【課題】高出力・高温動作時の消費電力を抑制し、信頼性の高い二波長レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、共に基板１０１上に形成された第１の半導体レーザ素子１０２と、第１の半導体レーザ素子１０２と発振波長が異なり、第２の半導体レーザ素子１０３とを備える。第１の半導体レーザ素子１０２及び第２の半導体レーザ素子１０３の共振器長は１５００μｍ以上であり、第１の半導体レーザ素子１０２及び第２の半導体レーザ素子１０３は、それぞれＩｎ_ｙ（Ｇａ_１−ｘ１Ａｌ_ｘ１）_１−ｙＰ （０＜ｘ１＜１、０＜ｙ＜１）からなるｎ型クラッド層と、Ｉｎ_ｙ（Ｇａ_１−ｘ２Ａｌ_ｘ２）_１−ｙＰ （０＜ｘ２＜１、０＜ｙ＜１）からなるｐ型クラッド層とを有している。活性層３０３は、Ａｌ_ｚＧａ_１−ｚＡｓ（０≦ｚ＜１）からなり、１層のみの井戸層を含む。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗及び光損失の低減を高いレベルで実現できる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１Ａは、ｎ型半導体基板３、活性層１２、回折格子層１５、及びｎ型クラッド層１８を備える。回折格子層１５は、出力波長に応じた周期で光導波方向に配列された複数の領域１５ａと、複数の領域１５ａの間に設けられ不純物濃度が複数の領域１５ａより低い領域１５ｂとを有する。複数の領域１５ａのそれぞれは、活性層１２上に設けられたｐ型半導体層１６と、ｐ型半導体層１６上に設けられたｎ型半導体層１７とを含み、ｐ型半導体層１６及びｎ型半導体層１７が互いにトンネル接合を構成する。 （もっと読む）

【課題】蓄積された製造技術やノウハウを活かしつつ、ｐ型不純物の拡散を抑えた発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、ｎ型クラッド層３、活性層５、ｐ型クラッド層７及びｐ型ＧａＡｓキャップ層８を有する発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、ｐ型クラッド層７は、ｐ型不純物としてＣをドーピングしたＣドープ層７ａと、ＭｇをドーピングしたＭｇドープ層７ｂとを有し、かつｐ型クラッド層７は、Ｃドープ層７ａが活性層５に近い側に形成され、ｐ型ＧａＡｓキャップ層８のｐ型不純物はＺｎであり、活性層５中のＣ原子濃度、Ｍｇ原子濃度、Ｚｎ原子濃度は、それぞれ５．０×１０¹⁵ｃｍ^-3以下、１．０×１０¹⁶ｃｍ^-3以上１．６×１０¹⁶ｃｍ^-3以下、１．１×１０¹⁶ｃｍ^-3以上５．０×１０¹⁸ｃｍ^-3以下であるものである。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型半導体層の数を減らした窒化物系半導体レーザ構造体の提供。
【解決手段】 ｐ型半導体層２１６とｎ型半導体層２１８との間のｐ−ｎトンネル接合２２０は、エッジ発光型窒化物系半導体レーザ構造２００のための電流注入を提供する。このｐ−ｎトンネル接合２２０により、窒化物系半導体レーザ構造２００におけるｐ型半導体層の数が減り、それによって分散損失が低減され、閾値電流密度が低下し、全体的な直列抵抗が低下すると共に、より高い成長温度が可能となることによってレーザの構造的な品質が向上する。 （もっと読む）

【課題】蓄積された製造技術やノウハウを活かしつつ、ｐ型不純物の拡散を抑えた発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、少なくともＡｌＧａＩｎＰ系材料からなるｎ型クラッド層３、活性層５、ｐ型クラッド層７およびｐ型ＧａＡｓキャップ層８を順次積層したダブルヘテロ構造を有する発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、ｐ型クラッド層７中のｐ型不純物が炭素とマグネシウムであり、ｐ型ＧａＡｓキャップ層８中のｐ型不純物が炭素と亜鉛であるものである。 （もっと読む）

【課題】高いＰＬ発光強度を安定して得ることが可能な窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体発光素子の製造方法では、ガス供給管２１およびリアクタ２２にＭｇが残留している状態下において、ガス供給管２１をベーキングして真空置換する工程、リアクタ２２をベーキングして真空置換する工程、および、リアクタ２２の内壁上にコート膜３１を形成する工程の全てを行うことによって、活性層４のエピタキシャル成長時に、活性層４にドープされてしまうＭｇの濃度を制御する。 （もっと読む）

【課題】高出力の半導体光増幅素子を提供すること。
【解決手段】半導体からなる受動コア領域と、前記受動コア領域の両側に位置し、前記受動コア領域よりも屈折率が低い半導体活性層からなる能動クラッド領域と、を有する光増幅導波層を備え、前記光増幅導波層において光を増幅しながら導波する。好ましくは、前記光増幅導波層は、化合物半導体からなり、化合物半導体からなる基板上に、バットジョイント成長方法を用いて前記受動コア領域と前記能動クラッド領域とをモノリシックに集積して形成したものである。 （もっと読む）

【課題】二波長半導体レーザ装置に含まれる２つのレーザ部間相互の電気的特性の相違を緩和させる。
【解決手段】二波長半導体レーザ装置において、同一基板上において第１発光波長を有する第１レーザ部と第２発光波長を有する第２レーザ部とが形成されており、第１と第２のレーザ部の各々は基板側から第１導電型クラッド層、活性層、および第２導電型クラッド層をこの順で含み、第１と第２のレーザ部に含まれる活性層は互いに異なるバンドギャップを有し、第１と第２のレーザ部における活性層と第２導電型クラッド層とのバンドギャップの差がそれぞれＥｇ１とＥｇ２であってＥｇ１＞Ｅｇ２の関係にあり、そして第１レーザ部の第２導電型クラッド層は第２レーザ部の第２導電型クラッド層に比べて大きな導電率を有している。 （もっと読む）

【課題】出射光の偏向の応答速度が速い半導体光素子と、該半導体光素子を備え、波長掃引時のモードホップをリアルタイムに抑制することができる波長掃引光源を提供する。
【解決手段】ｎ型半導体基板２１と、ｎ型半導体基板２１上に形成され、光を発し該光を伝搬させる活性層２４を有する発光領域２２と、発光領域２２の活性層２４と光学的に結合され、活性層２４から伝搬された光を伝搬させる導波路層２６を有し、注入される屈折率調整領域注入電流Ｉ_rに応じて導波路層２６の等価屈折率を調整する屈折率調整領域２３と、を備え、屈折率調整領域２３側の出射端面２０ａと導波路層２６の光軸との交差角θ₁が非直角であり、屈折率調整領域注入電流Ｉ_rにより導波路層２６の等価屈折率ｎ₁が調整されることにより、出射端面２０ａから出射された光の出射端面２０ａに対する出射角θ₂が変化される。 （もっと読む）

【課題】測定雰囲気中に含まれる複数の検知対象ガスを検知することができるガス検知装置を提供する。
【解決手段】検知対象ガスを識別するための吸収線の線幅をまたぐように所定の波長幅で波長変調されたレーザ光を出射する半導体発光素子１０と、波長変調されたレーザ光を、検知対象ガスの吸収線を含む波長範囲に亘って波長変調の変調速度より遅い掃引速度で波長掃引する掃引手段１１、１２、１３とを有し、波長掃引されたレーザ光を検知対象ガスを含む測定雰囲気２中に出射する波長掃引光源１と、波長掃引光源１からのレーザ光の出射に伴って測定雰囲気２を通過するレーザ光を受光する受光部３と、受光部３からの電気信号を用いて測定雰囲気２中の検知対象ガスの濃度を測定して当該測定データを出力するガス検知部５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】活性層(量子井戸層)へ光の出射部となる窓構造を形成するための不純物の拡散条件のコントロールを容易にすることができる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子では、赤外レーザ活性層１２上に形成されたｐ‐ＩｎＧａＰクラッド層１３は、拡散のし易さが異なる２つの異なる元素ＭｇとＺｎを混合したドーパントが添加されている。したがって、この２つの元素ＭｇとＺｎの混合比を調整することで、赤外レーザ活性層(量子井戸層)１２への不純物の拡散条件をコントロールすることができる。 （もっと読む）

タイプＩＩバンド間カスケード利得媒質であって、厚みがあるＩｎ豊富なＧａＩｎＳｂ正孔井戸と、２またはそれ以上のＧａＳｂ正孔井戸とを有し、電子および正孔インジェクタは厚いＡｌＳｂバリアによって分離され、前記電子インジェクタ内の前記第１のＩｎＡｓ電子井戸の厚さと、前記電子インジェクタの合計の厚さと、カスケード化された段数は減少され、遷移領域は前記利得媒質の様々な領域間のインターフェイスに挿入され、Ｇａ（ＩｎＡｌＡｓ）Ｓｂを有する厚い分離閉じ込め層が前記活性利得領域とクラッドの間に配置され、前記クラッド層のドーピングプロファイルは光モードと最もドープされた前記ＩｎＡｓ／ＡｌＳｂ ＳＬクラッド層との重なりを最小化するよう最適化される、バンド間カスケード利得媒質。
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【課題】結晶欠陥の発生を防止し、特性が劣化しない範囲で、ＴＭモード発振が行えるようにした半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２、ｎ型ＡｌＧａＡｓビーム拡散層３、ｎ型ＡｌＧａＡｓ光ガイド層４、ＭＱＷ活性層５、ｐ型ＡｌＧａＡｓ光ガイド層６、ｐ型ＡｌＧａＡｓビーム拡散層７、ｐ型ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層８、ＩｎＧａＰエッチングストップ層９、ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層１０、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１が形成されている。ＭＱＷ活性層５は、バリア層と引っ張り歪を持つ井戸層で構成された多重量子井戸構造を有しており、井戸層の各膜厚がバリア層の各膜厚よりも大きく、井戸層のうち、少なくとも１層の膜厚が他の井戸層とは異なるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】最大位相調整量を拡大した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】電流注入を受けて光を発しその光を活性層に沿って伝搬させる発光領域と、その発光領域からの光を導波させる導波路層の屈折率が注入電流に応じて変化する位相調整領域とを有する半導体発光素子において、特性Ｆのように位相調整領域の導波路層に接する第２ｐ型クラッド層の厚さ方向のドーピング濃度が、導波路層の上端から所定範囲、特に２５〜１５０ｎｍの範囲内で極大値をもつように形成することで、位相調整領域における注入キャリアのオーバーフローの抑制効果が高くなり、屈折率変化に寄与しない無駄な電流を流す必要がなくなり、その結果素子全体としての高効率化が実現できることがわかった。 （もっと読む）

【課題】ｎ型クラッド層に要求される特性を有するｎ型クラッド層またはｐ型クラッド層に要求される特性を有するｐ型クラッド層を備えた半導体素子を提供する。
【解決手段】ｎ型第１クラッド層１２Ａにおいて、ｎ型キャリア密度をｎ型第２クラッド層１２Ｂよりも高くし、かつ層厚をｎ型第２クラッド層１２Ｂよりも厚くすることにより、ｎ型クラッド層１２全体のキャリア伝導性を確保する。ｎ型第２クラッド層１２Ｂにおいて、伝導帯サブレベル下端を活性層１４よりも高くすることにより、キャリア閉じ込めに十分な電子障壁を確保し、さらにタイプＩＩ発光を抑制する。 （もっと読む）

【課題】ｎ型クラッド層およびｐ型クラッド層が共に主として同種の混晶からなり、かつ低抵抗化可能であって活性層とタイプＩ接合し得る半導体素子を提供する。
【解決手段】ｎ型クラッド層１２およびｐ型クラッド層１６が共に、主としてＭｇ_ｘ１Ｚｎ_ｘ２Ｃｄ_{１−ｘ１−ｘ２}Ｓｅ混晶層（第１半導体層１２Ａ，１６Ａ）と、主としてＭｇ_ｘ３Ｂｅ_ｘ４Ｚｎ_{１−ｘ３−ｘ４}Ｓｅ_ｘ５Ｔｅ_１−ｘ５混晶層（第２半導体層１２Ｂ，１６Ｂ）を交互に含む超格子構造となっている。ｎ型クラッド層１２は、第１半導体層１２Ａおよび第２半導体層１２Ｂのうち少なくとも第１半導体層１２Ａにｎ型不純物を含んでいる。ｐ型クラッド層１６は、第１半導体層１６Ａおよび第２半導体層１６Ｂのうち少なくとも第２半導体層１６Ｂにｐ型不純物を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】従来のｐ型III族窒化物半導体超格子からなるｐ型半導体よりも低抵抗のｐ型特性を示す所望の屈折率とバンドギャップを有するｐ型III族窒化物半導体を提供する。
【解決手段】このｐ型III族窒化物半導体は、サファイア基板２０上に低温ＧａＮバッファー層２１，ＧａＮ層２２が順次積層された積層構造上にエピタキシャル成長された、Ｉｎ_0.04Ａｌ_0.2Ｇａ_0.76Ｎ層とｐ型Ｉｎ_0.1Ａｌ_0.04Ｇａ_0.86Ｎ層との超格子構造からなるｐ型III族窒化物半導体２３である。 （もっと読む）

【課題】より低出力で駆動でき、かつ発光効率のより高く、しかも４４０〜５５０ｎｍ程度の長波長の光を発光する窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板上に、少なくとも、第一ｎ型窒化物半導体層、ｐ型窒化物半導体層、活性層および第二ｎ型窒化物半導体層を上記基板側からこの順に含むことを特徴とする窒化物半導体レーザ素子であって、上記基板または上記第一ｎ型窒化物半導体層は、第一電極と接し、上記第二ｎ型窒化物半導体層は、第二電極と接し、上記第一電極は、アノード電極であり、上記第二電極は、カソード電極である窒化物半導体レーザ素子である。また、第二ｎ型窒化物半導体層に対し上記活性層とは反対側に、導電性酸化物層を備えることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】格子欠陥の発生とリーク電流の発生を防止し、発光効率の飽和が抑制され、安定した基本横モード発振を行うことが可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】第１の半導体レーザ２と第２の半導体レーザ３とを備え、第１の半導体レーザは、第一クラッド層１２と、第一拡散防止層１３と、第二クラッド層１４と、禁制帯幅がＥ１の第一量子井戸活性層１５とが順に積層されて構成され、第２の半導体レーザは、第四クラッド層２２と、第二拡散防止層２３と、第五クラッド層２４と、禁制帯幅がＥ２の第二量子井戸活性層２５とが順に積層されて構成されている。窓領域における第一拡散防止層と第二クラッド層との間に立ち上がり電圧がＶ１のｐｎ接合が形成され、窓領域における第二拡散防止層と第五クラッド層との間に立ち上がり電圧がＶ２のｐｎ接合が形成され、Ｅ１とＶ１とがＥ１＜ｅ×Ｖ１を満たし、Ｅ２とＶ２とがＥ２＜ｅ×Ｖ２を満たす。 （もっと読む）

【課題】結晶性が良く、抵抗率が十分に低いｐ型窒化物半導体層を有する窒化物半導体積層構造を提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板１１（基板）上に、ＩＩＩ族原料として有機金属化合物、ｐ型不純物原料、及びＶ族原料としてＮＨ_３を用いてｐ型Ａｌ_０．０７Ｇａ_０．９３Ｎ層１２（第１のｐ型窒化物半導体層）を形成する。次に、ｐ型Ａｌ_０．０７Ｇａ_０．９３Ｎ層１２上に、ＩＩＩ族原料として有機金属化合物、ｐ型不純物原料、及びＶ族原料としてＮＨ_３とヒドラジン誘導体を用いてｐ型ＧａＮ層１３（第２のｐ型窒化物半導体層）を形成する。 （もっと読む）