【課題】光学部品との結合が容易な半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体レーザ１０は、モノリシックに形成された発光部２０と光制御部３０とを有する。ｎ型のＧａＡｓ基板１００には、ｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、電流狭窄層１０６と、ｐ型の上部ＤＢＲとが積層される。光制御部３０は、発光部２０で発せられた光を基板の主面と略平行な方向に伝播させ、かつ伝播された光を吸収または増幅する。また、光制御部３０の表面には、反射部１２４が形成され、反射部１２４は、上部ＤＢＲ１０８からから入射された光を収束させ、一定方向へ反射させる。 （もっと読む）

【課題】高出力の単一横モード発振のため長共振器化した際においても、縦モードホッピングの発生を抑制することができ、より安定した単一縦モード発振が可能となる面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上の、第１および第２のミラーとで共振器が構成され、第１と第２のミラーとの間に設けられた第１の活性層と、第１の活性層と第１のミラーとの間に設けられた第２の活性層と、を有する発振波長λの垂直共振器型面発光レーザであって、第１の活性層は、実効的な共振器長Ｌを構成する実効共振器の端から３Ｌ／８〜５Ｌ／８となる第１の領域内であって、かつ、発振波長λに対応した縦モードの定在波の腹に配置され、第２の活性層は、実効共振器の端から３Ｌ／８Ｍ〜５Ｌ／８Ｍ（Ｍは２以上の整数）となる第２の領域内であって、かつ、発振波長λに対応した縦モードの定在波の腹に配置されている。 （もっと読む）

【課題】単一基本横モードの出力を容易に向上可能な面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 面発光レーザ素子は、活性層１０５、共振器スペーサー層１０４，１０６、反射層１０３，１０７、並びに酸化領域１０８ｂが電流狭窄層及び抑制層として機能する選択酸化層１０８を備える。共振器スペーサー層１０４，１０６は、活性層１０５の両側に設けられる。反射層１０３，１０７は、共振器スペーサー層１０４，１０６の両側に設けられ、活性層１０５において発振した発振光を反射する。電流狭窄層は、活性層１０５へ電流を注入するときの反射層１０３，１０７の領域を制限する。抑制層は、活性層１０５において発振した高次モード成分を抑制する。 （もっと読む）

【課題】直列抵抗が小さく、高効率な面発光型半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ素子は、基板１０１上に順次設けられた第１の反射鏡１０２、第１のスペーサ層１０４、活性層１０５、第２のスペーサ層１０６、及び第２の反射鏡１０８と、第１の電極１０９及び第２の電極１１０とを備えている。第１の反射鏡１０２及び第２の反射鏡１０８の少なくとも一方は、第１の屈折率を有し、非窒化物半導体材料からなる第１の透光性導電膜と、第１の屈折率よりも小さい第２の屈折率を有し、非窒化物半導体材料からなる第２の透光性導電膜とが交互に積層されてなる分布ブラッグ反射鏡である。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で、深さの異なる溝を高精度に形成し、レーザ光の偏光方向を一方向に安定化することが可能な面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】コンタクト層１７に第１溝５１を設けたのち、平面形状において一部が第１溝５１に重なる第２溝５２を形成する。第２溝５２の第１溝５１に重ならない部分５２Ｂのエッチング深さを、積層方向において上部酸化可能層を含む上部第２ＤＢＲミラー層を貫通すると共に、下部酸化可能層を含む下部第２ＤＢＲミラー層に達しない深さとする。このとき、第２溝５２の第１溝５１に重なる部分５２Ａのエッチング深さは、第１溝５１の深さ分だけ、第１溝５１に重ならない部分５２Ｂよりも大きくなり、積層方向において下部酸化可能層のうち少なくとも１層を貫通する深さとすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】グレーティングカプラへのレーザ光の結合効率が向上すると共に実装精度も向上させることが可能な面発光レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層２０上に光透過性の厚い絶縁膜２８を形成し、この絶縁膜２８から半導体層２０中のｎ型ＤＢＲ層２１に達する円環形状の溝２８Ａを形成する。マスク（レジスト層３４を絶縁膜２８上に形成すると共に溝２８Ａにも充填させ、このレジスト層３４の溝２８Ａの近傍位置に開口３４Ａを設ける。この開口３４Ａからエッチング液を導入し絶縁膜２８を加工することによって、傾斜した光出射面３Ａを有するプリズム３を形成する。これにより素子本体２の光出射面２０Ａに対して垂直な方向よりも傾いたレーザ光を出射する面発光レーザ素子１が得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明は波長の異なる複数種のレーザ光を生成できる多波長レーザ素子及びその製造方法に関し、消費電力の低減を図ることを課題とする。
【解決手段】基板１１と、この基板１１上に下部ミラー層１８〜２１を積層してなる第１のミラー部１２と、活性層２２を有し第１のミラー部１２上に積層された活性層部１３と、この活性層部１３上に上部ミラー層２５〜２８を積層してなる第２のミラー部１４と、活性層部１３に給電を行うための一対の電極１５，１６とを有する。また、活性層部１３と第２のミラー部１４との境界部分に第１の電極１６を形成し、第１のミラー部１２と活性層部１３との境界部分に第２の電極１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】放熱性が良好で、実装が容易な面発光レーザを提供する。
【解決手段】半導体基板２上に、活性層３を有するメサ構造部４と、メサ構造部４を囲む態様の絶縁層５とを設ける。レーザ光は、メサ構造部４の形成領域の上部側から半導体基板２の基板面に垂直な方向に発する。メサ構造部４に対向する面発光レーザ１の下面側に、メサ構造部４の熱を放熱する放熱層１２を形成する。面発光レーザ１をその厚み方向に絶縁層５を通して貫通する孔部８を形成し、絶縁層５の上面に、メサ構造部４から孔部８まで、メサ構造部４のｐ型の層に導通するｐ型の電極１３を形し、電極１３を孔部８の内壁を通して面発光レーザ１の下面側まで延設する。半導体基板２の底面には面発光レーザ１の下面側に形成されたｐ型の電極１３に間隔を介してメサ構造部４のｎ型の層に導通するｎ型の電極１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】複数の選択酸化層の酸化を個々に制御可能な面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】ＶＣＳＥＬは、基板上に、ｎ型の下部ＤＢＲ１０６、活性領域、ｐ型の上部ＤＢＲ１１０を含み、下部ＤＢＲ１０６内にｎ型のＡｌＡｓからなる第１の選択酸化層１０６Ａが形成され、上部ＤＢＲ１１０内にｐ型のＡｌＡｓからなる第２の選択酸化層１１０Ａが形成されている。第１の選択酸化層１０６Ａに隣接する第１の酸化レート調整層１０６Ｂ（ＡｌＧａＡｓ）のＡｌ組成は、第２の選択酸化層１１０Ａが隣接する第２の酸化レート調整層１１０ＢのＡｌ組成よりも大きく、その結果、第１の選択酸化層１０６Ａの酸化アパーチャーの径が第２の選択酸化層１１０Ａの酸化アパーチャーの径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】発光素子及び光結合モジュールを提供する。
【解決手段】前記素子は、基板と、前記基板に備えられた発光部と、前記基板の下部面に備えられた反射部とを含む。前記発光部は、前記基板上に配置されたアクティブパターンと、前記アクティブパターンの上部に備えられた上部鏡と、前記アクティブパターンの下部に備えられた下部鏡とを含む。前記発光部は、基板に垂直な光を放射することができ、前記反射部は、前記放射光を前記基板の側面に反射することができる。 （もっと読む）

【課題】光出力、静電放電による耐性、生産性を改善し、単一横モードで動作する面発光型半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ＶＣＳＥＬ１０は、下部ＤＢＲ２２には、ＡｌＡｓ等の第１の被酸化Ａｌ含有層４０が形成され、上部ＤＢＲ２６には、ＡｌＡｓ等の第２の被酸化Ａｌ含有層５０が形成され、第１の被酸化Ａｌ含有層４０は、第２の被酸化Ａｌ含有層５０よりも活性領域から離れた位置にある。第１の被酸化Ａｌ含有層４０第１の非酸化領域４４の大きさは、第２の被酸化Ａｌ含有層５０の第２の非酸化領域５４の単一モード発振となる最大の大きさより大きく、かつ第１の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより小さく、第２の非酸化領域の大きさは、第２の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより大きく、第１の非酸化領域の大きさは、第２の非酸化領域の大きさと同等もしくはそれより大きい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、フォワードバイアスが印加されると光ゲインを発生する活性要素を有する活性セクション１０６と、吸収セクション２０６と、前記活性セクションおよび前記吸収セクションを含むウエイブガイド１０３と、光に対する帰還を供給するミラー１１６、１１７を備え、前記ウェイブガイドは、前記ミラーの間に配置され、また、装置は、パルスレーザ光を放射するパルス体制において動作可能であるデータ伝送光電子装置３００に関する。
【解決手段】本発明は、追加の変調器３０６と、電子光効果により変調可能である屈折率と、前記変調器の屈折率の変調を提供するための手段２１３を有している、追加の変調器の屈折率は、出力パルスレーザ光の繰り返し周波数が変化するように変えられ、また、前記ウェイブガイド１０３は、更に、前記追加の変調器３０６を含む。 （もっと読む）

【課題】ＦＦＰが安定した状態で光出力を大きくすることができ、かつ一つのドライバで容易に電流制御することの可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】積層構造１１内において、ｎ型ＤＢＲ層１２、クラッド層１６、活性層１７、クラッド層１８およびｐ型コンタクト層１９によってＰＩＮ構造が形成され、ｎ型コンタクト層２０、クラッド層２１、活性層２２、クラッド層２３およびｐ型ＤＢＲ層１３によってＰＩＮ構造が形成されている。一方のＰＩＮ構造のｎ型半導体層（ｎ型コンタクト層２０）と他方のＰＩＮ構造のｐ型半導体層（ｐ型コンタクト層１９）とは共に、連結部３０と接すると共に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】素子抵抗を低減させ、光出力を向上させることができる面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】ＶＣＳＥＬ１０は、基板１２と、ｎ型の下部ＤＢＲ１４と、活性領域１６と、ｐ型の上部ＤＢＲ１８とを含む。下部ＤＢＲ１４はさらに、光閉じ込めとして機能する酸化層４０と、酸化層４０と活性領域１６との間に高い不純物濃度の電流経路層６０とを有する。上部ＤＢＲ１８は、電流狭窄として機能する酸化層５０を有している。下部電極２２から注入されたキャリアは、酸化領域４２によって囲まれた非酸化領域４６による電流経路Ｋ１に加えて、酸化領域４２を回り込むような電流経路Ｋ２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗の低減を図りつつ横モード制御が可能な面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】ＶＣＳＥＬ１０、基板１２上に形成され、Ａｌを構成元素とする電流狭窄層３２を含む下部ＤＢＲ１４と、活性領域１６と、ポストＰに加工された上部ＤＢＲ１８とを備える。下部ＤＢＲ１４には、ポストＰの外側において、活性領域１６から電流狭窄層３２に到達する複数の孔３０が形成されている。電流狭窄層３２には、ｙ方向に延在する導電領域３８が形成され、上部ＤＢＲ１８の電流狭窄層４０には、ｘ方向に延在する導電領域４４が形成されている。これらの導電領域３８、４４を組み合わせることで、光のｘｙ方向を制御し、横モード制御を可能にしている。また、各導電領域３８、４４は、従来の横モード制御層の導電領域に比べ、その面積を広くすることができ、電気抵抗の低減を図っている。 （もっと読む）

【課題】簡易かつ安価に製造可能であり、レーザ光の偏光方向を一方向に安定化すると共に高出力化することの可能な面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板１０上に、下部第１ＤＢＲ層１２、下部第２ＤＢＲ層１３、下部クラッド層１４、活性層１５、上部クラッド層１６、電流狭窄層１７、上部ＤＢＲ層１８およびコンタクト層１９がこの順に積層された積層構造２０を備える。下部第１ＤＢＲ層１２は、電流注入領域１７Ｂとの対向領域のうち一の領域に酸化部３０を有しており、酸化部３０の不均一な分布に対応した異方的な応力が活性層１５に発生し、さらに、基本横モードの光場強度分布が酸化部３０の方向に引き寄せられる。 （もっと読む）

本発明は、例えば電流閉じ込め層として機能する、Ｉｎ含有量量がゼロではないＡｌＩｎＮ層（７）を有するIII−窒化物複合デバイスに関する。ＡｌＩｎＮ層（７）は、その内部に規定される少なくとも１つの開口部を有する。ＡｌＩｎＮ層（７）は、その下にあるＧａＮ層などに対する格子不整合が少ないように成長され、その結果、デバイス内の付加的な結晶ひずみを抑制する。最適化された成長条件を用いて、ＡｌＩｎＮの抵抗率を１０^２Ω．ｃｍよりも高くする。その結果、より小さな抵抗率を有する層を、多層半導体デバイス内の電流ブロック層として用いるときに生じる電流の流れが、抑制される。結果として、ＡｌＩｎＮ層が開口部を有し、レーザーダイオードデバイス内に配置されると、デバイスの抵抗率は相対的に低くなり、デバイスの性能が向上する。
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【課題】窒素物半導体で構成された面発光レーザであって、メサ領域の表面損傷によるリークを防止するとともに、低電流でレーザの誘導放射を行える注入電流密度を得られるような面発光レーザを提供する。
【解決手段】ｎ型のＧａＮバッファ層１を共通の半導体層として、このＧａＮバッファ層１上に、メサ領域Ｍが複数形成される。メサ領域Ｍは、ｎ型ＧａＮ層２、活性層３、ｐ型ＧａＮ層４からなる半導体積層体で形成される。メサ領域Ｍには電流阻止領域が形成されておらず、メサ領域Ｍのメサ径は１５μｍ以下に形成されている。また、メサ領域Ｍは選択成長によって形成される。表面損傷のないメサ領域Ｍにより、十分電流は狭窄され、低電流でレーザ誘導放射を行える。 （もっと読む）

【課題】 ダイヤモンドを用いた紫外発光、かつ大出力の発光素子を実現する。
【解決手段】 ｐ型ダイヤモンド層２、及びｎ型ダイヤモンド層３の間に、ダイヤモンドより大きな原子間距離で結合する不純物元素を混入させたダイヤモンド層を挿入することにより、上記ｐ型ダイヤモンド層２、及びｎ型ダイヤモンド層３と、上記不純物元素混入ダイヤモンド層５との両界面に歪を発生させ、上記両界面近傍のｐ型ダイヤモンド層２、及びｎ型ダイヤモンド層３の側で、光学遷移を間接遷移型から直接遷移型に変えると共に、正孔や電子を上記両界面近傍に局在さすことにより、高発光効率、高出力の紫外発光素子を実現する。 （もっと読む）

【課題】高次横モード発振を抑制しながら基本横モードを維持することができ、一層の高出力が可能となる面発光レーザおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】活性層に電流を注入する経路となる開口部を備え、該開口部の周辺に設けられている電流狭窄領域を有する面発光レーザであって、
前記活性層を挟んで光出射側と反対側に設けられた電流注入領域を備え、
前記電流注入領域における電流注入経路の径が、前記開口部の径よりも小さい径によって構成される。 （もっと読む）