【課題】大きな特性劣化を抑制しつつ、発振を継続させることが可能な波長可変半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体基板上に、活性導波路層と非活性導波路層とを交互に周期的に繰り返し形成してなる構造を有し、活性導波路層及び非活性導波路層の全長にわたって回折格子が形成され、活性導波路層と非活性導波路層の接合面が理想的に形成された場合に共振器の位相条件を満たすために回折格子に挿入される位相シフトΩ_Cを共振器中に少なくとも一つ以上有し、電流を注入することにより非活性導波路層の屈折率を最大に変化させた状態において、非活性導波路層の屈折率と活性導波路層の屈折率との差が−０．０１以上０以下となるように、電流を注入する前の非活性導波路層の屈折率と活性導波路層の屈折率との差を設定するようにした。 （もっと読む）

【課題】選択成長時のマスク近傍における屈折率変化の揺らぎに起因する意図しない位相シフトを低減し、特性劣化を防止することを可能とした波長可変半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体基板１１上に形成された活性導波路層１２の一部をエッチングし、活性導波路層１２とは組成または層構造が異なる非活性導波路層１３を選択成長することによって作製された二つのレーザ部Ａ１，Ａ２を有し、活性導波路層１２及び非活性導波路層１３の全長にわたって回折格子１５が形成され、選択成長時に生じる活性導波路層１２と非活性導波路層１３との間の屈折率変動に起因する−ΔΩの等価的な位相シフトに対して、活性導波路層１２と非活性導波路層１３との接合面に対応する回折格子１５の位置に位相シフト量ΔΩの補正位相シフトを挿入した。 （もっと読む）

【課題】高い反射率を維持しながら光パワーモニタとしての機能を併せ持つ光パワーモニタ集積ＤＦＢレーザを提供する。
【解決手段】分布ブラッグ反射領域が集積された半導体レーザにおいて、前記半導体レーザの導波路の活性層が細線構造を有し、前記分布ブラッグ反射領域の吸収電流により前記半導体レーザの出力をモニタすることとした。 （もっと読む）

【課題】良好な単一モード発振の安定性を保ちながら、光出力の前方後方比の高い分布帰還型半導体レーザを実現する。
【解決手段】光導波路に回折格子が形成されている構造の分布帰還型半導体レーザであって、前記光導波路の一部領域において、回折格子（ＧＴＧ１）により屈折率に分布を設けた部分と、前記回折格子が無く均一の屈折率の部分（スペース８）が、交互に繰り返し形成されており、前記回折格子が無く均一の屈折率の部分（スペース８）が、レーザ発振波長の半整数倍となる光学路長であり、回折格子（ＧＴＧ１）により屈折率に分布を設けた部分は少なくとも該回折格子５周期以上である。 （もっと読む）

【課題】 所望の波長において安定した出力の光を得る。
【解決手段】 波長可変レーザ１００は、第１の回折格子３１が設けられた第１の光導波路１０ａを含むＤＦＢ部２と、第１の光導波路１０ａと光学的に結合しており、ＳＳＧを形成する第２の回折格子３２が設けられた第２の光導波路１０ｂを含むＤＢＲ部３と、第１の光導波路１０ａ及び第２の光導波路１０ｂと光学的に結合している第３の光導波路１０ｃを含み、位相を調整する位相シフト部４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 ピーク波長間隔を変化させることなくピーク波長をシフトさせることにより、波長制御を容易とする。
【解決手段】 波長可変レーザ１００は、第１の回折格子３１が設けられている領域である回折格子形成領域１０ｄと、回折格子形成領域１０ｄと光導波方向に連続して位置する利得領域１０ｅと、を含む第１の光導波路１０ａを備えるＤＦＢ部２と、第２の回折格子３２ａが設けられると共に第１の光導波路１０ａと光学的に結合している第２の光導波路１０ｂを備えるＤＢＲ部３と、ＤＦＢ部２の第１の光導波路１０ａにおける回折格子形成領域１０ｄにＤＦＢ部波長制御電流を注入する位置に設けられたＤＦＢ部波長制御電極４５と、ＤＦＢ部２の第１の光導波路１０ａにおける利得領域１０ｅにＤＦＢ部波長制御電流より大きな利得用電流を注入する位置に設けられた利得用電極４１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザの縦単一モード発振の歩留まりを、原理的に１００％にすること。
【解決手段】回折格子が形成された活性層と、前記活性層に接続され、且つ前記回折格子が延在するコア層と、前記活性層及び前記コア層が形成された基板を具備し、前記コア層は前記活性層よりも広いバンドギャップを有し、前記基板の表面を基準とした、前記活性層の底の高さ及び前記コア層の底の高さが、前記活性層及び前記コア層に亘って一定であり、且つ、前記基板の表面を基準とした、前記活性層の頂上の高さ及び前記コア層の頂上の高さが、前記活性層及び前記コア層に亘って一定であること。 （もっと読む）

【課題】電流閉じ込めのための構造の形成を簡略化できる半導体レーザを作製する方法、及び半導体レーザを提供する。
【解決手段】本発明の方法は、基板１１上にｎ型クラッド層１３及び第１光閉じ込め層１５を成長し、多重量子井戸構造１７、第２光閉じ込め層１９及びＡｌＩｎＡｓ半導体からなるキャリアストップ層２１からなる複数の半導体細線１６をマスク及び成長炉を用いて成長し、基板を成長炉から取り出してマスクを除去し、キャリアストップ層２１の少なくとも側面を覆うように第１光閉じ込め層１５上にＩｎＰ半導体からなる半絶縁半導体層２３を成長し、半絶縁半導体層２３をエッチングしキャリアストップ層２１の上面を露出させ、ｐ型クラッド層２５を成長する。この方法では、半導体細線１６間の半絶縁半導体層２３が、電流狭窄のための半絶縁半導体層２３と一括して成長される。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザの前端面と後端面との光出力比を大きくすれば、主軸モードと副軸モードのしきい値利得差が小さくなり、高速変調時に副軸モードが発振し易くなった。
【解決手段】活性層６の上に屈折率結合性の回折格子８、９を有するΛ/２位相シフト型分布帰還構造の屈折率結合型分布半導体レーザにおいて、光の分布帰還方向で見た場合に、後端面側領域１にある回折格子における(高屈折率部分８のデューティ)/(低屈折率部分９のデューティ)の値を、前端面側領域２における値と比較してより大きくすることで、通常の半導体レーザで前端面側領域２が有する程度の結合係数κ２の値よりも、後端面側領域１での結合係数κ１を大きくする。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＩｎＡｓ系利得結合型分布帰還型半導体レーザにおいて、利得回折格子からの電子の漏れをなくして、閾値が低く且つ変調帯域の広い利得結合ＤＦＢレーザを提供すること。
【解決手段】 ＡｌＧａＩｎＡｓからなる単数又は複数の半導体層によって構成された活性層を、光の伝播方向に対して周期的にエッチングしてなる利得回折格子１０を具備する利得結合型分布帰還型半導体レーザ装置４２において、前記利得回折格子１０が、 前記半導体層を構成するＡｌＧａＩｎＡｓのバンドギャップ波長よりも、バンドギャップ波長が短波長のＡｌＧａＩｎＡｓ又はＩｎＡｌＡｓからなる埋め込み層４４によって、埋め込まれていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ｎ型ＩｎＰ基板を用い且つ発光効率を向上させ得る半導体レーザ素子の作製方法および半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１０は、ｎ型ＩｎＰ基板３７と、ｎ型ＩｎＰ基板３７上に設けられたｎ型ＩｎＰからなる第１クラッド層２７と、第１クラッド層２７上に設けられたｎ型ＧａＩｎＡｓＰからなる第１光閉じ込め層１３と、第１光閉じ込め層１３上に設けられ、ＧａＩｎＡｓＰ活性層２１、および該活性層２１上に設けられたｐ型ＧａＩｎＡｓＰからなる第２光閉じ込め層２３を有し、周期的に配列された複数の細線領域１５と、複数の細線領域１５間に設けられたｉ型ＩｎＰからなる中間半導体領域１７と、第２光閉じ込め層２３と隣接するように複数の細線領域１５上および中間半導体領域１７上に設けられたｐ型ＩｎＰからなる第２クラッド層２９とを備える。 （もっと読む）

【課題】互いに波長が異なる複数のレーザ光を出力する半導体レーザアレイにおいて、複数のレーザ光をそれぞれ発生する複数の発光領域における利得ピーク波長を、当該レーザ光の波長にそれぞれ対応するように一意に且つ精度よく制御する。
【解決手段】半導体レーザアレイ１０は、互いに波長が異なる複数のレーザ光を出力する。半導体レーザアレイ１０は、半導体基板と、半導体基板上に形成され複数のレーザ光それぞれを発生する複数の発光領域１７Ａ〜１７Ｅとを備える。複数の発光領域１７Ａ〜１７Ｅは、レーザ光の波長に対応する周期Λａ〜Λｅでもって並んで設けられた複数の量子細線１９Ａ〜１９Ｅを各々有する。発光領域１７Ａ〜１７Ｅにおける量子細線１９Ａ〜１９Ｅの細線幅Ｗａ〜Ｗｅは、当該発光領域が発生するレーザ光の波長に対応する幅であり、少なくとも二つの発光領域同士で細線幅が互いに異なる。 （もっと読む）

【課題】レーザの外部に波長基準となる追加の素子を必要とせずに、光伝送のためのチャネル波長の高速な切り替えを可能にする発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１０は、半導体光素子１１と、外部光学反射鏡１８と、ファブリペローエタロン１９とを備える。半導体光素子１１の光反射器１３では、回折格子２１ａ、２１ｂ、２１ｉの周期は互いに異なる。電極２３ａ〜２３ｉは、回折格子２１ａ〜２１ｉのためにそれぞれ設けられている。ファブリペローエタロン１９は、半導体光素子１１の第１の端面１５ａと外部光学反射鏡１８との間に設けられている。ファブリペローエタロン１９および利得導波路１７は、レーザキャビティ内において直列に配置されている。半導体光素子１１の第２の端面１５ｂからレーザ光Ｌが出射する。光反射器１３および外部光学反射鏡１８の各々は、発光装置１１のレーザキャビティのための反射鏡である。 （もっと読む）

【課題】Ａｌを含む化合物半導体による発光層を有する、簡易な作製方法で実現可能な半導体レーザ並びにそれを用いた光モジュール及び機能集積型レーザを提供すること。
【解決手段】ｐ型のＩｎＰ半導体基板201の上に形成した、ＩｎＧａＡｌＡｓを含む多重量子井戸構造で構成された発光層205と、該発光層の近傍に配置した半導体層209に放出された光を分布反射するための、光の進行方向に沿う周期的回折格子211とを少なくとも有し、周期的回折格子211は、レーザの発振波長において光学利得を有するＩｎＧａＡｓＰ材料を含む多重量子井戸構造209で構成され、かつ屈折率及び光学利得が周期的に摂動を受ける利得回折格子である。 （もっと読む）

【課題】導波方向の設計の自由度を向上させることを可能としつつ、屈折率が互いに異なる導波路間における反射および屈折による導波路損失を低減する。
【解決手段】第１導波路１２０１と第２導波領域１２０２との境界面１２０４を第１導波路１２０１の光の伝播方向に対して傾くように配置し、第２導波領域１２０２と第３導波路１２０３との境界面１２０５を第１導波路１２０１と第２導波領域１２０２との境界面１２０４における光の屈折方向の延長線上に対して傾くように配置し、第２導波領域１２０２と第３導波路１２０３との境界面１２０５における光の屈折方向が第３導波路１２０３の光の伝播方向に一致するように設定する。 （もっと読む）

【課題】集積化に適した光共振器構造を有する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】シリコン基板上でシリコン基板の表面に対して略平行な方向に隣接して設けられたｐ型半導体層とｎ型半導体層とのｐｎホモ接合部を発光部として有する半導体発光素子であって、ｐｎホモ接合部は、発光部における発光波長の整数倍と整合した周期で蛇行している。 （もっと読む）

【課題】回折格子としてフォトニック結晶構造を含む窒化物半導体レーザで、好適なΓ_ｗｅｌｌ、Γ_ｐｃを提供すると共にＡｌＧａＮ内の内部応力を低減する。
【解決手段】二次元回折格子層１７は、二次元フォトニック結晶構造２１を有しており、また第１導電型クラッド層１３と第２導電型クラッド領域１５との間に設けられる。活性層１９は、第１導電型クラッド領域１３と二次元回折格子層１７との間に設けられる。第１導電型クラッド領域１３は、少なくとも第１および第２のＡｌＧａＮ層２５、２７を含む。第１のＡｌＧａＮ層２５は第２のＡｌＧａＮ層２７と活性層１９との間に設けられ、第１のＡｌＧａＮ層２５は第１導電型クラッド層１３において活性層１９に最も近い。第１のＡｌＧａＮ層２５のＡｌ組成は第１導電型クラッド領域１３において最も大きく、第２のＡｌＧａＮ層２７のＡｌ組成は第１のＡｌＧａＮ層２５のＡｌ組成よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】活性領域が受けるダメージを低減できる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、III−Ｖ族化合物半導体基板１２上にIII−Ｖ族化合物半導体層１６ａを形成する。次に、III−Ｖ族化合物半導体層１６ａ上にエッチングマスクＭを形成する。次に、エッチングマスクＭを用いてIII−Ｖ族化合物半導体層１６ａをドライエッチングすることによって、複数の凹部４４を形成する。次に、エッチングマスクＭを用いてIII−Ｖ族化合物半導体からなる活性領域１８を凹部４４内に埋め込む。 （もっと読む）

【課題】安定な単一モード発振を維持しつつ、波長可変幅を調整し得ることが可能な可変波長レーザを提供する。
【解決手段】光軸方向に交互に配置された、利得を発生しうる利得導波路１０１ａと電流注入によって発振波長を制御しうる波長制御導波路１０１ｂとを有する光導波路１０１と、光導波路１０１に沿って設けられた回折格子１０２とを備え、一対の利得導波路１０１ａ及び波長制御導波路１０１ｂにおいて、それらの光軸方向の長さが相互に異なり、かつ光軸方向の長さに応じて、対応する回折格子１０２ａ、１０２ｂの結合係数が調整されている。 （もっと読む）

【課題】ＴＤＡ−ＤＦＢレーザなどの、隣り合う異なる光機能領域を、隣り合う陽極側電極で制御する場合において、その陽極側電極間の分離抵抗を大きく、光損失が少なく、かつ容易に製造可能な構造を有する光半導体装置を得る。
【解決手段】隣り合う異なる光機能領域の、一方の光機能領域における陽極側をｐ型とするように基板側からｎ型クラッド層・ｉ型コア層・ｐ型クラッド層とするのに対し、他方の光機能領域における陽極側をｎ型とするように、基板側からｎ型クラッド層・ｉ型コア層・ｐ型クラッド層・トンネル接合層・ｎ型半導体層と、トンネル接合を介する構造とする。 （もっと読む）