（ａ）１以上の金属イオンを含まない塩基；（ｂ）水溶性の金属イオンを含まない多面体シルセスキオキサン；（ｃ）酸化剤；および（ｄ）金属イオンを含まない水を含む、集積回路基板から粒子状物質を除去するための組成物、ならびに（ａ）、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）を含む成分を組み合わせることよって得られる組成物。（ａ）、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）を含む組成物を表面に付与する工程、または（ａ）、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）を含む成分を組み合わせることによって得られる組成物を表面に付与する工程を含む、集積回路デバイスの表面から粒子状物質を除去するための方法。 （もっと読む）

プラズマエッチング後残留物をその上に有するマイクロ電子デバイスから前記残留物を洗浄するための洗浄組成物および方法。組成物は、チタン含有、銅含有、タングステン含有、および／またはコバルト含有のエッチング後残留物を含む残留材料の、マイクロ電子デバイスからの非常に有効な洗浄を達成するが、同時に、マイクロ電子デバイス上に同様に存在する層間誘電体、金属相互接続材料、および／またはキャッピング層に損傷を与えない。さらに、組成物は、窒化チタン層をその上に有するマイクロ電子デバイスからそれを除去するためにも有用であり得る。 （もっと読む）

超臨界状態にある二酸化炭素のような超圧流体で基板（１０５，２０５）を処理するための方法およびシステム（１００，２００）を説明する。プロセス成分が、基板表面を処理するための高圧流体に導入される。このプロセス成分はフルオロケイ酸を有する。
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