【課題】半導体レーザ（ストライプ状の活性層）が高密度に配置された半導体レーザを提供すること。
【解決手段】互いに離間してストライプ状に設けられた、複数の活性層１０と、活性層１０のそれぞれに対応して、活性層１０の上側に設けられた複数の電極１２と、半導体からなり、活性層１０の間の領域にそれぞれに設けられ、電極１２よりも高い位置にその上面が位置する支持部４０と、複数の電極１２のうち１つと電気的に接続されるとともに、複数の支持部４０によって支えられて、当該複数の支持部４０の間に位置する電極１２と離間した構造を備える配線１６と、を備えることを特徴とする半導体レーザ。 （もっと読む）

【課題】活性層にダメージを与えることなく、動作電圧を低下させることを可能にする。
【解決手段】｛０００１｝面から＜１−１００＞方向への第１傾斜角度が０°以上４５°以下であってかつ＜１１−２０＞方向への第２傾斜角度が０°以上１０°以下であり、第１および第２傾斜角度の少なくとも一方が０°ではない基板上に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなるｎ型層を形成する工程と、ｎ型層上に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなる活性層を形成する工程と、活性層上に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなるｐ型第１層を形成する工程と、ｐ型第１層上に、少なくともＡｌを含むＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体を備え、上面が凹凸形状を有する凹凸層を形成する工程と、凹凸層上に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなるｐ型コンタクト層を形成する工程と、を備え、凹凸層は、ｐ型不純物濃度がｐ型コンタクト層のｐ型不純物濃度より低いこと特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極下に低誘電率の有機材料が挿入された構造であるにも関わらず、外力に対する破壊強度の低下を抑制して製造歩留まりを高めることができる半導体レーザを提供することにある。
【解決手段】光を出力する半導体レーザ部１０ａと、半導体レーザ部１０ａの出力側に設けられ、前記光を変調する光変調部１０ｂとからなる素子本体１０を、同一基板上に備え、光変調部１０ｂは、前記光が導波する光導波層と、前記光導波層に隣接して設けられ、低誘電率の有機材料から成る埋め込み層１２，１３と、埋め込み層１２，１３の表面に設けられた第一の絶縁膜１４と、第一の絶縁膜１４の上に設けられ、前記光導波層へ電気信号を給電する上部電極１６とを具備する半導体レーザであって、第一の絶縁膜１４の上面および上部電極１６の上面に第二の絶縁膜１７を設けた。 （もっと読む）

【課題】半導体発光デバイスが破損されることなくエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）を観察できるエレクトロルミネッセンスの観察方法を提供する。
【解決手段】半導体発光デバイス１の第２の電極３２の一部及び基板１０の一部を研磨して、半導体発光デバイス１に研磨面１１を形成する。研磨面１１を形成した後に、第１の電極３１が接触面４０ａに接するように、半導体発光デバイス１ａを支持体４０の上に載置する。プローブ４３を第２の電極３２ａに押し付け、プローブ４３と変形した支持体４０とにより半導体発光デバイス１ａを挟んで、半導体発光デバイス１ａを保持する。第１の電極３１と第２の電極３２との間の印加電流に応答するエレクトロルミネッセンスを半導体発光デバイス１ａに発生させる。研磨面１１を介して該エレクトロルミネッセンスを観察する。 （もっと読む）

【課題】高い歩留まりで製造することができる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 基板１０１、下部半導体ＤＢＲ１０３、共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９などを有している。メサの上面における辺縁部は、最外周部に向かって厚さが小さくなるテーパ面を有する誘電体層１１１ａで被覆され、該テーパ面の基板面に対するテーパ角δは、メサにおける側面の基板面に対する傾斜角θよりも小さい。この場合は、カバレージ良く配線を形成することが可能となり、製造歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】放熱性を向上させた半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】レーザチップ１１の基板１の裏面に溝１０を設け、基板１の裏面に形成される裏面電極１２の一部を溝１０の内部に配置することにより、裏面電極１２と発光部７との距離が短くなると共に、裏面電極１２の表面積が大きくなる。これにより、発光部７から発生した熱の一部を裏面電極１２を通じて外部に逃がすことができるので、レーザチップ１１の放熱性が向上する。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧が低い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ形半導体層と、電極と、ｐ形半導体層と、発光層と、を備えた半導体発光素子が提供される。ｐ形半導体層は、ｎ形半導体層と電極との間に設けられる。ｐ形半導体層は、電極に接するｐ側コンタクト層を含む。発光層は、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられる。ｐ形半導体層は、ｐ側コンタクト層と発光層との間に設けられ、ｐ形不純物濃度がｐ形コンタクト層のｐ形不純物濃度よりも低いｐ形層を含む。ｐ側コンタクト層は、ｎ形半導体層からｐ形半導体層に向かう第１方向に突出した複数の突起部を含む。複数の突起部の第１方向に対して垂直な平面内における密度は、５×１０^７個／ｃｍ^２以上、２×１０^８個／ｃｍ^２以下である。複数の突起部に含まれるＭｇの濃度は、突起部以外の部分に含まれるＭｇの濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】より強いモード安定性及び低閾値電流動作を有するレーザダイオードの提供。
【解決手段】インデックスガイド型埋め込みヘテロ構造窒化物レーザダイオード構造１００は、第１、第２及び第３の面を有し、クラッド構造１２１及びクラッド層１２５並びに前記クラッド構造１２１と前記クラッド層１２５との間に配置された多重量子井戸構造１４５を有するリッジ構造１１１と、前記リッジ構造１１１の前記第１、第２及び第３の面の上に存在し、電気的接触のために前記リッジ構造１１１の前記第３の面への開口を有する埋め込み層１５５とを有する。 （もっと読む）

【課題】よりいっそうの低消費電力化が可能な面発光レーザ、光源、及び光モジュールを提供すること。
【解決手段】電流狭窄層を挟むように形成され、第２導電型コンタクト層側に配置された第１組成傾斜層および活性層側に配置された第２組成傾斜層を備え、第１組成傾斜層および第２組成傾斜層は、積層方向において電流狭窄層からそれぞれ反対側の隣接する層に近づくにつれてそのバンドギャップエネルギーが単調減少し、隣接する層のバンドギャップエネルギーに近づくように構成され、第２導電型クラッド層はキャリアの移動度を低下させる材料を含み、第２組成傾斜層のキャリア濃度が、電流狭窄層の電流注入部のキャリア濃度以上である。 （もっと読む）

【課題】リッジ下部の幅のばらつきを抑制することができるリッジ型半導体光素子の製造方法を得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、活性層１２、ｐ型ＩｎＰ層１４、ｐ型ＩｎＰ層１６を順に形成する。次に、ｐ型ＩｎＰ層１６をドライエッチングしてリッジ下部２０を形成する。次に、リッジ下部２０の周りをＩｎＧａＡｓＰ層２２によりリッジ下部２０の上面を覆わない高さまで埋め込む。次に、リッジ下部２０及びＩｎＧａＡｓＰ層２２上にｐ型ＩｎＰ層２４を形成する。次に、ｐ型ＩｎＰ層２４をドライエッチングしてリッジ下部２０上にリッジ上部２８を形成する。ここで、リッジ上部２８の上面の幅がリッジ下部２０の幅よりも広くなるようにする。次に、ＩｎＧａＡｓＰ層２２をｐ型ＩｎＰ層１４、リッジ下部２０及びリッジ上部２８に対して選択的に除去する。 （もっと読む）

【課題】III-Ｖ族窒化物半導体に設けるオーミック電極のコンタクト抵抗を低減しながらデバイスの特性を向上できるようにする。
【解決手段】半導体装置（ＨＦＥＴ）は、ＳｉＣ基板１１上にバッファ層１２を介在させて形成された第１の窒化物半導体層１３と、該第１の窒化物半導体層１３の上に形成され、該第１の窒化物半導体層１３の上部に２次元電子ガス層を生成する第２の窒化物半導体層１４と、該第２の窒化物半導体層１４の上に選択的に形成されたオーム性を持つ電極１６、１７とを有している。第２の窒化物半導体層１４は、底面又は壁面が基板面に対して傾斜した傾斜部を持つ断面凹状のコンタクト部１４ａを有し、オーム性を持つ電極１６、１７はコンタクト部１４ａに形成されている。 （もっと読む）

【課題】III-Ｖ族窒化物半導体に設けるオーミック電極のコンタクト抵抗を低減しながらデバイスの特性を向上できるようにする。
【解決手段】半導体装置（ＨＦＥＴ）は、ＳｉＣ基板１１上にバッファ層１２を介在させて形成された第１の窒化物半導体層１３と、該第１の窒化物半導体層１３の上に形成され、該第１の窒化物半導体層１３の上部に２次元電子ガス層を生成する第２の窒化物半導体層１４と、該第２の窒化物半導体層１４の上に選択的に形成されたオーム性を持つ電極１６、１７とを有している。第２の窒化物半導体層１４は、底面又は壁面が基板面に対して傾斜した傾斜部を持つ断面凹状のコンタクト部１４ａを有し、オーム性を持つ電極１６、１７はコンタクト部１４ａに形成されている。 （もっと読む）

本発明は、上面（２２）及び下面（２３）を有しているエピタキシャル積層体（２）を備えているブロードエリアレーザ（１）に関する。積層体（２）はビーム生成活性層（２１）を含んでいる。更に積層体（２）は、上面（２２）から下面（２３）の方向に案内されている複数の溝（３）を有しており、この溝（３）においては積層体（２）の少なくとも一つの層が少なくとも部分的に除去されている。積層体（２）の上面は複数のウェブ（４）を有しており、それらウェブ（４）はそれぞれ溝（３）と接しているので、積層体（２）の上面側はストライプ状に構成されている。ウェブ（４）及び溝（３）はそれぞれ最大で２０μｍの幅（ｄ₁，ｄ₂）を有している。更に本発明は、その種のブロードエリアレーザ（１）の製造方法に関する。
（もっと読む）

【課題】順メサ形状を安定して形成可能な、半導体発光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャルウエハＥ１を成膜装置に配置して、キャップ層２１の表面２１ａを酸化して酸化膜２３を形成する。酸化膜２３は、キャップ層２１のIII−Ｖ化合物半導体の酸化物である。酸化膜２３上に絶縁体マスク２５を形成する。まず、基板生産物Ｐ１を成膜装置内に配置する。成膜装置を用いて、絶縁体マスク２５のための絶縁膜２７を酸化膜２３上に成長する後に、フォトリソグラフィを用いて絶縁膜２７及び酸化膜２３をドライエッチングして絶縁体マスク２５を形成する。絶縁体マスク２５を用いて半導体積層１３ａをウェットエッチングして、メサ領域１３ｂを形成する。絶縁膜マスク２５を用いて埋込領域を成長してメサ領域１３ｂを埋め込む。 （もっと読む）

【課題】ストライプ両端部での劣化現象を抑制でき、信頼性の高い半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】一対の電極層４０及び電極層５０と、前記一対の電極層４０及び電極層５０の間に形成され、活性層２０ｃ、光ガイド層２０ｂ、２０ｄ、及びクラッド層２０ａ、２０ｅを含むエピタキシャル層２０と、を有し、前記電極層４０は、前記エピタキシャル層２０と導通するストライプ４１、及び前記ストライプ４１の両側に位置し、前記エピタキシャル層２０との間に絶縁層３０が介在する電流注入部４２を備え、前記電極層４０に直交する方向における前記エピタキシャル層２０の単位面積あたりの抵抗は、前記ストライプ４１の中央部よりも、その端部側で大きいことを特徴とする半導体レーザ素子２００。 （もっと読む）

【課題】低抵抗動作で単峰の光プロファイルのレーザ発振が可能であり、低コストで製造可能な、面発光レーザを提供する。
【解決手段】低屈折領域と高屈折領域との複数のペアから構成される第１多層反射膜と、第１多層反射膜上の活性層と、この活性層上の電流狭窄構造と、この電流狭窄構造上のスペーサ層と、このスペーサ層上に設けられた、低屈折領域と高屈折領域との複数のペアから構成される第２多層反射膜とを有し、前記電流狭窄構造は、第１導電型半導体層と、この第１導電型半導体層上の第２導電型半導体層と、第１導電型半導体層と第２導電型半導体層とで形成されるトンネル接合領域と、第１導電型半導体層と第２導電型半導体層との間に設けられた電流ブロック層とを有する、面発光レーザ。 （もっと読む）

【課題】光学破壊による端面劣化を抑制できるとともに低閾値電流な半導体レーザを歩留良く生産できる構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザにおいては、一方の端面から共振器方向の距離が２μｍ以内の位置の量子井戸活性層５０４のバンドギャップに相当する光の波長をλｗ（ｎｍ）とし、共振器長をＬとして、一方の端面から共振器方向の距離が（３／１０）Ｌ以上、（７／１０）Ｌ以下の位置の量子井戸活性層５０４のバンドギャップに相当する光の波長をλａ(ｎｍ)とし、共振器方向において、光の波長がλｗ＋２（ｎｍ）に相当するバンドギャップを有する量子井戸活性層５０４の位置から、光の波長がλａ−２（ｎｍ）に相当するバンドギャップを有する量子井戸活性層５０４の位置との間を遷移領域とし、遷移領域の長さをＬｔとしたとき、λａ−λｗ＞１５ｎｍであり、Ｌｔが２５μｍ未満となるものである。 （もっと読む）

【課題】自励特性を安定させるとともにＣＯＤ光出力を向上させることができる半導体レーザを歩留まりよく生産できる構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザは、基板（ｎ−ＧａＡｓ基板１１０）と、ｎ−ＧａＡｓ基板１１０の上部に設けられた活性層１４０と、活性層１４０の上部の共振器方向に延設されたリッジ状の導波路を有するクラッド層（ｐ−第２クラッド層１７０）と、ｐ−第２クラッド層１７０の上部に設けられたキャップ層(ｐ−ＧａＡｓキャップ層１８０)と、上記リッジ状の導波路の側壁に設けられた電流ブロック層（ＡｌＩｎＰブロック層１９０、ｎ−ＧａＡｓブロック層２００）と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】発光装置および受光装置をモノリシックに集積することができる受発光装置を提供する。
【解決手段】半導体層１０３は分離溝３００によって発光領域１００と受光領域２００とに分離され、活性層１０６のうちの少なくとも一部は利得領域１４０を構成し、利得領域は第１側面１０５に設けられた第１端面から第１側面に設けられた第２端面まで連続しており、第１端面から第２端面までの間に利得領域に生じる光を反射させる反射面を有し、反射面にはミラー部１７０が設けられ、第１端面から延びる第１部分１４２および第２端面から延びる第２部分１４４は第１側面の垂線に対して傾いた方向に向かって設けられ、第１部分に生じる光の一部は反射面において反射して第２端面から出射され、第２部分に生じる光の一部は反射面において反射して第１端面から出射され、利得領域に生じる光の一部はミラー部を透過し、受光領域の半導体層１０３は透過した光を受光する。 （もっと読む）

【課題】直列抵抗を低減することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】第１半導体層２０に電流狭窄層２１を設ける。第２半導体層４０の上面のうち活性層３０の電流注入領域３０Ａに対応する領域に第３半導体層５０を形成し、それ以外の領域にｐ側電極６１を形成する。ｐ側電極６１と第２半導体層４０との接触面積が大きくなり、直列抵抗が小さくなる。第３半導体層５０には電流注入されず、光の閉じ込めのみが行われるので、第３半導体層５０の伝導型は、ｐ型、ｎ型またはノンドープのいずれであってもよい。 （もっと読む）