【課題】 モード制御のための反射率制御を行うために設けられた段差構造を備えた面発光レーザにおいて、遠視野光強度分布の拡がり角を改善した面発光レーザを提供する。
【解決手段】 反射率差を付与する第１の段差構造と、遠視野光強度分布を変化させる第２の段差構造とを備える。第１の段差構造の段差を形成する領域と、第２の段差構造の段差を形成する領域とは所定の関係を有する。 （もっと読む）

【課題】活性層における注入電流分布を均一化できる面発光レーザ素子を提供すること。
【解決手段】半導体基板３と、前記半導体基板３における一方の面に設けられた第１の電極５と、前記半導体基板３における反対側の面に設けられた、第１の分布反射ミラー７、第１のクラッド層９、活性層１１、第２のクラッド層１３、第２の分布反射ミラー１５、及び第２の電極１７と、を備え、前記第１の電極５と前記第２の電極１７のうち、一方は、開口部を有する出射側電極５であり、他方は、コンタクト部を有する非出射側電極１７であり、膜厚方向での電気抵抗が、中央部よりも、周辺部において大きい抵抗分布層１６を、前記非出射側電極１７に隣接する位置に備えることを特徴とする面発光レーザ素子１。 （もっと読む）

【課題】高コスト化を招くことなく、放熱性及び耐腐食性に優れた面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 下部半導体ＤＢＲは、第１下部半導体ＤＢＲ１０３ａと第２下部半導体ＤＢＲ１０３ｂから構成され、共振器構造体に近い第２下部半導体ＤＢＲ１０３ｂは、ｎ−Ａｌ_０．９８Ｇａ_０．０２Ａｓからなる低屈折率層と、ｎ−Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓからなる高屈折率層のペアを３ペア有している。そして、第２下部半導体ＤＢＲ１０３ｂの低屈折率層は、隣接する組成傾斜層の１／２を含んで、３λ／４の光学的厚さとなるように設定されている。また、第２下部半導体ＤＢＲ１０３ｂの低屈折率層は、第１下部半導体ＤＢＲ１０３ａの低屈折率層であるｎ−ＡｌＡｓと高屈折率層であるｎ−Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓとの間の熱抵抗率を有している。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 基板１０１上に、下部半導体ＤＢＲ、活性層を含む共振器構造体、被選択酸化層を有する上部半導体ＤＢＲなどが積層されている。そして、下部半導体ＤＢＲが含まれるベース部の外形は、基板の表面に直交する方向からみたとき、角部が無くマクロ的に滑らかな形状であり、下部半導体ＤＢＲのエッチング面は、不動態化膜１１５と保護層１１１とによって被覆されている。この場合は、不動態化膜１１５にクラックが入るのを抑制でき、従来よりも信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体層とコンタクト電極との接触抵抗を低減し発熱を抑制しつつ、シングル横モード発振の得られやすい半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明の一形態に係る半導体レーザ素子は、ｎ型半導体層とｐ型半導体層とを有する半導体積層部と、ｎ型半導体層とｐ型半導体層の少なくとも一方の半導体層上に設けられ第１開口部を有する第１絶縁部と、第１絶縁部上と第１開口部における半導体層上とに連続して設けられ第１開口部において半導体層と電気的に接続されたコンタクト電極と、を備える。特に、コンタクト電極は、第１開口部よりも小さな第２開口部を第１開口部の内側に有する第２絶縁部を有し、第１開口部の内側且つ第２開口部の外側において第２絶縁部により半導体層から近い側と遠い側とに分離されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ファーフィールドパターンのアスペクト比を調整可能なIII族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】レーザダイオードＬＤでは、活性層６９の屈折率がブロック層７６のIII族構成元素それぞれのモル比によって規定される単結晶III族窒化物半導体の屈折率より大きい。レーザダイオードＬＤにおいて、活性層６９がｎ型III族窒化物半導体クラッド層６５と及びｐ型III族窒化物半導体クラッド層７３との間に配置されると共に活性層６９の第１の部分６９ａ及びブロック層７６が法線軸Ｎｘに交差する基準面に沿って配列されるので、２つのクラッド層６５、７３及びブロック層７６の利用により、活性層６９の上下左右に低屈折率の領域を配置できる。 （もっと読む）

【課題】グレーティングカプラへのレーザ光の結合効率が向上すると共に実装精度も向上させることが可能な面発光レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層２０上に光透過性の厚い絶縁膜２８を形成し、この絶縁膜２８から半導体層２０中のｎ型ＤＢＲ層２１に達する円環形状の溝２８Ａを形成する。マスク（レジスト層３４を絶縁膜２８上に形成すると共に溝２８Ａにも充填させ、このレジスト層３４の溝２８Ａの近傍位置に開口３４Ａを設ける。この開口３４Ａからエッチング液を導入し絶縁膜２８を加工することによって、傾斜した光出射面３Ａを有するプリズム３を形成する。これにより素子本体２の光出射面２０Ａに対して垂直な方向よりも傾いたレーザ光を出射する面発光レーザ素子１が得られる。 （もっと読む）

【課題】 ＧａＩｎＮＡｓを含む活性層上にＣ添加のｐ型半導体層を有するトンネル接合層を備えており、良好な光学特性及び素子特性を実現でき素子信頼性の高い面発光半導体レーザ素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板３９上に、第１のＤＢＲ４３を形成し、第１のＤＢＲ上に、ＧａＩｎＮＡｓを含む活性層４７を形成し、活性層上に第１の半導体スペーサ層を形成し、第１の半導体スペーサ層上に、Ｃ添加のｐ型半導体層５１とｎ型半導体層５３とが積層されてなるトンネル接合層５５を形成し、トンネル接合層上に第２の半導体スペーサ層５７を形成し、第２の半導体スペーサ層上に第２のＤＢＲ２３を形成して面発光半導体レーザ素子を得る。この際、トンネル接合層を形成する前に活性層４７を、６００℃より高く７５０℃未満の温度で熱処理し、ｐ型半導体層５１を形成した後にｐ型半導体層を５００℃より高く６００℃未満の温度で熱処理する。 （もっと読む）

【課題】静電容量や製造プロセス上の問題を解決し、ワイヤーボンディング側の電極を剥がれにくくした面発光レーザを提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板２の上に、ｎ側多層反射膜３、活性層４が形成されており、活性層４の上には、Ａｌ_Ｘ３ＧａＡｓ電流ブロック層５、ｐ側多層反射膜６、ｐ型ＧａＡｓ層７等が順に積層されており、一部がメサエッチングされて略円柱状のメサ領域２０と外部領域２１を形成している。メサ領域２０上にはｐ電極１９が設けられる。このｐ電極１０は、コンタクト電極部１０ａ、引き出し配線部１０ｂ、ボンディング用電極部１０ｃの各部から構成されており、ボンディング用電極部１０ｃは、外部領域２１上に形成される。また、ｐ電極１０は、一体的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】単一横モード発振が可能で、低いしきい値電流、低い素子抵抗を実現する面発光半導体レーザを歩留まり高く製造する。
【解決手段】面発光レーザは、下部多層膜反射鏡、ｎ型コンタクト層、活性層、ｐ型コンタクト層、及び、上部多層膜反射鏡を備える。上部多層膜反射鏡の多層膜中の最下層には、複数の空孔が２次元周期的に配列された２次元空孔配列が形成される。その上に上部多層膜反射鏡の多層膜が積層され、２次元空孔配列の形状が部分的に保持されて、周期的な屈折率の２次元分布が得られる。この屈折率の２次元分布は、中央の空孔が形成されない点欠陥に対しクラッドとして働き、光を点欠陥に閉じ込める。 （もっと読む）

【課題】電流狭窄が可能な窒化物半導体からなる面発光レーザダイオード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体からなる活性層３０と、活性層３０の主面と平行に配置された第１の反射膜２０と、活性層３０を挟んで第１の反射膜２０と対向して配置され、活性層３０の主面と平行な断面の面積が活性層３０より小さい窒化物半導体からなる電流狭窄層４０と、活性層３０及び電流狭窄層４０を挟んで第１の反射膜２０と対向して配置され、活性層３０の主面と平行な断面の面積が電流狭窄層４０より大きい第２の反射膜５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】トンネル接合を含む接合領域のメサ形状に起因して誘電体ＤＢＲと半導体領域との界面における光散乱を低減可能な面発光半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体ＤＢＲ１３の半導体層１３ａ、１３ｂは交互に配列される。接合領域１７はトンネルｐｎ接合ＴＪを含む。誘電体ＤＢＲ１９は軸Ａｘの方向に周期的に設けられた屈折率変化を有する。III−Ｖ化合物半導体層２１は接合領域１７と誘電体ＤＢＲ１９との間に設けられる。誘電体ＤＢＲ１９は誘電体層１９ａ、１９ｂを含む。誘電体層１９ａはIII−Ｖ化合物半導体層２１上に位置すると共に、誘電体層１９ｂは誘電体層１９ａの直上に位置する。誘電体層１９ａは、III−Ｖ化合物半導体層２１の屈折率より小さい平均屈折率ｎ_ＡＶ１を有し、誘電体層１９ｂは平均屈折率ｎ_ＡＶ１より小さい平均屈折率ｎ_ＡＶ２を有する。誘電体層１９ａと誘電体層１９ｂとの界面には屈折率変化２５が形成される。 （もっと読む）

【課題】電流阻止層の配設に伴う電流密度の増加によって悪化しがちなリニアリティおよび信頼性を改善した電流狭窄型発光素子等を提供する。
【解決手段】本発明の発光素子１は、ＧａＡｓ基板2の上面2aに、下側クラッド層3、活性層4、上側クラッド層5、電流阻止層6、および第１開口7aをもつ第１電極層7を有し、ＧａＡｓ基板2の下面2bに第２電極層8を有し、活性層4が、不純物をドーピングしないアンドープ活性層であり、電流阻止層6は、上側クラッド層5の上方でかつ第１電極層7の直下位置に、上側クラッド層5の表面の一部5a1が前記第２開口6aよりも小さな径をもつ前記第１開口7aから露出するように配設されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡易かつ安価に製造可能であり、レーザ光の偏光方向を一方向に安定化することの可能な面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】下部ＤＢＲミラー層１１、下部クラッド層１２、発光領域１３Ａを有する活性層１３、上部クラッド層１４、電流狭窄層１５、上部ＤＢＲミラー層１６およびコンタクト層１７が基板１０側からこの順に積層されている。上部ＤＢＲミラー層１６は、低屈折率層および高屈折率層を交互に積層して形成されると共に、発光領域１３Ａとの対向領域を間にして設けられた一対のトレンチ２５，２５を有する。上部ＤＢＲミラー層１６内の複数の低屈折率層のうちの１つの部位には、偏光制御層２６が設けられている。偏光制御層２６は、トレンチ２５の側壁およびメサ部１９の外縁に沿って設けられた酸化領域２６Ｂと、その酸化領域２６Ｂ以外の領域に設けられた未酸化領域２６Ａとを有する。 （もっと読む）

【課題】放射角と変調速度のトレードオフの関係による問題を解消し、低放射角と高速変調の両立を実現する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】２つの反射鏡に挟まれた共振器を有する半導体発光素子であって、 共振器の一部を構成する、所定の層厚分布を備えたパターン層と、パターン層よりもパターン層の成膜方向側に設けられた第１の埋込層と、第１の埋込層に接して設けられ、第１の埋込層と構成元素の組成が異なり、パターン層と逆の層厚分布を備えた第２の埋込層と、を有する構成である。 （もっと読む）

【課題】上側メサ構造体の選択的パターニングにより形成された、モード制御を伴うＶＣＳＥＬを提供すること。
【解決手段】上面及び底面を有する基板と、基板の上面に配置された交互の屈折率の第１ミラー層スタックと、第１スタック上に配置された活性層とを有する表面発光レーザである。表面発光レーザはまた、活性層上に配置された交互の屈折率の第２ミラー層スタックと、活性層とは反対側の第２スタック側において第２スタックの中央部から外方に延びる表面発光レーザの光学的開口部を形成する第２スタックの減少された直径のミラー延長部とを有する。 （もっと読む）

【課題】 リーク電流が少なく、高い電流狭窄効率を有する、信頼性が高い面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 活性層１０５と、電流阻止部１１６と導通部１１５とからなり前記活性層１０５への電流注入領域を規定する電流狭窄構造と、前記活性層１０５を挟んで対向して設けられる一対の分布ブラッグ反射器１０３；１０７，１１１とを備えた面発光レーザ素子において、前記電流阻止部１１６は、互いにバンドギャップエネルギーの異なる半導体層を交互に積層した複数のヘテロ界面を含む多層構造により形成されている事を特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 優れた反射特性を有するＤＢＲ部を備えた面発光型半導体素子及び面発光型半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 面発光レーザ１は、ＤＢＲ半導体層５ａとＤＢＲ半導体層５ｂとが交互に配列されたＤＢＲ部５と、ＤＢＲ部１９と、ＤＢＲ部５とＤＢＲ部１９との間に設けられ活性層１３を含むメサ部９と、メサ部９の側面９ａ上に設けられたIII−Ｖ族化合物半導体層１７とを備える。ＤＢＲ部１９は、III−Ｖ族化合物半導体層１７上に設けられており、メサ部９はIII−Ｖ族化合物半導体から構成されており、メサ部９の側面９ａは（１１１）面及び（１−１−１）面を実質的に含まない。 （もっと読む）

【課題】 従来に比べて、高次横モードに対してより大きな損失を選択的に付加することができ、高次横モードの発振をより効果的に抑制できて、単一基本横モードにおいてより一層の高出力動作が可能な面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 一対の分布ブラッグ反射器のうちの少なくとも一方の分布ブラッグ反射器は、活性層１０５と共振器スペーサー層１０４，１０６とから構成される共振領域１０７とは別の第２の共振領域１１４を含み、該第２の共振領域１１４は、電流注入領域の中心から所定の距離の範囲を除く領域に設けられている事を特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 価格的にも妥当でかつ大きな生産性（歩留まり）で製造することが可能であり、更にその横方向のビームプロファイルが横方向の導波（路）によって広範囲において調整可能なように構成されたとりわけＩｎＰ系面発光型レーザダイオードの提供。
【解決手段】 第１のｎドープ半導体層（２）と少なくとも１つのｐドープ半導体層（４、５）とによって包囲されるとともにｐｎ接合を有する活性層（３）と、該活性層（３）のｐ側に位置するとともに第２のｎドープ半導体層（８）に隣接するトンネル接合（７）とを有する面発光型半導体レーザの導波路構造の製造方法であって、第１のエピタキシャル成長プロセスにおいて、前記少なくとも１つのｐドープ半導体層（４、５）上に、ｎドープ遮断層（６、６ａ）が形成され、次いで、該ｎドープ遮断層（６、６ａ）が、アパーチャ（１０）の形成のために、部分的に刻削され、そして第２のエピタキシャル成長プロセスにおいて、前記トンネル接合（７）のために提供される層が、前記遮断層（６、６ａ）及び前記アパーチャ（１０）上に形成されることを特徴とする。
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