吸込ノズル４ｂから吸入され、第２のガス吹出ノズル５ａから吹き出したエアは、第２のガス吸込ノズル５ｂで吸入され、開放部１ａに２組のエアカーテンが形成される。被処理物３２を開放部１ａから槽体１外に抜き出すときに、第２のガス吹出ノズル５ａ及び第１のガス吹出ノズル４ａから吹き下ろされるエアによって、被処理物３２の表面の全面に残留する液３１が十分に吹き飛ばされる。 （もっと読む）

【課題】洗浄性に優れ、被洗浄物の持込による洗浄液の劣化が少なく、さらに引火点がなく、人体や環境への影響が少ないウエハ又は板状物の洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】次の成分（ａ）〜（ｅ）を含有することを特徴とするウエハ又は板状物の洗浄剤組成物である。
（ａ）下記一般式（１）で示されるアルキルポリグルコシド ５〜４０重量％
Ｒ−Ｏ−（Ｇ）ｎ−Ｈ ……（１）
（式中Ｒは炭素数１〜２２の直鎖又は分岐のアルキル基であり、Ｇは炭素数５〜６の還元糖を示し、ｎは１〜５である。）
（ｂ）金属イオン封鎖剤（キレート剤） １〜２０重量％
（ｃ）アルカリ剤 １〜３０重量％
（ｄ）エーテル型非イオン界面活性剤 １〜３０重量％
（ｅ）水 残部 （もっと読む）

【課題】洗浄時において微細化したパーティクルの再付着防止性や指紋などの有機物の洗浄性に優れ、効率的な高度洗浄を可能にする半導体基板用洗浄剤を提供する。
【解決手段】一般式（１）のノニオン性界面活性剤および一般式（２）のノニオン性界面活性剤から選ばれる１種以上のノニオン性界面活性剤（Ａ）、アニオン性界面活性剤（Ｂ）並びに水（Ｃ）を含有してなる半導体基板用洗浄剤。


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【課題】本発明は、電子材料、特にシリコンウエハ用の洗浄液およびそれを用いた洗浄方法に関する。
【解決手段】本発明にかかる洗浄方法は、超純水あるいは水素水を原料水とし、かつ水素マイクロバブルの存在下で、超音波照射を組合わせた洗浄液を用いることを特徴とする。
【効果】本発明の方法は、ウエハ表面のパーティクル成分等を効率的に洗浄除去し、再汚染を防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】Ｃｕ膜１０３のＣＭＰ後の洗浄工程を、以下の手順で行う。Ｃｕ膜１０３が設けられたシリコン基板１２１の主面に、アルカリ性水溶液、ポリカルボン酸、ＢＴＡおよびアルカリ性水溶液をこの順に接触させる。 （もっと読む）

【課題】製造中に生じる半導体デバイスの欠陥、特にパターンのつぶれを、スループットを犠牲にすることなく低減するための方法とそのための処理溶液を提供すること。
【解決手段】１種以上の界面活性剤を含む処理溶液を使用して、半導体デバイス製造時の欠陥数を低減する。この処理溶液は、特定の好ましい態様において、パターニングしたホトレジスト層の現像の際又はその後でリンス液として使用すると、パターンのつぶれのような現像後の欠陥を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン製若しくはガラス製の基板表面、または基板表面に形成された無機系被膜表面に強固に付着している無機系の異物を表面粗さの増加を抑えながら容易に除去することができ、しかも一度除去された異物が基板表面に再付着することが防止された異物除去方法の提供。
【解決手段】シリコン製若しくはガラス製の基板表面または該基板表面に形成された無機系被膜表面から無機系異物を除去する方法であって、前記基板材料、前記無機系被膜材料および前記無機系異物のうち少なくとも１つに対して０．０１／ｃｍ以上の光吸収係数となる波長域の光線を、酸素若しくはオゾン含有雰囲気下にて前記基板表面若しくは前記無機系被膜表面に照射量１０Ｊ／ｃｍ²以上で照射した後、負の表面電位を有する前記基板表面若しくは前記無機系被膜表面にｐＨ≦６の酸性溶液を曝すことを特徴とする基板表面若しくは該基板表面に形成された無機系被膜表面から無機系異物を除去する方法。 （もっと読む）