【課題】アルミニウム・ガリウム、砒化物、ガリウム・インジウム・砒素・リン、インジウム・リン（ＡｌＧａＩｎＡｓ／ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ）材料系およびその組み合わせを用いる半導体レーザーダイオードを提供する。
【解決手段】活性層の設計および光学空洞の設計の両方が最適化され、活性領域の温度上昇を最小化することにより、活性層の温度上昇がレーザー効率に及ぼす影響を少なくする。その結果、１．３０〜１．６１マイクロメートル波長の高出力エネルギー半導体レーザーが得られ、エルビウムをドーピングした導波管デバイスのポンピングとして用いることもでき、または軍事、医療、または工業用途に直接使用することもできる。 （もっと読む）

【課題】 窒素と窒素以外のV族元素を含む混晶半導体を活性層とする自励発振型半導体レーザにおいて、安定して自励発振する半導体レーザ等を提供することを目的としている。
【解決手段】 基板上に、窒素と窒素以外のV族元素との混晶半導体で構成された活性層と、前記活性層の上下に設けられたクラッド層を含む導電層からなる自励発振型半導体レーザにおいて、前記活性層とほぼバンドギャップエネルギーが等しく、窒素と窒素以外のV族元素との混晶半導体で構成された可飽和吸収層を備え、前記可飽和吸収層はAlを含んでいる構成とする。 （もっと読む）

【課題】 熱処理工程や通電によってクラッド層から拡散した不純物が活性層中をさらに拡散することを抑制し、高出力かつ高信頼性の半導体レーザを提供する。
【解決手段】 ｎ−ＧａＡｓ基板１０１上にｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２、ｎ−（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐクラッド層１０３（Ｓｉドープ）、活性層１０４（Ｓｉドープ）、第１のｐ−（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐクラッド層１０５（Ｚｎドープ）をこの順に含むダブルへテロ接合構造部が形成されている。活性層１０４は、４層のＧａ_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ井戸層２０２Ａ〜２０２Ｄ（Ｓｉドープ）とその間の３層の（Ａｌ_0.5Ｇａ_0.5）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐバリア層２０３Ａ〜２０３Ｃ（Ｓｉドープ）とそれらをはさむように形成された（Ａｌ_0.5Ｇａ_0.5）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ光ガイド層２０１、２０４（Ｓｉドープ）とで構成されている。 （もっと読む）

【課題】 発振波長１．０μｍ以下の近赤外波長帯半導体レーザ素子において、自由電子吸収の抑制と、それとトレードオフの関係にある温度特性、素子抵抗、発振横モードの安定性を両立させる。
【解決手段】 基板上101に、ｎ型クラッド層103と、ｐ型クラッド層107,109を含む複数のｐ型導電型層ｍ（ｍ＝１、２…ｋ）（ｋは自然数）と、活性層105とを備えた発振波長が１．０μｍ以下の半導体レーザ素子において、基板上の全ての層に存在する光量の総和に対するｐ型導電型層ｍに存在する光量の割合を光閉じ込め係数Γ(ｍ)とし、ｐ型導電型層ｍのドーピング濃度をＰ(ｍ) （ｃｍ^−３）としたとき、Γ(ｍ)とＰ(ｍ)の積の総和


を８．０×１０^１７ｃｍ^−３ 以下とする。 （もっと読む）

【課題】 活性層を構成するＧａＩｎＡｓＰ系材料の非混和性領域による相分離を抑制する。
【解決手段】 （１００）面から＜０１１＞方向へ１２°以上２０°以下の角度傾けた面もしくはこの面と等価な結晶面を主面とするｎ−ＧａＡｓ基板１６を共通基板として、このｎ−ＧａＡｓ基板１６上にｎ−ＧａＡｓ基板１６とそれぞれが格子整合するｎ導電型半導体材料の第１ｎクラッド層１２２とこの第１ｎクラッド層１２２の上に配設されたＧａ_ｘＩｎ_{（１−ｘ）}Ａｓ_ｙＰ_{（１−ｙ）} （１≧ｘ＞０、１≧ｙ＞０）で形成された層を含むＭＱＷ活性層１２４とｎ−ＧａＡｓ基板と格子整合するｐ導電型半導体材料の第１ｐクラッド層１２６とを有する短波長用ＬＤ１２と赤色ＬＤ１４を隣接配置したものである。 （もっと読む）

レーザーダイオードは結晶基板（１）を含み、その上に、一組のｎ型層、一組の光活性層（５）及び一組のｐ型層が順次結晶成長によって積層される。一組のｎ型層は、バッファ層（２）、ボトムｎ型クラッド層（３）及びボトムｎ型導波路層（４）を少なくとも含む。一組のｐ型層は、電子障壁層（ＥＢＬ）を含むアッパーｐ型導波路層（６）、アッパーｐ型クラッド層（７）及びｐ型コンタクト層（８）を少なくとも含む。電子障壁層は、マグネシウムをドープした混合物Ｉｎ_xＡｌ_yＧａ_1-x-yＮ（ただし、１≧ｘ＞０．００１、１≧ｙ≧０）を含む。本発明では、一組のｎ型層（２，３，４）、一組の光活性層（５）及び一組のｐ型層（６，７，８）を順次エピタキシャル積層し、アッパーｐ型導波路層（６）及びアッパーｐ型クラッド層（７）を、インジウムが存在する状態においてプラズマ支援分子線エピタキシー法で積層する。 （もっと読む）