【課題】 緩和振動周波数が高く、チャンネル当たりの伝送容量が１０Ｇｂｐｓを超える大容量伝送に適した、簡易な構成の高速変調可能な発光装置を提供する。
【解決手段】 基板１０１上に多層膜反射鏡１０２，１１２で上下をはさまれた複数の共振器を有する垂直共振器型面発光半導体レーザ素子と、変調用パルス電源１１７と、励起用直流電源１１８とを備え、前記垂直共振器型面発光半導体レーザ素子の複数の共振器は光学的に結合して１つの共振モードを形成しており、それぞれの共振器内には、それぞれ、活性層１０５，１０９が設けられ、それぞれの前記活性層１０５，１０９は同一の共振モード波長に対して利得を有しており、前記活性層１０５，１０９のうちの１つの活性層１０９は、前記変調用パルス電源１１７に電気的に接続され、また、前記活性層１０５，１０９のうちの他の活性層１０５は、前記励起用直流電源１１８に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 固有ノイズおよび戻り光ノイズの低減を図ることができる面発光半導体レーザおよびこの面発光半導体レーザを光源に用いた光モジュールを提供する。
【解決手段】 ｎ型半導体基板１１上にｎ型ＤＢＲ層１２、活性層１４、ｐ型ＤＢＲ層１７、ｐ型コンタクト層１８およびｐ側電極２０を有し、ｐ側電極２０の開口２０ａを通じて出力光を取り出す面発光半導体レーザにおいて、ｐ側電極２０の開口２０ａの内部のｐ型コンタクト層１８上に、発光波長に対する吸収係数をα（ｃｍ^-1）、厚さをｔとしたとき、発光波長が８５０ｎｍよりも短いときは０．１≦αｔ≦１、発光波長が８５０ｎｍ以上のときは０．４≦αｔ≦１の光吸収層２１を設ける。 （もっと読む）

【課題】 レーザ光の偏光方向を安定的に一定方向に制御することが可能なＶＣＳＥＬを提供する。
【解決手段】 基板上に形成されたメサ構造１０は、その内部に少なくとも活性層を含み、メサ構造１０の頂部から基板と垂直方向にレーザ光を出射する。基板水平面２０に対して垂直であり、かつ、メサ構造１０のおおよそ中心を原点とする２つの直交する直交面（Ｘ面、Ｙ面）が、メサ構造の側面と交わる交線をそれぞれＬｘ１線、Ｌｘ２線、Ｌｙ１線、Ｌｙ２線とし、Ｌｘ１線、Ｌｘ２線、Ｌｙ１線、Ｌｙ２線が基板水平面とのなす角度をそれぞれ、Ａｘ１、Ａｘ２、Ａｙ１、Ａｙ２としたとき、少なくともＡｘ１、Ａｘ２、Ａｙ１、Ａｙ２のいずれか一つが異なる値とする。 （もっと読む）

【課題】 偏光方向を任意所望の特定の方向に安定して制御することができ、更に単一基本横モード発振において高出力が得られ、更に高速変調が可能な面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 基板の表面（基板面）に平行な方向に、レーザ共振領域を中心とした低屈折率コアと、前記低屈折率コアの周辺を取り囲んで、実効屈折率が低屈折率である領域と高屈折率である領域とを繰り返し設けて成る周期構造とが形成されている面発光レーザ素子において、前記低屈折率コアの幅が、前記基板面に平行な面内において、互いに直交する２方向で相違している事を特徴としている。 （もっと読む）

【課題】複数の波長を発生させる半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】所定の波長を有する光を発生させるレーザポンピング素子１００と、レーザポンピング素子１００の外部に位置し、レーザポンピング素子１００で発生した光の一部を透過させてレーザ光として出力し、残りの一部をレーザポンピング素子１００で再吸収されるように反射する外部ミラー部１１３、１１４と、を含む半導体レーザ装置において、レーザポンピング素子１００は、少なくとも２個の波長を有する光を発生させる活性層と、活性層で発生した少なくとも２個の波長を有する光について、最も高い反射率を有する多重帯域反射器と、を含み、活性層は、多重帯域反射器と外部ミラー部１１３、１１４との間の光路に位置する複数の波長を発生させる半導体レーザ装置。 （もっと読む）

【課題】 結晶品質が均一で、膜剥離による信頼性の劣化がない、低コスト、低電圧で高速の面型光スイッチを提供すること。
【解決手段】 半導体基板上に、ＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体からなる活性層と、該活性層の上部及び下部にもうけられた多層膜反射鏡とを有する面発光半導体レーザと、該半導体レーザから出射された光を変調するための電圧を印加する変調電極と、該電極によって形成された電界によって屈折率変化を生じる有機結晶からなる電気光学効果の媒体と、光強度変化に変換するための偏光板とを構成要素として含む面型光変調器とからなる面型光スイッチにおいて、該変調電極は同一平面上に形成され、有機結晶からなる電気光学効果の媒体はその電極間に形成されており、該変調電極と有機結晶からなる電気光学効果の媒体との間に有機樹脂または無機膜からなる下引層が形成されている。 （もっと読む）

有色画素化光を生成するディスプレイ装置は、ポンプ・ビーム光を生成するためのバックライト・ユニット、及び画素間領域よりも高い正味利得を有する間隔を開けたレーザー画素のアレイを提供するように、間隔を開けた位置のところで該デバイスの特性を変調するための構造と、該ポンプ・ビーム光に応答して異なる有色光を生成するための部分を含むアクティブ領域とを含む垂直キャビティ・レーザー・アレイ・デバイスを含む。当該装置は、光シャッター及び該選択された有色光のビューのアンギュラー・コーンを増大させるための、該光シャッターの上に配置されたビーム拡大器も含む。
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着色したピクセル化された光を生成するためのディスプレイ装置は、ポンプビーム光を生成するためのバックライトユニット、インターピクセル領域よりも高いネットゲインを有する離間レーザピクセルの配列を供給するために、離間位置において装置の特性を調節するための構造を含む垂直キャビティレーザアレイ装置、及びポンプビーム光に応じて青色光を生成する活性領域を含む。装置は、また、液晶、及び異なる部分を含む色変換層を含む光シャッタを含み、青色光に応じて選択された異なる部分は、異なる着色光を生成し、選択された着色光の観点の角度の円錐形を増加させる。
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本願では、次のような面放出型の半導体レーザ素子が提供される。すなわち、とりわけ電気ポンピング式の半導体レーザ素子であり、垂直の放出方向を有し、かつレーザ放射を外部の光学的な共振器（４，５）によって生成するために構成されている形式のものにおいて、横方向の主延在方向と、放射生成のために設けられた活性ゾーン（３）とを有する半導体層シーケンス（２）を備えた半導体ボディを有し、該共振器内に放射透過性のコンタクト層（６）が配置されており、該半導体ボディに導電接続されていることを特徴とする、半導体レーザ素子が提供される。
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本発明は、活性垂直エミッタ層（３）を有する光ポンピング式垂直エミッタと、横方向に伝搬されるポンピングビームフィールドを形成するポンピングビーム源とを備えた半導体装置に関しており、ここでこのポンピングビームフィールドにより、ポンピング領域において垂直エミッタ層（３）が光ポンピングされ、ポンピングビームフィールドの波長は、垂直エミッタによって形成されるビームフィールド（１２）の波長よりも短い。上記のポンピングビーム源は活性ポンピング層（２）を有しており、この活性ポンピング層は、上記の垂直エミッタ層（３）と垂直方向に並んで配置されており、また垂直方向に見て少なくとも部分的に垂直エミッタ層と重なっている。ここでは活性ポンピング層（２）はつぎのように配置されている。すなわち、動作時に形成されるポンピングビームフィールドが、垂直エミッタ層（３）によって形成されかつ横方向に伝搬する寄生的なビームフィールドよりも高い出力を有しているか、または横方向に伝搬する寄生的なビームフィールドの、垂直エミッタ層（３）による形成が抑圧されるように配置されるのである。
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集積アブソーバを伴う面発光レーザ（ＳＥＬ）下部ミラーおよび出力カプラは、ＳＥＬのレーザキャビティを定義する。レーザキャビティ内に位置づけられるモノリシックゲイン構造は、ゲイン領域およびアブソーバを備え、アブソーバの飽和フルエンスは、ゲイン領域の飽和フルエンスよりも少ない。 （もっと読む）

ＶＣＳＥＬなどのシングルモードの高出力レーザ・デバイスには、活性領域すなわち共振器の夫々の側における２つの酸化物開口が形成される。上記各開口のサイズ、および、共振器中心からの上記各開口の距離は、最適な準ガウス電流密度分布に対して選択される。この様に形成されたＶＣＳＥＬの高出力は、基板を通るバイアと（バイアを含む）ＶＣＳＥＬの頂部および底部上における金メッキとを形成することにより、または、ＶＣＳＥＬ構造を基板から取り外して熱シンク上に配置することにより、良好な除熱により更に改善される。
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歪み補償構造（１１２）は、酸化物形成層（１０６）に隣接する歪み補償層（１０４）を含む。歪み補償層（１０４）は、酸化物形成層（１０６）の少なくとも一部の酸化による格子パラメーラの変化を補正するものである。 （もっと読む）

本発明は、スイッチング機能を有する発光素子である発光型トランジスタ(LEFET)であって、十分な発光強度を得ることができ、より発光効率が高いものを提供するために成された。ドレイン電極２５の材料にアルミニウムを、ソース電極２４の材料に金を用いる。ソース電極２４−ドレイン電極２５間に電圧を印加することにより、ソース電極２４から正孔が、ドレイン電極２５から電子が、それぞれ発光体層２６に注入される。正孔と電子が再結合して、発光体層２６が発光する。発光のON/OFFはゲート電圧のON/OFFにより制御される。従来はドレイン電極にも金を用いていたのに対して、本発明では金よりも仕事関数の小さいアルミニウムを用いることにより、より低い電圧でより多くの電子を発光体層２６に注入することができる。そのため、発光強度及び発光効率が向上する。 （もっと読む）

基板（１）上に第１のＤＢＲ層（２）、第１クラッド層（３）、活性層（４）、第２クラッド層（５）、酸化電流狭窄部形成層（６）、第２のＤＢＲ層（７）が順次積層された積層構造（２０）と、上部電極（８）及び下部電極（９）とを有する。また、光軸（１０）から所定の距離以上離れた積層構造（２０）の一部領域に、基板（１）上に形成された段差（１１）付近から伸びる構造変調領域（１２）が存在する。この構造変調領域（１２）は、層厚、界面平坦性及び界面の基板面に対する傾き等のパラメータの少なくとも１つが他の領域と異なり、光軸（１０）を含む発光の中心部に比べて反射率が低い。構造変調領域（１２）に囲まれた内側の高反射領域の実効的な幅（Ａ）を、ほぼ基本横モード光の幅に等しく設定する。一方、電流狭窄部の非酸化領域の直径（Ｂ）を、これより広めに設定する。このような構成とすることにより、簡単な構造で、工程を著しく増加させることなく、単一モード発振特性の優れた面発光レーザを得ることができる。 （もっと読む）

本発明の面発光レーザは、第１導電型の基板（１０１）と、第１導電型の基板の上に形成された第１導電型の第１のブラッグ反射鏡層（１０２）と、第１のブラッグ反射鏡層の上に形成されかつ発光領域（１１４）を有する活性層（１０４）と、活性層の上に形成されかつ表面から光軸（Ｚ）の方向に光（１１６）を出射する第２導電型の第２のブラッグ反射鏡層（１０７）と、第２のブラッグ反射鏡の表面から光軸の方向に対して交差する方向に光（１１５）を取り出す光散乱体（１１０）とを備える。これにより、面発光レーザから一方向に出射される光の強度を、簡易な構造でモニターできるようになる。 （もっと読む）

本発明は、ｎドープ半導体層領域（３）とｐドープ半導体層領域（４）が相互に連続し、
これらの領域間に第１のｐｎ接合部（５ａ，５ｂ）が形成されている発光型半導体素子に関している。前記第１のｐｎ接合部（５ａ，５ｂ）は、横方向で絶縁区分（６）によって発光区分（７）と保護ダイオード区分（８）に分割されている。保護ダイオード区分（８）の領域においてｐドープ半導体層領域（４）上にはｎドープ層（９）が被着されており、このｎドープ層（９）はｐドープ領域（４）と共に保護ダイオードとして機能する第２のｐｎ接合部（１０）を形成している。この場合第１のｐｎ接合部（５ｂ）は、発光区分（７）の第１のｐｎ接合部（５ａ）よりも大きい面積を有している。保護ダイオード区分（８）は、静電放電（ＥＳＤ）による電圧パルスから発光型半導体素子を保護している。
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本発明は、光学的にポンピングされる面発光型垂直発光領域（２）と、該垂直発光領域（２）を光学的にポンピングするための、少なくとも１つのモノリシック集積ポンピングビーム源（５）とを有する半導体レーザ装置であって、前記垂直発光領域はアクティブにビームを形成する垂直発光層（３）を有し、前記ポンピングビーム源はアクティブなビーム形成ポンプ層（６）を有する形式の半導体レーザ装置に関する。本発明によれば、前記ポンプ層（６）は垂直発光層（３）に垂直方向で後置されており、導電層（１３）が垂直発光層（３）とポンプ層（６）との間に設けられており、コンタクト（９）が半導体レーザ装置の一方の側に取り付けられており、当該一方の側は、導電層（１３）よりもポンプ層（６）に接近しており、導電層（１３）とコンタクト（９）との間では、ポンピングビーム（７）を形成するための電界を電荷担体注入によって励振可能である。
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空洞共振発光素子を製作する方法では、窒化ガリウム種結晶（１４）及び供給源材料（３０）を、多ゾーン炉（５０）内に配設される密封容器（１０）内に配設される窒素含有過熱流体（４４）内に配置する。窒化ガリウム種結晶（１４）上で窒化ガリウム材料を成長させて、単結晶窒化ガリウム基板（１０６、１０６’）が得られる。成長は、窒化ガリウム種結晶（１４）と供給源材料（３０）の間に時間的に変化する熱勾配（１００、１００’、１０２、１０２’）を適用して、この成長の少なくとも一部の間、成長速度を速くすることを含む。単結晶窒化ガリウム基板（１０６、１０６’）上に、第ＩＩＩ族窒化物層のスタック（１１２）を堆積させる。スタック（１１２）は、１以上の空洞共振発光素子（１０８、１５０、１６０、１７０、１８０）が製作されるように適合された第１ミラーサブスタック（１１６）及び活性領域（１２０）を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）のためのフォトニック結晶の欠陥構造に向けられる。
【解決手段】本発明によると、一連の孔（２４）がパターンを形成し、パターンは、フォトニック結晶のパターン内に、欠陥部（２８）を形成する１つ又はそれ以上の不在孔を有し、孔は、単一の横モード動作を保証するように予め規定される深さ、孔直径、及び、孔ピッチを有する。 （もっと読む）