【課題】ＺｎＯ系半導体からなるアクセプタドープ層を含む積層体を形成する場合に、アクセプタ元素の濃度を低下させずに、アクセプタドープ層又はアクセプタドープ層以降の層の平坦性が悪くなるのを抑制することができるＺｎＯ系半導体素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板１上にｎ型Ｍｇ_ＺＺｎＯ層２、アンドープＭｇＺｎＯ層３、ＭＱＷ活性層４、アンドープＭｇ_ＸＺｎＯ層５、アクセプタドープＭｇ_ＹＺｎＯ層６が順に積層されている。アクセプタドープＭｇ_ＹＺｎＯ（０≦Ｙ＜１）層６は、アクセプタ元素を少なくとも１種類含んでおり、この層に接してアンドープＭｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ（０＜Ｘ＜１）層５が形成されている。このため、アクセプタドープ層にアクセプタ元素を十分取り込むことができるとともに、アクセプタドープ層の表面平坦性は良くなる。 （もっと読む）

【課題】ｐ型クラッド層から拡散されるＺｎが活性層中では低濃度になるようにして、活性層の結晶品質の劣化を低減できる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板２上に第1のｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４と、活性層６と、Ｚｎをドープした第１のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層７と、ｐ型エッチング停止層８とが順次積層され、、このｐ型エッチング停止層８上には、Ｚｎをドープした第２のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層９とｐ型ＡｌＧａＩｎＰキャップ層１０とからなるリッジ部１１が形成され、更にｐ型エッチング停止層８上には、リッジ部１１を挟持する一対のｎ型ＡｌＧａＩｎＰ電流狭窄層１２が形成されており、第１のｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４と活性層６との間に、第１のｎ型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層４よりも低濃度の第２のｎ導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層５を設けた。 （もっと読む）

【課題】ＣＷ光出力２００ｍＷ以上の集積型二波長半導体レーザを安定して実現する。
【解決手段】二波長半導体レーザ装置は、第１導電型の第１クラッド層、ＡｌＧａＡｓ混晶からなる第１ガイド層、ＡｌＧａＡｓ混晶からなるバリア層を有する第１量子井戸活性層、ＡｌＧａＡｓ混晶からなる第２ガイド層、及び第２導電型の第２クラッド層を備えた第１の半導体レーザ素子と、第１導電型の第３クラッド層、ＡｌＧａＩｎＰ混晶からなる第３ガイド層、ＡｌＧａＩｎＰ混晶からなるバリア層を有する第２量子井戸活性層、ＡｌＧａＩｎＰ混晶からなる第４ガイド層、及び第２導電型の第４クラッド層を備えた第２の半導体レーザ素子とを備える。少なくとも第１量子井戸活性層を構成するバリア層、第１ガイド層及び第２ガイド層の各々のＡｌ組成は、０．４７よりも大きく且つ０．６０以下である。 （もっと読む）

【課題】広帯域にわたり低閾値電流密度で動作する量子カスケードレーザを提供すること。
【解決手段】量子カスケードレーザ１００は、図１（Ａ）に示すように、ＩｎＡｓ基板１０１と、ＩｎＡｓ基板１０１上のＳｉ−ＩｎＡｓクラッド層１０２と、Ｓｉ−ＩｎＡｓクラッド層１０２上のＳｉ−ＩｎＡｓコア層１０３と、Ｓｉ−ＩｎＡｓコア層１０３上の活性領域１１０と、活性領域１１０上のＳｉ−ＩｎＡｓコア層１０４と、Ｓｉ−ＩｎＡｓコア層１０４上のＳｉ−ＩｎＡｓコア層１０５とを備える。活性領域１１０は、図１（Ｂ）に示す井戸層と障壁層とが交互に積層された多重量子井戸構造が周期的に繰り返されたものであり、井戸層１１１としてＩｎＡｓ_1-xＳｂ_x（０≦ｘ＜１）を、障壁層１１２としてＡｌＡｓ_yＳｂ_1-y（０≦ｙ＜１）を用いている。井戸層１１１および障壁層１１２の組成は、活性領域１１０における歪みが低減されるように選択している。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体を使って、発光効率が高く、スペクトル線幅の狭い青色乃至紫色発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオードは下側クラッド層と、前記下側クラッド層上に形成された窒化物半導体よりなる発光層と、前記発光層上に形成された上側クラッド層と、前記下側クラッド層に接触した下側オーミック電極と、前記上側クラッド層に接触し、光学窓を形成された上側オーミック電極と、を含み、前記下側クラッド層と前記発光層と前記上側クラッド層とは、マイクロキャビティを形成している。 （もっと読む）

【課題】半導体材料、特に、良好な電気伝導率および大きな禁制帯幅を有するドープド半導体材料において、原子の秩序化の結果生じる禁制帯幅の減少のような所望しない効果を排除することができるものを得る。
【解決手段】半導体材料中で自由電荷キャリアを提供する第１のドーパント、例えばシリコンと、該半導体材料中で原子の無秩序化を促進する第２のドーパント、例えばスズあるいはテルルとを含む半導体材料であって、該第２のドーパント濃度が該半導体材料の全体に亘って実質的に均一である。 （もっと読む）

【課題】 InGaAlAsを活性層とするＤＦＢレーザにおいて素子抵抗が高いため特に高温におけるレーザ特性の劣化が課題である。
【解決手段】 n型InP基板101に形成されたInGaAlAs-MQW層104上に、p型InGaAlAs-GRIN-SCH層105、ｐ型InAlAs電子ストップ層106、ｐ型回折格子層107を順次積層し、回折格子形成後に、ｐ型InPクラッド108、ｐ型InGaAsコンタクト層を順次再成長し、リッジ型レーザを作製する。107の回折格子の凹凸の深さは107の厚さより小さくする。 （もっと読む）

【課題】埋め込み型半導体レーザにおいて、高温、高光出力条件下で連続通電した場合における発振しきい値電流の上昇や外部微分量子効率の低下を防いで、信頼性を向上させる。
【解決手段】光半導体装置は、ｎ型クラッド層１１、活性層１２及びｐ型クラッド層１３ａ、１３ｂからなる光導波路構造と、ｐ型ブロック層１５及びｎ型ブロック層１６からなる電流狭窄構造と、を備え、ｐ型クラッド層１３ａ、１３ｂに含まれる水素濃度がｐ型ブロック層１５に含まれる水素濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】エピダウン実装の場合に半導体レーザ素子のキャパシタの電気容量を低減すること。
【解決手段】半絶縁性ＩｎＰ埋め込み領域１６及び半絶縁性ＩｎＰ埋め込み領域１８ａと、半導体領域５とは、ＩｎＰクラッド層２２からＩｎＰ領域３ａに延びており、半導体領域５は、半絶縁性ＩｎＰ埋め込み領域１６及び半絶縁性ＩｎＰ埋め込み領域１８ａに挟まれており、半導体領域５の複数の層は、第２の表面２２ｂの法線方向に堆積されており、ＩｎＰクラッド層２２、ＩｎＰ領域３ａ及びＩｎＰ領域３ｂ、ＩｎＰクラッド層２０は同じ導電型を有している。 （もっと読む）

【課題】レーザ共振器端面近傍に不純物拡散により窓構造を形成する際に、活性層に不純物が蓄積されることを抑制し、ＣＯＤレベルが高く、発光効率が高い半導体レーザを提供する。
【解決手段】ＣＯＤレベルが高く、発光効率が高い半導体レーザにおいて、活性層５の基板側に隣接するクラッド層４に、拡散不純物Ｚｎをドーピングさせておくことによって、拡散不純物がドーピングされた部分で、拡散不純物の拡散係数が大きくなり、活性層５への不純物蓄積が抑制される。 （もっと読む）

【課題】III-V族窒化物半導体上に作製したダイオードやHEMT等の窒化物半導体装置において、ショットキー電極からのリーク電流の発生を抑止する。それにより、動作電圧が低く信頼性の高い高性能な窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第１のｐ型クラッド層と第２のｐ型クラッドの少なくとも２層以上の多層ｐ型クラッド層を有し、第２のｐ型クラッド層は、第１のｐ型クラッド層よりも高濃度にｐ型不純物を含有し、かつ厚さが2〜20nmの範囲であり、少なくともAl_XGa_1−XN（0＜X≦0.2）層を含んでなるｐ型不純物が添加された第１のｐ型クラッド層に対して、Al組成比がX≦Yの関係を有するAl_YGa_1−YNからなり、ｐ型オーミック電極は、少なくとも第２のｐ型クラッド層上に接して形成される。 （もっと読む）

【課題】活性層における転位密度を抑制しつつ、十分な素子寿命を確保し、かつキャリアのオーバーフローを抑制して高い発光効率を確保可能な半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ１は、ｐ型基板１１と、ｐ型基板１１上に形成された導電型がｐ型である第１クラッド層としてのｐ型クラッド層１３と、ｐ型クラッド層１３上に形成された活性層１４と、活性層１４に接触し、活性層１４上に形成された導電型がｎ型である第２クラッド層としてのｎ型クラッド層１５とを備えている。そして、ｐ型クラッド層１３と活性層１４とはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなっており、ｎ型クラッド層１５はＩＩ−ＶＩ族化合物半導体からなっている。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体レーザ素子のｐ型層における不純物濃度を制御して半導体素子の駆動電圧を低減し、高い信頼性の窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体からなる第１の層と、ｐ型窒化物半導体からなる第２の層と、第１の層と第２の層の間に発光層を備える窒化物半導体レーザ素子であって、発光層は、ＡｌＧａＩｎＮからなる井戸層と、ＡｌＧａＮからなる障壁層とで構成される量子井戸構造を有し、第２の層は、ｐ型不純物濃度が第２の層の中で変化していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気的な特性が改善された半導体チップを提供する。
【解決手段】クラッド層およびコンタクト層を包含するｐドープされた領域を有し、クラッド層とコンタクト層との間には第１の中間層および第２の中間層が配置されており、第１の中間層および第２の中間層における第１の材料成分の濃度ｙは、第１の中間層および第２の中間層におけるバンドギャップがクラッド層のバンドギャップとコンタクト層のバンドギャップとの間に位置する領域において変わるように変化している。 （もっと読む）

【課題】発光素子は、高出力で高速応答性、高信頼性の発光素子が求められている。特に装置産業においては過酷な環境下でも長時間の使用に耐えうることは重要であり、通電後の使用においてその特性の変動が極めて少ないことが望まれている。多重量子井戸活性層と電流狭窄構造を有する垂直共振器型発光素子において、良好な初期特性と共に高い信頼性を提供する。
【解決手段】多重量子井戸構造と電流狭窄構造を用いた垂直共振器型発光素子において、量子井戸活性層をノンドープとし、キャリア濃度について、ｐ側を１Ｅ１８ｃｍ^−３以上、２Ｅ１８ｃｍ^−３以下、かつ、ｎ側を５Ｅ１７ｃｍ^−３以下にする。 （もっと読む）

【課題】ｎ型クラッド層を一部無秩序化してバンドギャップ、ひいては屈折率の変動を抑制し、安定した拡がり角が得られる半導体レーザを実現する。
【解決手段】基板１０１上に、ｎ型クラッド層１０２，１０３と活性層１０４とｐ型クラッド層１０５とを設け、ｎ型クラッド層１０２，１０３における第一ｎ型クラッド層１０２にドーパントとしてＳｉとＺｎとを含ませ、かつ第一ｎ型クラッド層１０２の厚さを０．１μｍ以上とし、かつ活性層１０４の中心から第一ｎ型クラッド層１０２までの最短距離を０．５μｍ以下とし、かつ基板１０１の基板傾斜角度を０°〜１５°とする。 （もっと読む）

【課題】ｐ型クラッド層のキャリア濃度を高めると共に、発光の効率を向上させることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】活性層１４が、価電子帯の上端がｐ型クラッド層１３よりも高いＡ層と、ｐ型クラッド層１３と同等の元素構成を有する混晶よりなるＢ層とのタイプＩＩ超格子構造を有している。活性層１４の実効的なＶＢＭ１４１が、ｐ型クラッド層１３を構成するＢｅ_0.3 Ｚｎ_0.7 Ｓｅ_0.2 Ｔｅ_0.8 混晶のＶＢＭ１３１よりも高いエネルギー準位に形成され、活性層１４とｐ型クラッド層１３との接合がタイプＩ構造になっている。よって、発光の効率が高くなる。ｐ型クラッド層１３がＶＩ族元素としてテルル（Ｔｅ）を含むので、ｐ型クラッド層１３のキャリア濃度が高くなっており、電気伝導性が向上する。 （もっと読む）

【課題】広い温度範囲および様々な通信速度において低消費電力で安定して動作する半導体レーザ素子ならびにそれを用いた発光モジュール、光伝送モジュールおよび電子機器を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、バッファ層、下クラッド層、活性層、第１の上クラッド層、第２の上クラッド層、およびキャップ層、を含み、バッファ層のエネルギバンドギャップの大きさは、半導体基板のうちバッファ層に最も近接している領域と下クラッド層のうちバッファ層に最も近接している領域との間にあり、第２の上クラッド層のうちキャップ層に最も近接している領域のキャリア濃度およびキャップ層のうち第２の上クラッド層に最も近接している領域のキャリア濃度がそれぞれ第２の上クラッド層の他の少なくとも一部の領域よりも高い半導体レーザ素子、それを用いた発光モジュール、光伝送モジュールおよび電子機器である。 （もっと読む）

【課題】活性層の結晶性の悪化を抑制することができ、大電流密度で発光効率の高い半導体発光素子および窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層と、活性層と、を含み、ｎ型半導体層と活性層との間に第１のｐ型半導体層を備え、活性層から見て第１のｐ型半導体層がある側とは反対側に第２のｐ型半導体層を備えた半導体発光素子である。また、ｎ型窒化物半導体層と窒化物半導体活性層とを含み、ｎ型窒化物半導体層と窒化物半導体活性層との間に第１のｐ型窒化物半導体層を備え、窒化物半導体活性層から見て第１のｐ型窒化物半導体層がある側とは反対側に第２のｐ型窒化物半導体層を備えた窒化物半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】不純物の不要な拡散を抑制しながら抵抗を低減することができる半導体光デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型クラッド層６には、ｐ型のドーパントであるＺｎだけでなく、Ｆｅもドーピングされている。Ｚｎ濃度は１．５×１０¹⁸ｃｍ^-3であり、Ｆｅ濃度は１．８×１０¹⁷ｃｍ^-3である。半絶縁性の埋め込み層１０には、深いアクセプタ準位を形成する不純物としてＦｅが添加されており、その濃度は、６．０×１０¹⁶ｃｍ^-3である。従って、ｐ型クラッド層６中のＦｅ濃度は、埋め込み層１０中のＦｅ濃度の３倍である。 （もっと読む）