【課題】ＣＯＤを抑制しつつ回折格子のディスオーダーを防ぐことができる半導体レーザ及びその製造方法を得る。
【解決手段】半導体基板１上に、下クラッド層２、光ガイド層３，４、活性層５、及び上クラッド層６及びコンタクト層７が順に積層されている。光ガイド層３，４内に回折格子８が設けられている。レーザ共振端面の近傍かつ回折格子８の上方に窓構造９が設けられている。窓構造９は回折格子８には設けられていない。 （もっと読む）

【課題】閾値電流が低減される窒化ガリウム系半導体レーザ素子及び窒化ガリウム系半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型クラッド層１５ｂと、ｎ側光ガイド層２９と、活性層２７と、ｐ側光ガイド層３１と、ｐ型クラッド層２３と、を備え、活性層２７の発振波長は、４００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下であり、ｎ型クラッド層１５ｂは、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０＜ｘ＜０．０５，０＜ｙ＜０．２０）であり、ｐ型クラッド層２３は、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ＜０．０５，０＜ｙ＜０．２０）であり、ｎ側光ガイド層２９及びｐ側光ガイド層３１は、何れも、インジウムを含有し、ｎ側光ガイド層２９及びｐ側光ガイド層３１のインジウムの組成は、何れも、２％以上６％以下であり、ｎ型クラッド層１５ｂの膜厚は、ｎ型クラッド層１５ｂの膜厚とｐ型クラッド層２３の膜厚との合計の６５％以上８５％以下の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】クラッド層中に取り込まれるＡｓを低減し、発光出力の安定性を高めて信頼性を向上させる。
【解決手段】ｎ型基板１０の上に、Ａｌを含有するＰ系結晶からなるｎ型クラッド層３０と、Ａｓ系結晶からなる量子井戸構造を有する発光層４０と、Ａｌを含有するＰ系結晶からなるｐ型クラッド層７０とが、この順に積層され、発光層４０とｐ型クラッド層７０との間に、ｐ型クラッド層７０とはＡｌ組成比が異なる（Ａｌ_xＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙ
Ｐ（但し、０．０５≦ｘ≦０．２５，０．４７≦ｙ≦０．５２）からなる挿入層５０を備える。 （もっと読む）

【課題】不純物の活性層への拡散を防止可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】レーザダイオードは、ｎ型ＧａＮ基板１上に形成されるｎ型ＧａＮバッファ層２と、その上に形成されるｎ型クラッド層３と、その上に形成されるｎ型ガイド層４と、その上に形成される活性層５と、その上に形成されるｐ型第１ガイド層６と、その上に形成されるオーバーフロー防止層７と、その上に形成される不純物拡散防止層８と、その上に形成されるｐ型ＧａＮ第２ガイド層９と、その上に形成されるｐ型クラッド層１０とを備えている。活性層５に近接してＩｎ_yＧａ_1-yＮからなる不純物拡散防止層８を設けるため、ｐ型クラッド層１０やｐ型第２ガイド層９などの内部に存在するｐ型不純物を不純物拡散防止層８に蓄積でき、ｐ型不純物が活性層５に拡散しなくなる。 （もっと読む）

【課題】ｐ型ＩｎＰ基板のＺｎ濃度（２〜４×１０１８ｃｍ−３）は、ｐ型クラッド層のＺｎ濃度（１×１０１８ｃｍ−３）よりも高い。このため、熱処理によってｐ型ＩｎＰ基板のＺｎがｐ型クラッド層に拡散し、さらにｐ型クラッド層の上部にある活性層まで拡散して、発光効率を低下させるという問題があった。特に、埋込構造の半導体光素子では、結晶成長の回数が多いことから高温の熱処理の回数が多く、この問題が顕著であった。本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、基板からのＺｎの拡散を抑えることができる半導体光素子を提供する。
【解決手段】ｐ型ＩｎＰ基板１０とｐ型ＩｎＰクラッド層１６の間に、ＲｕがドープされたＩｎＰ拡散防止層１４を設けることにより、ｐ型ＩｎＰ基板１０やｐ型ＩｎＰバッファ層１２から活性層２０へのＺｎの拡散を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】単一の基板上に集積される半導体光素子間の電気的な分離性能を緩和可能な構造を有する集積化半導体光素子を提供する。
【解決手段】集積化半導体光素子１１では、第１のクラッド層１５は第１導電型半導体からなる。第１の半導体光素子１１ａのための第１の活性層１７は、主面１３ａの第１のエリア１３ｃ及び第１のクラッド層１５上に設けられる。第２の半導体光素子１１ｂのための第２の活性層１９は、主面１３ａの第２のエリア１３ｄ及び第１のクラッド層１５上に設けられる。第１の活性層１７は第２の活性層１９に突き当て接合されている。第２のクラッド層２１は、第２の活性層１９上に設けられ、第２導電型半導体からなる。第３のクラッド層２３は、第１の活性層１７上に設けられ、第１導電型半導体からなる。第２のクラッド層２１及び第３のクラッド層２３はｐｎ接合２７を構成する。 （もっと読む）

【課題】蓄積された製造技術やノウハウを活かしつつ、ｐ型不純物の拡散を抑えた発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、ｎ型クラッド層３、活性層５、ｐ型クラッド層７及びｐ型ＧａＡｓキャップ層８を有する発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、ｐ型クラッド層７は、ｐ型不純物としてＣをドーピングしたＣドープ層７ａと、ＭｇをドーピングしたＭｇドープ層７ｂとを有し、かつｐ型クラッド層７は、Ｃドープ層７ａが活性層５に近い側に形成され、ｐ型ＧａＡｓキャップ層８のｐ型不純物はＺｎであり、活性層５中のＣ原子濃度、Ｍｇ原子濃度、Ｚｎ原子濃度は、それぞれ５．０×１０¹⁵ｃｍ^-3以下、１．０×１０¹⁶ｃｍ^-3以上１．６×１０¹⁶ｃｍ^-3以下、１．１×１０¹⁶ｃｍ^-3以上５．０×１０¹⁸ｃｍ^-3以下であるものである。 （もっと読む）

【課題】不純物の活性層への拡散を防止可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】レーザダイオードは、ｎ型ＧａＮ基板１上に形成されるｎ型ＧａＮバッファ層２と、その上に形成されるｎ型クラッド層３と、その上に形成されるｎ型ガイド層４と、その上に形成される活性層５と、その上に形成されるｐ型第１ガイド層６と、その上に形成されるオーバーフロー防止層７と、その上に形成される不純物拡散防止層８と、その上に形成されるｐ型ＧａＮ第２ガイド層９と、その上に形成されるｐ型クラッド層１０とを備えている。活性層５に近接してＩｎ_yＧａ_1-yＮからなる不純物拡散防止層８を設けるため、ｐ型クラッド層１０やｐ型第２ガイド層９などの内部に存在するｐ型不純物を不純物拡散防止層８に蓄積でき、ｐ型不純物が活性層５に拡散しなくなる。 （もっと読む）

【課題】活性層(量子井戸層)へ光の出射部となる窓構造を形成するための不純物の拡散条件のコントロールを容易にすることができる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子では、赤外レーザ活性層１２上に形成されたｐ‐ＩｎＧａＰクラッド層１３は、拡散のし易さが異なる２つの異なる元素ＭｇとＺｎを混合したドーパントが添加されている。したがって、この２つの元素ＭｇとＺｎの混合比を調整することで、赤外レーザ活性層(量子井戸層)１２への不純物の拡散条件をコントロールすることができる。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＤレベルを高めるために量子井戸活性層の無秩序化を強化すると共に、格子欠陥の発生と無効電流の発生を抑制し、高出力動作状態における発光効率の飽和が回避され、安定した基本横モード発振を行うことが可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】同一基板上にＩＩＩ−Ｖ族半導体からなるバッファ層と、拡散防止層と、第一クラッド層と、量子井戸活性層と、第二クラッド層とを有する第１の半導体レーザと第２の半導体レーザとを備え、端面近傍における第二クラッド層、量子井戸活性層および第一クラッド層に不純物が拡散されて無秩序化された窓領域が形成され、窓領域における第一クラッド層と拡散防止層との間にｐｎ接合が形成され、第１、第２の半導体レーザの量子井戸活性層の禁制帯幅をＥ１、Ｅ２、第１、第２の半導体レーザのｐｎ接合の立ち上がり電圧をＶ１、Ｖ２とすると、Ｅ１＜ｅ×Ｖ１、Ｅ２＜ｅ×Ｖ２を満たす。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型ドーパントの拡散を防止可能な半導体光素子を提供する。
【解決手段】 半導体光素子は、ｐ型半導体基板、メサ構造部、半絶縁性半導体埋込層、及び、拡散防止層を備えている。メサ構造部は、ｐ型半導体基板の上に設けられている。また、メサ構造部は、ｐ型半導体基板の上に積層されたｐ型クラッド層、活性層、及びｎ型クラッド層を含んでいる。半絶縁性半導体埋込層には、Ｆｅがドープされている。半絶縁性半導体埋込層は、上記積層の方向に交差する方向においてメサ構造部の両側に設けられている。拡散防止層は、ｐ型ドーパントの拡散を防止するための層である。拡散防止層は、ｐ型半導体基板とメサ構造部の間、及び、ｐ型半導体基板と半絶縁性半導体埋込層との間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】格子欠陥の発生とリーク電流の発生を防止し、発光効率の飽和が抑制され、安定した基本横モード発振を行うことが可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】第１の半導体レーザ２と第２の半導体レーザ３とを備え、第１の半導体レーザは、第一クラッド層１２と、第一拡散防止層１３と、第二クラッド層１４と、禁制帯幅がＥ１の第一量子井戸活性層１５とが順に積層されて構成され、第２の半導体レーザは、第四クラッド層２２と、第二拡散防止層２３と、第五クラッド層２４と、禁制帯幅がＥ２の第二量子井戸活性層２５とが順に積層されて構成されている。窓領域における第一拡散防止層と第二クラッド層との間に立ち上がり電圧がＶ１のｐｎ接合が形成され、窓領域における第二拡散防止層と第五クラッド層との間に立ち上がり電圧がＶ２のｐｎ接合が形成され、Ｅ１とＶ１とがＥ１＜ｅ×Ｖ１を満たし、Ｅ２とＶ２とがＥ２＜ｅ×Ｖ２を満たす。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体からなるアクセプタドープ層を含む積層体を形成する場合に、アクセプタ元素の濃度を低下させずに、アクセプタドープ層又はアクセプタドープ層以降の層の平坦性が悪くなるのを抑制することができるＺｎＯ系半導体素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板１上にｎ型Ｍｇ_ＺＺｎＯ層２、アンドープＭｇＺｎＯ層３、ＭＱＷ活性層４、アンドープＭｇ_ＸＺｎＯ層５、アクセプタドープＭｇ_ＹＺｎＯ層６が順に積層されている。アクセプタドープＭｇ_ＹＺｎＯ（０≦Ｙ＜１）層６は、アクセプタ元素を少なくとも１種類含んでおり、この層に接してアンドープＭｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ（０＜Ｘ＜１）層５が形成されている。このため、アクセプタドープ層にアクセプタ元素を十分取り込むことができるとともに、アクセプタドープ層の表面平坦性は良くなる。 （もっと読む）

【課題】高出力で且つ低コストなモノリシック型の二波長又はそれ以上の多波長レーザ装置レーザ装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体レーザ装置は、第１の半導体レーザ素子１２及び第２の半導体レーザ素子１３を備えている。第１の半導体レーザ素子１２は、端面の近傍に形成された第１の不純物を含む領域である第１の端面窓構造４１を有し、第２の半導体レーザ素子は、端面の近傍に形成された第２の不純物を含む領域である第２の端面窓構造４２を有し、第１の活性層２３の下端から第１の端面窓構造４１の下端までの距離は、第２の活性層３３の下端から第２の端面窓構造４２の下端までの距離よりも短い。 （もっと読む）

【課題】初期劣化率が小さくて長寿命の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム基板と、該窒化ガリウム基板の上に形成されて窒化物系化合物半導体よりなるｎ型クラッド層と、該ｎ型クラッド層の上に形成されて窒化物系化合物半導体よりなる活性層と、該活性層の上に形成されて窒化物系化合物半導体よりなるｐ型クラッド層とを備えた半導体発光素子において、前記ｐ型クラッド層は、不純物として水素とマグネシウムを含み、前記活性層と前記ｐ型クラッド層との間にはＡｌ_ｙＧａ_１−ｘＮ（但し、０≦ｘ＜１）で表される窒化物系化合物半導体よりなるｎ型拡散防止層が設けられ、前記ｎ型拡散防止層と前記ｐ型電子障壁層との間にアンドープのＩｎＧａＮ層が設けられている。 （もっと読む）

【課題】発光効率を高めることができる半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】基板１上に形成された第１導電型AlGaInPクラッド層４と、第１導電型AlGaInPクラッド層４上に形成されたAlGaAs多重量子井戸活性層５と、AlGaAs多重量子井戸活性層５上に形成された第２導電型AlGaInPクラッド層７とを有し、第２導電型AlGaInPクラッド層７とAlGaAs多重量子井戸活性層５との間に、第２導電型AlGaInPクラッド層７のIn組成比よりもIn組成比が低い（Al_xGa_1-x）_yIn_1-yP拡散抑制層６（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】 活性層中へＺｎの拡散が抑制された半導体光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体光素子１Ａは、基板１０と、基板１０上に形成され、活性層３０とｐ型クラッド層４０ａとｎ型クラッド層２０とを有する半導体メサ部２Ｍと、Ｓｉ不純物を含み、半導体メサ部２Ｍの活性層３０に設けられた窪み部６６に埋め込まれた拡散防止部６２と、Ｚｎ不純物を含み、半導体メサ部２Ｍの周囲を埋め込む半導体埋込層７０とを備える。この半導体光素子１Ａにおいては、拡散防止部６２が不純物としてＳｉを含んでいるため、半導体埋込層７０からのＺｎ不純物をトラップする。従って、この半導体光素子１Ａにおいては、拡散防止部６２により活性層３０中へＺｎの拡散が効果的に抑制されている。 （もっと読む）

【課題】 活性層中へＺｎの拡散が抑制された半導体光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体光素子１Ａは、基板１０と、基板１０上に形成され、活性層３０とＺｎドープのｐ型クラッド層４０ａとｎ型クラッド層２０とを有する半導体メサ部２Ｍと、半導体メサ部２Ｍを埋め込む半導体埋込層７０とを備え、半導体メサ部２Ｍの活性層３０とｐ型クラッド層４０ａとの間に、Ｓｉ不純物を含む拡散防止層４２が介在している。この半導体光素子１Ａにおいては、半導体メサ部２Ｍの活性層３０とｐ型クラッド層４０ａとの間に、Ｓｉ不純物を含む拡散防止層４２が介在しており、この拡散防止層４２が、ｐ型クラッド層４０ａから活性層３０へ向かうＺｎをトラップする。従って、この半導体光素子１Ａにおいては、拡散防止層４２により活性層３０中へＺｎの拡散が効果的に抑制されている。 （もっと読む）

【課題】端面窓構造の半導体レーザ素子において、再現性のある安定なエッチングを可能にする不純物拡散方法を提供するとともに、導波損失を低減させ、製造歩留まりおよび信頼性を向上させることを目的とする。
【解決手段】不純物拡散領域１１１を形成する際、拡散制御薄膜としてｐ型ＧａＡｓキャップ層１０８を、拡散源であるＺｎＯ膜１１５とダブルヘテロ構造との間に設けることにより、ダブルヘテロ構造中のｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層１０６およびｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層１０５内に存在するＺｎ濃度を低濃度に維持しながら、量子井戸構造の活性層１０３の無秩序化を容易に達成し得る。従って、リッジストライプを形成するエッチングの際、ｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層１０５を貫通してエッチングが進行することなく、所望のリッジ形状を形成し得る。 （もっと読む）

【課題】ｐ型のＩｎＧａＡｓＰ回折格子層の埋め込み成長にともなうシリコンのパイルアップによるレーザ抵抗の増大を防止する。
【解決手段】リッジ導波路に設けられたｐ型のＩｎＧａＡｓＰ回折格子層およびこのｐ型のＩｎＧａＡｓＰ回折格子層とｐ型のコンタクト層との間に設けられたｐ型のＩｎＰ層を備えたリッジ導波路型分布帰還レーザであって、該ｐ型のＩｎＧａＡｓＰ回折格子層と該ｐ型のＩｎＰ層のｐ型ドーパントがＺｎであり、
該ｐ型のＩｎＧａＡｓＰ回折格子層のキャリア濃度を１．５×１０^１８ｃｍ^−３から４．０×１０^１８ｃｍ^−３とし、該ｐ型のＩｎＧａＡｓＰ回折格子層のキャリア濃度は該ｐ型のＩｎＰ層のキャリア濃度より高いことを特徴とする。 （もっと読む）