【課題】非有毒かつ環境に優しいクリーニング組成物、従来の高有機含有量系クリーニング組成物に比肩するクリーニング効率を有するクリーニング組成物を提供すること。
【解決手段】Ａ半導体基材がアルミニウムを含む用途におけるフォトレジストおよびエッチング後／アッシング後残留物除去のための水に富んだヒドロキシルアミン調合物。クリーニング組成物は、約２〜約１５ｗｔ％のヒドロキシルアミン；約５０〜約８０ｗｔ％の水；約０．０１〜約５．０ｗｔ％の腐食防止剤；約５〜約４５ｗｔ％の、：ｐＫａ＜９．０を有するアルカノールアミン、水混和性溶媒、およびそれらの混合物からなる群から選択される成分を含む。そうした組成物の使用は、一方で両方の材料を含む基材でアルミニウムを保護しながら、Ａｌ基材での効率的なクリーニング能力、最小限のケイ素エッチングを示す。 （もっと読む）

【課題】本発明は、特に、IC、ウェーハ基板上のWLP回路、及びPCBから、ポリマー、エッチング後残渣、及び酸素アッシング後残渣を除去するための組成物と方法を提供することによって、上記限界及び欠点を克服する。
【解決手段】配線、ウェーハレベルパッケージング、及びプリント回路基板からフォトレジスト、ポリマー、エッチング後残渣、及び酸素アッシング後残渣を除去するための改良された組成物と方法を開示する。一方法は、有効量の有機アンモニウム化合物と、約２〜約２０質量％のオキソアンモニウム化合物と、任意的な有機溶媒と、水とを含有する混合物と前記基板を接触させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】銅系配線の形成のためのレジスト除去用組成物を提供する。
【解決手段】本発明のレジスト除去用組成物は、剥離剤として、スルホン及び／又はスルフィン及び／又はエステル基を含む化合物を使用することを特徴とする。前記レジスト除去用組成物は、中間洗浄液としてのイソプロパノールを使用しなくても、レジストの下部に位置する銅又は銅合金配線などの導電性金属膜、及び酸化ケイ素膜や窒化ケイ素膜などの絶縁膜に対する腐食を効果的に防止することができ、低温でも変質及び／又は硬化したレジストを短時間内に綺麗に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】レジストパターン及び乾式及び湿式エッチング残渣除去能力に優れ、アルミニウム及び／または銅を含む金属配線の腐食防止力に優れるだけでなく、基板の処理枚数が増えて経済性に優れたレジスト剥離液組成物及びこれを用いたレジストの剥離方法を提供する。
【解決手段】本発明はレジスト剥離液組成物及びこれを用いたレジストの剥離方法に関する。前記レジスト剥離液組成物はレジストパターン及び乾式及び湿式エッチング残渣除去力に優れ、特定のポリオール化合物を含むので、アルミニウム及び／または銅を含む金属配線の腐食防止力に優れる。また、特定のアミド化合物を含むので、多数の基板を処理することができ、原価節減に大きく寄与する。 （もっと読む）

【課題】平板表示装置に用いられる基板上に存在する有機物または無機物などのパーティクルを除去するとともに平板表示装置に用いられる銅を含む配線、アルミニウムを含む配線を腐食させない洗浄液組成物を提供する。
【解決手段】組成物の総重量に対し、（ａ）アミン化合物０．０５〜５重量％；（ｂ）アゾール系化合物、アルカノールアミン塩及び還元剤よりなる群から選ばれる１種または２種以上を含む添加剤０．０１〜１０重量％；及び（ｃ）残量の水を含む。 （もっと読む）

【課題】 研磨工程由来の有機残渣除去性能及び金属残渣除去性能が高く、かつ銅配線の腐食抑制性能に優れた銅配線半導体用洗浄剤を提供する。
【解決手段】 特定の環状アミン（Ａ）、水酸基を２〜５個含むポリフェノール系還元剤（Ｂ）、４級アンモニウム化合物（Ｃ）、アスコルビン酸および水を必須成分とする銅配線半導体用洗浄剤を用いる。 （もっと読む）

【課題】硬化フォトレジスト及び／又は底部反射防止膜（ＢＡＲＣ）材料をその上に有する超小型電子装置から、該材料を除去する。
【解決手段】水性組成物は、少なくとも１つのカオトロピック溶質、少なくとも１つのアルカリ性塩基、及び脱イオン水を含む。組成物は、集積回路製造において、銅などの基板上の金属種に対する悪影響なしに、そして超小型電子装置構造中で用いられる低誘電性材料への損害なしに、硬化フォトレジスト及び／又はＢＡＲＣ材料の高効率除去を達成する。 （もっと読む）